硅前体化合物和形成含硅膜的方法技术

提供适用于在半导体装置制造中形成含硅膜的某些硅前体化合物，且更具体来说提供用于形成此类含硅膜、如包含二氧化硅的膜的组合物和方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

一般来说，本专利技术涉及用于将含硅膜沉积至微电子装置表面上的方法和前体。

技术介绍

1、在半导体制造中，具有化学惰性介电材料，如氮化硅(si3n4)、氮氧化硅(sioxny)、碳化硅(sic)、碳氮化硅(sicn)和碳氧化硅(sico)和/或二氧化硅(sio2)的薄(例如，<1000纳米厚度)的被动层广泛用于微电子装置结构中，以充当多层装置的结构元件，如侧壁隔板元件、扩散掩模、氧化阻挡物、沟槽隔离涂层(trench isolation coating)、金属间介电材料、钝化层、绝缘体和蚀刻停止层。

2、通过化学气相沉积技术沉积含硅膜为极具吸引力的形成此类膜的方法。涉及低沉积温度的cvd工艺为尤其所要的，例如低于约450℃的温度，但需要可用于此类目的的合适的硅前体化合物。在一些情况下，当集成电路的热预算将允许时，可考虑较高沉积温度。在这些情况下，可利用>450℃的温度来获得所要介电膜。因此，需要可在此类较高温度下利用的用于形成含硅膜的前体。特定来说，需要具有良好热稳定性、高挥发性和与衬底表面具反应性的液态硅前体。</p>
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【技术保护点】

1.一种用于在微电子装置的表面上在反应区中形成含硅膜的方法，其包含在气相沉积条件下将至少一种以下式(I)化合物引入所述反应区：

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述气相沉积条件选自化学气相沉积CVD、原子层沉积ALD、等离子体增强型ALD PEALD、等离子体增强型循环化学气相沉积PECCVD、可流动化学气相沉积FCVD或等离子体增强型ALD类工艺。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述含硅膜选自二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅、低k薄含硅膜、高k栅极硅酸盐膜和低温硅外延膜。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述表面选自二...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种用于在微电子装置的表面上在反应区中形成含硅膜的方法，其包含在气相沉积条件下将至少一种以下式(i)化合物引入所述反应区：

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述气相沉积条件选自化学气相沉积cvd、原子层沉积ald、等离子体增强型ald peald、等离子体增强型循环化学气相沉积peccvd、可流动化学气相沉积fcvd或等离子体增强型ald类工艺。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述含硅膜选自二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅、低k薄含硅膜、高k栅极硅酸盐膜和低温硅外延膜。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述表面选自二氧化硅、氮化硅、氧化铝、氮化铝、铝、钨、铜、钴、钼、钌、硅晶片或其组合。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述气相沉积条件包含在约100℃至约1000℃的温度下的原子层沉积条件。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述气相沉积条件包含在约100℃至约800℃的温度下的原子层沉积条件。

【专利技术属性】
技术研发人员：赵诚实，金多慧，金焕洙，李铢眞，B·C·亨德里克斯，
申请(专利权)人：恩特格里斯公司，
类型：发明
国别省市：