干法刻蚀聚酰亚胺层的方法、再布线层及其制备方法技术

本申请公开了一种干法刻蚀聚酰亚胺层的方法、再布线层的制备方法及再布线层，涉及半导体技术领域。一种干法刻蚀聚酰亚胺层的方法，包括：涂覆光敏材料，并形成第一预定图层；进行第一刻蚀，使所述第一预定图层转移至所述聚酰亚胺层，去除所述光敏材料；涂覆光刻胶，并形成第二预定图层；进行第二刻蚀，使所述第二预定图层转移至所述聚酰亚胺层；去除所述光刻胶。本申请至少能够解决制备RDL布线过程中会产生较难清理干净的副产物的问题。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于半导体，具体涉及一种干法刻蚀聚酰亚胺层的方法、再布线层的制备方法及再布线层。

技术介绍

1、21世纪以来，5g、vr、ar、人工智能、物联网、高性能计算、自动驾驶和大数据等新兴科技发现，各种轻薄便携的移动电子设备进入人们的视野并产生巨大的应用需求。为了适应目前的发展需求，半导体芯片主要朝着延续和拓展摩尔定律发展。然而随着晶体管尺度越来越逼近物理原子极限，摩尔定律的发展终将放缓乃至走向终点。因此作为超越摩尔定律的先进封装技术又应运而生。近年来，快速发展的先进封装技术主要包括：晶圆级封装(wafer-level packaging，wlp)、面板级芯片封装(panel-level chip-scale packaging)、元件堆叠封装(packaging-on-packaging)、2.5d封装、3d封装、系统级封装(system in apackage)等。先进封装技术主要朝着高频高效、多功能化系统集成、小型化、轻薄化、高性能和高可靠性的方向发展。

2、特别需要强调的是，在2.5d先进封装中使用中介层的方式，将功能小芯片与外电路相连的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种干法刻蚀聚酰亚胺层的方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在进行所述第一刻蚀之前，所述方法还包括：采用O2+Cl2对所述聚酰亚胺层进行表面预处理；和/或，

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述聚酰亚胺层上涂覆光刻胶之前，所述方法还包括：

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在去除所述光刻胶之后，所述方法还包括：

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧气与所述氟基气体的流量比的范围为5:1～15:1。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光敏材料为...

【技术特征摘要】

1.一种干法刻蚀聚酰亚胺层的方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在进行所述第一刻蚀之前，所述方法还包括：采用o2+cl2对所述聚酰亚胺层进行表面预处理；和/或，

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述聚酰亚胺层上涂覆光刻胶之前，所述方法还包括：

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在去除所述光刻胶之后，所述方法还包括：

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧气与所述氟基气体的流量比的范围为5:1～15:1。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光敏材料...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕超，种景，董子晗，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：