【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，具体涉及一种去除静电卡盘残留电荷的方法和半导体工艺设备。
技术介绍
1、静电卡盘是一种通过静电产生的吸引力将基片吸附固定在卡盘表面的夹具。相较于传统的机械卡盘与真空卡盘，静电卡盘因具有对基片损伤小、精度高等特点，而被广泛应用在晶圆刻蚀等精密加工领域。
2、虽然在晶圆刻蚀等工艺结束之后，会取消静电卡盘上的静电，使晶圆等基片与静电卡盘分离，但是，静电卡盘上还会有不定量的电荷残留，若不及时去除这些残留电荷，或者，残留电荷未被充分去除，那么，在残留电荷积累到一定程度后，会导致静电卡盘吸附的基片出现粘片或位置偏移等问题，影响基片的加工效果。
技术实现思路
1、本专利技术公开一种去除静电卡盘残留电荷的方法和半导体工艺设备，以最大程度地去除静电卡盘上的残留电荷。
2、第一方面，本专利技术公开了一种去除静电卡盘残留电荷的方法，在将基片与静电卡盘解吸附之后，执行电荷去除步骤；所述电荷去除步骤包括：向所述静电卡盘的吸附电极施加与吸附电压相反的反向电压，并向所述静电卡盘所在工艺腔室内通入辅助气体，以利用所述辅助气体电离出的电子辅助所述反向电压去除所述静电卡盘的残留电荷。
3、在一些可选示例中，在执行所述电荷去除步骤之前，还执行清洁步骤；所述清洁步骤包括：向所述工艺腔室内通入清洁气体，并控制上射频电源所述工艺腔室输出上射频功率，以将所述清洁气体激发成等离子体，并利用所述等离子体对所述工艺腔室和所述静电卡盘的残留副产物进行清洁；其中，所述静电卡盘
4、在一些可选示例中，执行所述清洁步骤之后且执行所述电荷去除步骤之前，还包括：停止向所述工艺腔室内通入清洁气体，控制所述上射频电源停止输出上射频功率，并将所述工艺腔室抽气成真空状态，以清除所述工艺腔室内残留的清洁气体。
5、在一些可选示例中，执行所述电荷去除步骤之后，还包括：停止向所述静电卡盘的吸附电极施加所述反向电压，停止向所述工艺腔室内通入所述辅助气体，并将所述工艺腔室抽气成真空状态，以清除所述工艺腔室内残留的辅助气体。
6、在一些可选示例中，在将任一基片与静电卡盘解吸附之后，都执行所述电荷去除步骤。
7、在一些可选示例中，所述反向电压的数值范围为2400v～3200v。
8、在一些可选示例中，所述反向电压的施加时间范围为5s～10s。
9、在一些可选示例中，所述辅助气体包括惰性气体，所述惰性气体包括氩气、氦气或氮气中的至少一种。
10、在一些可选示例中，向所述静电卡盘所在工艺腔室内通入辅助气体时，所述工艺腔室的压力范围为150mtorr～250mtorr。
11、第二方面，本专利技术公开了一种半导体工艺设备，包括工艺腔室、静电卡盘、进气组件、抽气组件、上电极组件、下电极组件和控制装置，所述控制装置包括至少一个存储器和至少一个处理器，所述存储器内存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序以实现如上任一项所述的去除静电卡盘残留电荷的方法。
12、本专利技术公开的去除静电卡盘残留电荷的方法和半导体工艺设备，在将基片与静电卡盘解吸附之后，执行电荷去除步骤，该电荷去除步骤包括：向静电卡盘的吸附电极施加与吸附电压相反的反向电压，并向静电卡盘所在工艺腔室内通入辅助气体，以利用辅助气体电离出的电子辅助反向电压去除静电卡盘的残留电荷，从而不仅可以利用反向电压去除静电卡盘的残留电荷，还可以利用辅助气体电离出的电子中和静电卡盘上的残留电荷，辅助反向电压去除静电卡盘的残留电荷，进而可以最大程度地去除静电卡盘上的残留电荷，进而可以避免静电卡盘吸附的基片出现粘片或位置偏移等问题，影响基片的加工效果。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种去除静电卡盘残留电荷的方法，其特征在于，在将基片与静电卡盘解吸附之后，执行电荷去除步骤；
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在执行所述电荷去除步骤之前，还执行清洁步骤；
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，执行所述清洁步骤之后且执行所述电荷去除步骤之前，还包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，执行所述电荷去除步骤之后，还包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在将任一基片与静电卡盘解吸附之后，都执行所述电荷去除步骤。
6.根据权利要求1～5任一项所述的方法，其特征在于，所述反向电压的数值范围为2400V～3200V。
7.根据权利要求1～5任一项所述的方法，其特征在于，所述反向电压的施加时间范围为5s～10s。
8.根据权利要求1～5任一项所述的方法，其特征在于，所述辅助气体包括惰性气体，所述惰性气体包括氩气、氦气或氮气中的至少一种。
9.根据权利要求1～5任一项所述的方法，其特征在于，向所述静电卡盘所在工艺腔室内通入辅助气体时，所述工艺腔室
10.一种半导体工艺设备，包括工艺腔室、静电卡盘、进气组件、抽气组件、上电极组件、下电极组件和控制装置，其特征在于，所述控制装置包括至少一个存储器和至少一个处理器，所述存储器内存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序以实现权利要求1至9任一项所述的去除静电卡盘残留电荷的方法。
...【技术特征摘要】
1.一种去除静电卡盘残留电荷的方法，其特征在于，在将基片与静电卡盘解吸附之后，执行电荷去除步骤；
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在执行所述电荷去除步骤之前，还执行清洁步骤；
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，执行所述清洁步骤之后且执行所述电荷去除步骤之前，还包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，执行所述电荷去除步骤之后，还包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在将任一基片与静电卡盘解吸附之后，都执行所述电荷去除步骤。
6.根据权利要求1～5任一项所述的方法，其特征在于，所述反向电压的数值范围为2400v～3200v。
7.根据权利要求1～5任一项所...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈志超，王江川，王华，张雪峰，陈国动，张文君，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。