【技术实现步骤摘要】
本申请涉及镀膜设备，尤其涉及一种工艺腔室及半导体工艺设备。
技术介绍
1、pvd(physical vapor deposition，物理气相沉积)是半导体制造工艺中常用的薄膜材料制备方法，随着器件关键尺寸变得越来越小，特别是在45纳米以下技术节点形成的器件中，良好的薄膜台阶覆盖率对于金属栅极和互连等应用的功能性至关重要。因此，为了提高pvd设备的台阶覆盖率，射频-直流溅射电容耦合等离子体的方式应运而生。当使用射频-直流等离子体溅射时，从靶材溅射出的原子通过等离子体时更容易电离，可以显著增加离化率，可以使更多的原子沉积到孔洞中，进而提高台阶覆盖率。此外，当原子在高压环境下接近基座时会发生许多碰撞，这有助于减少在垂直方向上的能量，增加在平行于基座方向的运动，有助于减少等离子体损伤，因此，该方法广泛应用于先进技术节点的金属栅极和互联等结构。该方法需要利用射频电源和直流电源，在工艺腔室内产生等离子体，再利用等离子体轰击靶材，溅射出的原子在半导体材料(诸如，晶圆)表面形成所需膜层。工艺腔室内设置有内衬，内衬的接地方式会影响工艺腔室内的等离子体的...
【技术保护点】
1.一种工艺腔室，应用于半导体工艺设备，其特征在于，所述工艺腔室(100)包括：腔体(110)以及设置于所述腔体(110)中的内衬(120)和接地装置(130)；
2.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述承载件(131)设有滑槽(1311)，所述滑槽(1311)环绕设置于所述内衬(120)的外侧壁，所述导电部(132)的至少部分设于所述滑槽(1311)内，且与所述滑槽(1311)滑动连接，以使所述导电部(132)沿所述内衬(120)的外侧壁的周向运动。
3.根据权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，所述承载件(131)包括叠置的第一支...
【技术特征摘要】
1.一种工艺腔室，应用于半导体工艺设备，其特征在于，所述工艺腔室(100)包括：腔体(110)以及设置于所述腔体(110)中的内衬(120)和接地装置(130)；
2.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述承载件(131)设有滑槽(1311)，所述滑槽(1311)环绕设置于所述内衬(120)的外侧壁，所述导电部(132)的至少部分设于所述滑槽(1311)内，且与所述滑槽(1311)滑动连接，以使所述导电部(132)沿所述内衬(120)的外侧壁的周向运动。
3.根据权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，所述承载件(131)包括叠置的第一支撑板(1312)和第二支撑板(1313)，所述滑槽(1311)设于所述第一支撑板(1312)和所述第二支撑板(1313)所成的整体上，所述导电部(132)设于所述第一支撑板(1312)和所述第二支撑板(1313)之间。
4.根据权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，所述承载件(131)包括沿所述内衬(120)的外侧壁的周向分布至少两个子承载件(1314)，至少两个所述子承载件(1314)拼合成所述承载件(131)，且所述子承载分别与所述腔体(110)的内壁连接。
5.根据权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，所述承载件(131)设有安装孔(1315)，所述腔体(110)的内壁设有凸起的支撑台(111)，所述承载件(131)搭接于所述支撑台(111)上，且通过所述安装孔(1315)与紧固件(112)的配合与所述支撑台(111)连接。
6.根据权利要求3所述的工艺腔室，其特征在于，所述接地装置(130)还包括驱动机构(133)，所述驱动机构(133)分别与所述导电部(132)和所述承载件(131)连接，以驱动所述导电部(132)沿所述滑槽(1311)滑动。
7.根据权利要求6所述的工艺腔室，其特征在于，所述驱动机构(133)包括电机(1331)、第一丝杠(1332)、第二丝杠(1333)和第三丝杠(1334)；
8.根据权利要求7所述的工艺腔室，其特征在于，所述第一支撑板(1312)设有第一轨道面(1312a)和第二轨道面...
【专利技术属性】
技术研发人员：冯颜召，纪安宽，郭冰亮，赵晨光，宋玲彦，马迎功，周麟，李世林，杨健，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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