【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，尤其涉及一种刻蚀方法及半导体工艺设备。
技术介绍
1、目前，常见的逻辑器件多采用氮化硅材料作为芯轴层的材料，在制备位线(bitline contact，简称blc)或字线的过程中，通常需要向芯轴层传递目标图形，以使芯轴层的图形符合后续刻蚀工艺需求。
2、在相关技术中，向芯轴传递目标图形通常为：先向芯轴层中的相邻两个芯轴之间的间隙内填充氧化硅材料，使氧化硅材料填满间隙后并覆盖芯轴的顶面，形成氧化硅层，氧化硅层的顶面形成有目标图形；再对氧化硅层进行刻蚀，将目标图形传递至芯轴的顶面。在传递图形的过程中，多采用四氟甲烷作为刻蚀气体，由于四氟甲烷对含氧硅材料和含氮硅材料的刻蚀速率差异较大，因此降低了目标图形传递的精准性。
技术实现思路
1、本申请提供一种刻蚀方法及半导体工艺设备，以解决相关技术存在的因芯轴的刻蚀速率相对含氧硅层的刻蚀速率过大而降低了目标图形传递的精准性的问题。
2、本申请第一方面提供了一种刻蚀方法，用于半导体结构，半导体结构包括芯轴层和含氧硅...
【技术保护点】
1.一种刻蚀方法，用于半导体结构，所述半导体结构包括芯轴层和含氧硅层，所述芯轴层包括多个间隔设置的芯轴，所述含氧硅层填充任意相邻两个所述芯轴的间隙并覆盖所述芯轴层的顶面，所述含氧硅层的顶面形成有目标图形，所述芯轴层的材料为含氮硅材料；其特征在于，所述刻蚀方法包括：
2.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述碳氟类气体包括三氟甲烷。
3.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述碳氟类气体包括三氟甲烷和四氟甲烷，所述四氟甲烷与所述三氟甲烷的流量比例范围为1:3～1:1。
4.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述刻...
【技术特征摘要】
1.一种刻蚀方法，用于半导体结构，所述半导体结构包括芯轴层和含氧硅层，所述芯轴层包括多个间隔设置的芯轴，所述含氧硅层填充任意相邻两个所述芯轴的间隙并覆盖所述芯轴层的顶面，所述含氧硅层的顶面形成有目标图形，所述芯轴层的材料为含氮硅材料；其特征在于，所述刻蚀方法包括：
2.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述碳氟类气体包括三氟甲烷。
3.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述碳氟类气体包括三氟甲烷和四氟甲烷，所述四氟甲烷与所述三氟甲烷的流量比例范围为1:3～1:1。
4.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀气体还包括氧气，所述氧气与所述碳氟类气体的流量比例范围为0～0.03。
5.根据权利要求1-4任一项所述的刻蚀方法，其特征在于，刻蚀环境的压力范围为5mtorr～10mtorr。
6.根据权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员：王昕，吕椰亭，李红志，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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