【技术实现步骤摘要】
本公开涉及有机材料沉积装置。
技术介绍
1、制造诸如各种显示装置的半导体装置的工艺包括在衬底上沉积层的工艺。沉积工艺主要在真空腔室中进行，并且用于限制要沉积在衬底上的区域的沉积掩模设置在衬底上。
2、作为半导体装置的示例，显示装置可以包括形成在衬底上的两个电极和定位其间的发光层以形成发光元件。从发光元件的电极注入的电子和从另一电极注入的空穴在有机发射层中结合以形成激子。随着激子从激发态变化为基态，其可以发射能量并且发射光。
3、显示装置可以包括能够发射不同颜色的光的多个像素，并且每个像素可以包括发光元件。
4、发光元件的发射层可以包括发射由不同像素表示的原色的光的有机材料。此外，在显示装置中，各种绝缘层和封装层可以由有机材料形成。为了沉积这种有机层，具有开口的沉积掩模可以设置在衬底上。沉积掩模可以是包含金属的金属掩模。可以使用磁体以通过将沉积掩模粘附到衬底来进行沉积工艺。
5、在
技术介绍
部分中公开的上述信息仅用于增强对本公开的理解，并且因此其可以包含不形成本领域普通技术人员在本国中已知的现有技术的信息。
技术实现思路
1、本公开提供了沉积装置，该沉积装置能够通过控制在沉积工艺中将沉积掩模固定到衬底的磁体的磁力来解决线状图案的缺陷。
2、根据实施方式的沉积装置可以包括：磁体部分，包括多个磁体；以及衬底支撑件，支撑衬底并且面对磁体部分。衬底支撑件可以包括多个孔，并且孔中的每一个可以与磁体中的相应相邻磁体之间的空间相对应地设置衬
3、磁体可以布置在第一方向上，并且孔可以布置在第一方向上。
4、磁体中的每一个可以在与第一方向垂直的第二方向上延伸，并且孔中的每一个可以在第二方向上延伸。
5、孔中的每一个的中心可以与磁体中的相应相邻磁体之间的空间的中心对准。
6、孔中的每一个在第一方向上的宽度和磁体中的相应相邻磁体之间的空间在第一方向上的宽度可以相同。
7、孔中的每一个在第一方向上的宽度可以大于磁体中的相应相邻磁体之间的空间在第一方向上的宽度。
8、衬底支撑件还可以包括面对磁体部分的第一平面和与第一平面相对的第二平面，并且孔可以形成在第二平面上。
9、第二方向可以与第一方向垂直，第三方向可以与第一方向和第二方向垂直，并且孔中的每一个在第三方向上的深度可以小于衬底支撑件在第三方向上的厚度。
10、衬底支撑件可以设置在磁体部分和衬底之间。
11、磁体在第一方向上的间距和孔在第一方向上的间距可以相同。
12、沉积装置还可以包括设置在衬底下方的沉积掩模。衬底支撑件可以设置在磁体部分和沉积掩模之间。
13、衬底支撑件可以具有磁性。
14、衬底支撑件可以包括制冷剂。
15、根据实施方式的沉积装置可以包括：磁体部分，包括布置在第一方向上的多个磁体；以及衬底支撑件，包括面对磁体部分的第一平面和与第一平面相对的第二平面。衬底支撑件可以具有磁性，并且衬底支撑件可以包括形成在第一平面或第二平面上并且布置在第一方向上的多个孔。
16、磁体中的每一个可以在与第一方向垂直的第二方向上延伸，并且孔中的每一个可以在第二方向上延伸。
17、孔中的每一个的中心可以与磁体中的相应相邻磁体之间的空间的中心对准。
18、孔中的每一个在第一方向上的宽度可以等于或大于磁体中的相应相邻磁体之间的空间在第一方向上的宽度。
19、第二方向可以与第一方向垂直，第三方向可以与第一方向和第二方向垂直，并且孔中的每一个在第三方向上的深度可以小于衬底支撑件在第三方向上的厚度。
20、衬底可以设置在衬底支撑件的第二平面上，并且衬底支撑件可以设置在磁体部分和衬底之间。
21、根据实施方式的沉积装置可以包括：磁体部分，包括多个磁体；以及衬底支撑件，包括面对磁体部分的第一平面和与第一平面相对的第二平面。衬底支撑件可以包括形成在第一平面或第二平面上并且使磁体的磁力扭曲的多个孔。
22、根据实施方式，可以控制在沉积工艺中将沉积掩模固定到衬底的磁体的磁力，从而解决观察到线状图案的缺陷。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.沉积装置，包括：
2.根据权利要求1所述的沉积装置，其中，
3.根据权利要求2所述的沉积装置，其中，所述多个磁体中的每一个在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸，以及
4.根据权利要求2所述的沉积装置，其中，所述多个孔中的每一个的中心与所述多个磁体中的所述相应相邻磁体之间的所述空间的中心对准。
5.根据权利要求4所述的沉积装置，其中，所述多个孔中的每一个在所述第一方向上的宽度和所述多个磁体中的所述相应相邻磁体之间的所述空间在所述第一方向上的宽度相同。
6.根据权利要求4所述的沉积装置，其中，所述多个孔中的每一个在所述第一方向上的宽度大于所述多个磁体中的所述相应相邻磁体之间的所述空间在所述第一方向上的宽度。
7.根据权利要求2所述的沉积装置，其中，
8.根据权利要求2所述的沉积装置，其中，
9.根据权利要求2所述的沉积装置，其中，所述衬底支撑件设置在所述磁体部分与所述衬底之间。
10.根据权利要求2所述的沉积装置，其中，所述多个磁体在所述第一方向上的间距与所述多个孔在所述第
...【技术特征摘要】
1.沉积装置，包括：
2.根据权利要求1所述的沉积装置，其中，
3.根据权利要求2所述的沉积装置，其中，所述多个磁体中的每一个在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸，以及
4.根据权利要求2所述的沉积装置，其中，所述多个孔中的每一个的中心与所述多个磁体中的所述相应相邻磁体之间的所述空间的中心对准。
5.根据权利要求4所述的沉积装置，其中，所述多个孔中的每一个在所述第一方向上的宽度和所述多个磁体中的所述相应相邻磁体之间的所述空间在所述第一方向上的宽度相同。
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