本申请提供一种工艺腔室，在屏蔽内衬的内侧设置了检测装置，对屏蔽内衬上的沉积膜的厚度进行在线检测。从而在不打开工艺腔的情况下，准确确定沉积膜的厚度。计算装置接收根据沉积膜的厚度生成的检测信号，并根据检测信号确定屏蔽内衬的使用状态。工艺腔室...

本发明提供一种电源控制方法和装置、半导体工艺设备，包括：开启待控电源；待控电源为上电极电源或者下电极电源；获取待控电源的反射功率信息；基于反射功率信息，获得保持待控电源开启的第一补偿时长；将待控电源的开启时长更新为设定开启时长与第一补偿...

本申请实施例提供了一种静电卡盘的吸附和解吸附控制方法及半导体工艺设备，其中，所述静电卡盘的吸附控制方法包括：步骤一，向晶圆和静电卡盘之间通入压力气体，其中，所述压力气体在所述晶圆上产生的托承力小于所述晶圆的重力；步骤三，向所述静电卡盘施...

本申请公开了一种晶体生长炉及半导体工艺设备，涉及半导体装备领域。一种晶体生长炉，包括：第一热场、第二热场、过渡传热件、第一发热器和第二发热器；所述第一热场与所述第二热场沿轴向方向设置，所述过渡传热件连接于所述第一热场与所述第二热场之间，...

本发明提供一种下电极系统及半导体工艺设备，该系统包括承载装置和顶针装置，顶针装置用于将承载装置上的晶圆托起或将晶圆放置于承载装置，还包括接地装置，接地装置包括接地电路、接地开关和控制单元，其中，接地电路通过接地开关与承载装置中的下电极电...

本发明提供一种工艺方法，包括：确定当前靶材对应的晶圆加工数量，根据晶圆加工数量确定当前晶圆与靶材之间的目标距离；根据目标距离调节晶圆与靶材之间的距离；对当前晶圆进行磁控溅射工艺，以在晶圆表面形成工艺膜层；其中，晶圆加工数量为靶材最近一次...

本发明公开一种晶舟和半导体工艺设备，所公开的晶舟包括支架和晶圆承载装置，其中：所述晶圆承载装置包括边缘承载部和延伸承载部，所述边缘承载部围成具有开口的避让空间，所述延伸承载部与所述边缘承载部连接，且朝向所述避让空间延伸，所述边缘承载部和...

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及聚焦环的校准装置。该聚焦环的校准装置，包括：沿圆周方向间隔排布的多个支撑件，任意两相邻的支撑件之间还具有用于避让传输装置的开口；支撑件包括导向部、限位部及承载部，导向部为形成于限位部顶部的斜面，用于...

本申请属于管路压力检测技术领域，具体涉及一种半导体工艺设备及半导体加工方法。半导体工艺设备包括工艺腔室、供气管路、传输管路组件、检测装置和检测管路，传输管路组件用于与反应源储存装置可通断地连通，传输管路组件包括第一连通端和第二连通端，传...

本申请公开了一种进气装置及半导体工艺处理设备，进气装置包括：匀气结构，包括匀气腔室，所述匀气腔室包括第一环形匀流件；所述第一环形匀流件包括环形内侧面、环形外侧面，以及由所述环形内侧面贯穿至所述环形外侧面并沿所述第一环形匀流件的周向均匀分...

本申请公开了一种静电卡盘电源回路电流的检测装置及半导体工艺设备。其中，该装置包括：采样电阻，采样电阻串联于静电卡盘电源的输出端；运算放大器，运算放大器的输入正端与采样电阻的输入端连接，运算放大器的输入负端与采样电阻的输出端连接，运算放大...

本申请公开了一种半导体工艺设备，涉及半导体装备领域。一种半导体工艺设备，包括：机架、反应腔室、炉体和升降装置；所述炉体包括炉膛和炉盖，所述炉膛设置于所述机架，所述反应腔室设置于所述炉膛并与所述炉膛连通，所述炉盖相对于所述炉膛可开启或闭合...

本发明提供一种半导体设备及其门阀机构，门阀机构包括密封门体和一体式的门阀组件，门阀组件与工艺腔室设置有传输口的端面密封设置，门阀组件中设置有传输通道，传输通道通过传输口与工艺腔室内部连通；门阀组件的背离工艺腔室的表面上还设置有容纳空间，...

本申请涉及半导体发光器件及制备方法。所述半导体发光器件包括：衬底层、复合膜层以及发光结构，其中，所述复合膜层包括位于所述衬底层上方且交叠设置的第一膜层和第二膜层，至少一层所述第一膜层与所述发光结构接触，所述第一膜层和所述第二膜层具有预设...

本发明实施例提供了一种静电卡盘上晶片状态的检测方法、电路、电子设备、计算机可读存储介质，该方法包括：通过交变电源模块向静电卡盘的正电极和负电极提供交变电源，以使静电卡盘处于被检测状态，根据测得的正电极处和负电极处的电参数、交变电源模块和...

本申请公开了一种半导体工艺参数检测方法和半导体工艺设备，其中，所述方法包括：获取当前采集的当前工艺参数数据，并将所述当前工艺参数数据存入工艺参数数组，所述工艺参数数组用于存储多个所采集的工艺参数数据；获取所述工艺参数数组内工艺参数数据的...

本申请提供一种紫外光照装置、控制方法和紫外光固化设备，其通过主电机驱动带轮组件转动，皮带在带轮组件间传动，带轮组件转动的同时带动光照机构转动。在皮带的张紧度过紧或过松时，调节组件可带动张紧轮移动，实现皮带张紧度的实时调节，避免皮带与带轮...

本发明公开一种半导体工艺设备用引导装置，所述引导装置包括底座以及设于所述底座的外管定位凸起和第一定位件；所述外管定位凸起用于与所述半导体工艺设备的外管组件的管口配合，所述第一定位件用于与所述外管组件的第一定位部定位配合，以限制所述外管组...

本申请公开了一种接地环组件及半导体工艺设备，涉及半导体装备领域。一种接地环组件，包括接地件、滑动件和弹性件，接地件用于与基座组件连接，滑动件沿第一方向可滑动地设置于接地件，弹性件连接滑动件与接地件，滑动件具有接触面；在接地环组件上升的情...

本发明公开了一种浅沟槽隔离结构的刻蚀方法，包括：提供衬底，衬底上具有依次形成的硬掩膜层和图案化的光刻胶层；执行第一刻蚀工艺步，利用第一刻蚀气体刻蚀硬掩膜层和衬底，以在衬底内形成多个相互隔离的刻蚀沟槽，当刻蚀沟槽的深宽比达到第一设定值时，...