【技术实现步骤摘要】
本申请属于半导体，具体涉及一种清洁装置、清洁腔室及其控制方法、半导体工艺设备。
技术介绍
1、在进行气相沉积工艺时，衬底被放置在托盘上。沉积物在衬底上沉积的同时，也会沉积在托盘上。而沉积在托盘上的沉积物是颗粒污染物的主要来源，进而会影响半导体工艺质量。由此可见，去除沉积在托盘上的沉积物，是实现托盘更好地循环利用而不污染衬底的重要手段。
2、对于表面沉积有sic颗粒的托盘，由于sic颗粒具有较高的化学稳定性及热稳定性，不与酸碱反应，因此无法通过烘烤或化学反应方式将其去除。目前通常采用人工刮除的方式对sic颗粒进行清理。但是此方法存在以下问题：
3、1、每次人工刮除后，首次工艺时会造成外延层掉落物增多，严重影响外延层质量。因此一般是在托盘连续使用多次工艺后进行刮除，而不是每次工艺后进行刮除。而在此期间，多次工艺过程中，需要根据使用经验，不断调整工艺菜单，以减小托盘附着的sic颗粒带来的不良影响。
4、2、人工刮除后与刮除前，外延掺杂环境存在较大变化，且每次刮除后的效果无法达到一致性，需要重新进行工艺调试，...
【技术保护点】
1.一种清洁装置，其特征在于，包括箱体(10)、冷凝部(20)、加热器(30)和承载座(40)，其中：
2.根据权利要求1所述的清洁装置，其特征在于，所述清洁装置还包括用于支撑所述承载座(40)并带动所述承载座(40)进行升降的第一升降部(62)。
3.根据权利要求2所述的清洁装置，其特征在于，所述待清洁物(50)为用于承载衬底(70)的托盘；
4.根据权利要求3所述的清洁装置，其特征在于，所述座本体(41)设有围绕所述托盘承载面(411)，且内凹于所述托盘承载面(411)的环状凹台(412)。
5.根据权利要求2所述的...
【技术特征摘要】
1.一种清洁装置，其特征在于，包括箱体(10)、冷凝部(20)、加热器(30)和承载座(40)，其中：
2.根据权利要求1所述的清洁装置，其特征在于，所述清洁装置还包括用于支撑所述承载座(40)并带动所述承载座(40)进行升降的第一升降部(62)。
3.根据权利要求2所述的清洁装置，其特征在于，所述待清洁物(50)为用于承载衬底(70)的托盘；
4.根据权利要求3所述的清洁装置，其特征在于，所述座本体(41)设有围绕所述托盘承载面(411)，且内凹于所述托盘承载面(411)的环状凹台(412)。
5.根据权利要求2所述的清洁装置，其特征在于，所述清洁装置还包括第一驱动机构(61)；
6.根据权利要求5所述的清洁装置，其特征在于，所述第一驱动机构(61)还用于驱动所述第一升降部(62)绕所述第一升降部(62)的中轴线进行旋转。
7.根据权利要求2所述的清洁装置，其特征在于，所述清洁装置还包括隔热件(63)，所述隔热件(63)设于所述承载座(40)与所述第一升降部(62)之间，所述第一升降部(62)通过所述隔热件(63)与所述承载座(40)相连。
8.根据权利要求2所述的清洁装置，其特征在于，所述加热器(30)的至少部分设于所述箱体(10)之内，所述加热器(30)的位于所述箱体(10)之内的部分围成导向空间，所述承载座(40)与所述导向空间导向配合；或者，
9.根据权利要求2所述的清洁装置，其特征在于，所述箱体(10)包括箱本体(11)和箱盖(12)，所述箱本体(11)具有箱口(111)，所述箱盖(12)用于盖合所述箱口(111)；
10.根据权利要求9所述的清洁装置，其特征在于，所述箱盖(12)的至少部分位于所述箱本体(11)的上方，所述冷凝部(20)设于所述箱盖(12)面向所述箱本体(11)一侧。
11.根据权利要求10所述的清洁装置，其特征在于，所述清洁装置还包括第二升降部(81)和第二驱动机构(82)，所述第二升降部(81)的一端与所述第二驱动机构(82)相连，所述第二升降部(81)的另一端与所述箱盖(12)相连，所述第二驱动机构(82)用于驱动所述第二升降部(81)进行升降，以使所述箱盖(12)在所述打开状态和所述关闭状态之间切换。
12.根据权利要求1所述的清洁装置，其特征在于，所述加热器(30)包括电磁感应发热体(31)和电磁感应线圈(32)，所述电磁感应线圈(32)环绕设置在所述箱体(10)之外，所述电磁感应发热体(31)环绕设于所述箱体(...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡伟杰，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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