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提供适用于在半导体装置制造中形成含硅膜的某些硅前体化合物，且更具体来说提供用于形成此类含硅膜、如包含二氧化硅的膜的组合物和方法。...
该专利属于恩特格里斯公司所有，仅供学习研究参考，未经过恩特格里斯公司授权不得商用。

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