本技术提供一种校准装置，用于校准机械手与承载基座之间的相对位置，承载基座包括用于承载晶圆的承载面，机械手具有移动晶圆以使晶圆的圆心与承载面圆心重合的工艺工位；校准装置包括设置于承载面的第一校准件和设置于机械手的第二校准件：第一校准件包括...

本发明涉及半导体制造领域，具体提供一种刻蚀方法及半导体工艺设备。其中，方法包括：向工艺腔室内部通入工艺气体，并使工艺气体与晶圆表面材料进行刻蚀反应，并生成固态生成物；对晶圆进行加热，以使晶圆表面的固态生成物挥发成混合气体，并控制工艺腔室...

本申请涉及半导体工艺技术领域，具体公开一种晶圆承载装置和半导体工艺设备，晶圆承载装置设置于半导体工艺设备的反应腔室内，且受所述半导体工艺设备的加热灯加热。所述晶圆承载装置具有用于承载晶圆的承载面，以及与所述承载面相背的背面，所述背面具有...

本技术提供一种晶圆承载装置及半导体工艺设备，涉及半导体技术领域，应用于半导体工艺设备的工艺腔室中，包括：基座，用于承载晶圆；顶升机构，包括至少三个顶针，顶针可升降地穿设在基座内，用于驱动晶圆上升和下降；至少三个校准组件，可升降地设置在基...

本技术提供一种热处理设备，其包括：工艺管，在工艺管的内周面形成有轴向延伸的凹槽；测温部件，具有位于凹槽中的第一管段；夹持部件，设置于凹槽中，且具有夹持状态和非夹持状态，在夹持状态，夹持部件的一端与驱动组件抵接，驱动组件用于驱动夹持部件运...

本申请公开一种工艺腔室及半导体工艺设备，涉及镀膜设备技术领域，所公开的工艺腔室包括腔体以及设置于腔体中的内衬和接地装置；接地装置包括承载件和至少两个导电部，承载件与腔体的内壁连接，且环绕设置于内衬的外侧壁，至少两个导电部分别与承载件滑动...

本申请公开了一种下射频控制装置及半导体设备，包括电压传感器、参考电压电路、射频控制开关及电压比较电路。电压传感器检测静电卡盘上的实际电压信号；参考电压电路按照为静电卡盘预设的安全耐受电压，输出参考电压信号；电压比较电路在实际电压信号小于...

本发明提供一种调平装置及半导体工艺设备，该装置包括固定部件、活动部件、调平轴组件、第一调平组件和第二调平组件，其中，固定部件与活动部件相对设置；活动部件用于与半导体工艺设备的待调平件固定连接；调平轴组件包括第一转轴和第二转轴，其中，第一...

本申请公开了一种干法刻蚀聚酰亚胺层的方法、再布线层的制备方法及再布线层，涉及半导体技术领域。一种干法刻蚀聚酰亚胺层的方法，包括：涂覆光敏材料，并形成第一预定图层；进行第一刻蚀，使所述第一预定图层转移至所述聚酰亚胺层，去除所述光敏材料；涂...

本发明公开一种盖体装置、工艺腔室及半导体工艺设备，其中，所公开的盖体装置包括盖体(12)、固定座(41)和盖体座(42)，所述盖体座(42)的第一端转动地连接于所述固定座(41)上，所述盖体座(42)的第二端可绕所述盖体座(42)的第一...

本申请提供了一种刻蚀方法及半导体工艺设备，用于刻蚀半导体结构，半导体结构包括芯轴层和含氧硅层，芯轴层包括多个间隔设置的芯轴，含氧硅层填充任意相邻两个芯轴的间隙并覆盖芯轴层的顶面，含氧硅层的顶面形成有目标图形，芯轴层的材料为含氮硅材料；该...

本申请提供了一种电路板组件、加热电路、下电极组件及工艺腔室，其中，该电路板组件包括电路板和第一电容，电路板具有第一板面、第二板面和位于第一板面与第二板面之间的侧壁，第一电容设置于第一板面上；电路板设置有减振区域，减振区域位于第一电容的下...

本申请公开了一种温控异常处理方法、半导体工艺设备及存储介质，属于半导体技术领域。其中，该方法包括：获取半导体工艺设备的实时温控数据；对实时温控数据进行特征提取，得到实时特征数据；将实时特征数据输入至训练后的温度预测模型中，得到实时温度预...

本发明提供一种晶圆装载腔和晶圆承载盒，该晶圆装载腔包括腔体、提拉机构和升降开锁机构，其中，提拉机构用于约束护罩或者解除对护罩的约束；升降开锁机构用于承载并驱动晶圆承载盒升降，还用于驱动锁定组件在锁紧状态与解除锁紧状态之间切换，并在提拉机...

本发明提供一种边缘进气装置、半导体工艺腔室及半导体工艺设备，该装置包括旋转进气组件，呈环状，旋转进气组件能够围绕自身轴线旋转；固定进气组件，呈环状，设置在旋转进气组件外侧，位于旋转进气组件的外周的第一对接面与位于固定进气组件的内周的第二...

本发明提供一种电子束发生器及离子束刻蚀设备，该电子束发生器包括：电子束生成腔体，具有引出口；遮挡组件，可活动地设置于电子束生成腔体之外；遮挡组件被设置为遮挡引出口，且能够通过调节遮挡组件的位置来调节引出口的引出面积。本方案可以根据电子束...

本说明书实施例提供了一种工艺腔室及其暖机方法、半导体设备及存储介质，其中，半导体设备的保护层表面覆盖有一层致密层，所述致密层包括含氢化合物，该致密层可以防止工艺腔室中的工艺气体在加工环境下进一步与保护层反映，使得所述半导体设备可以处于一...

本发明公开了一种去除静电卡盘残留电荷的方法和半导体工艺设备，在将基片与静电卡盘解吸附之后，执行电荷去除步骤，该电荷去除步骤包括：向静电卡盘的吸附电极施加与吸附电压相反的反向电压，并向静电卡盘所在工艺腔室内通入辅助气体，以利用辅助气体电离...

本申请公开一种半导体工艺腔室及其升降机构，属于半导体加工技术领域。所公开的升降机构包括顶针组件、波纹管组件、第一气动驱动源和第二气动驱动源，所述波纹管组件包括波纹管轴，所述顶针组件通过所述波纹管轴与所述第一气动驱动源相连，所述第二气动驱...

本发明公开一种形成半导体结构的方法、等离子体发生装置及半导体工艺设备，属于半导体技术领域，所公开的方法包括：对半导体叠层结构执行第一刻蚀工艺，以形成多个相互间隔的鳍形结构；其中，半导体叠层结构包括交替堆叠的至少一个第一半导体层和至少一个...