【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种静电卡盘上晶片状态的检测方法和一种用于检测静电卡盘上晶片状态的电路、电子设备和计算机可读存储介质。
技术介绍
1、在半导体制造行业中，对晶片进行加工的整个过程中，包括光刻、刻蚀、离子注入、金属沉积、核心封装等工艺。在等离子刻蚀工艺中，刻蚀机将光刻工艺所产生的诸如线、面或孔洞等光阻图案，无误地转印到光阻底下的材质上，以形成整个晶片所应有的复杂架构。刻蚀、金属沉积等工艺的完成，通常是将晶片放置在半导体加工设备反应腔内的静电卡盘上，静电卡盘起到支撑、固定晶片、对工艺过程晶片温度进行控制等作用。晶片在传入传出半导体工艺腔内时，需要获取腔内是否有无晶片，工艺结束后，需要获取晶片在腔室内的状态，从而保证晶片传输的安全性，但目前获取半导体腔室内静电卡盘上晶片的状态一般都是依靠人工开腔确认，由于开腔动作较大，会造成长时间工艺生产中断，降低了工作效率。
技术实现思路
1、鉴于上述问题，提出了本专利技术实施例以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种静电卡盘上晶片状态的检测方法和一种用于检测静电卡盘上晶片状态的电路、电子设备、计算机可读存储介质。
2、为了解决上述问题，本专利技术实施例公开了一种静电卡盘上晶片状态的检测方法，所述方法包括：
3、通过交变电源向静电卡盘的正电极和负电极提供交变电压，以使所述静电卡盘处于被检测状态；其中，所述静电卡盘与所述交变电源模块之间串联有滤波电路；
4、根据测得的所述正电极处和所述负
5、根据所述正电极处和负电极处的负载电容值，确定所述静电卡盘上的晶片状态。
6、可选地，所述根据所述正电极处和负电极处的负载电容值，确定所述静电卡盘上的晶片状态，包括：
7、获取预设的电容值区间与相应的晶片状态之间的对应关系；
8、确定所述正电极处和所述负电极处的负载电容值所落入的电容值区间；
9、根据所述对应关系，确定所述正电极处和所述负电极处的负载电容值所落入的电容值区间所对应的晶片状态，所述晶片状态至少包括如下的一种：所述静电卡盘上有晶片、所述静电卡盘上无晶片、所述静电卡盘在撤除静电力后晶片粘片、所述静电卡盘在撤除静电力后晶片未粘片、所述静电卡盘在工艺结束后晶片正常升起、所述静电卡盘在工艺结束后异常升起。
10、可选地，所述通过交变电源模块向静电卡盘的正电极和负电极提供交流电压之前，还包括：
11、停止向所述静电卡盘的所述正电极和负电极提供直流电压。
12、可选地，所述正电极处或所述负电极处的负载电容值通过如下公式计算：
13、
14、其中，c为所述正电极处或负电极处的负载电容值，为所述交变电源模块的电压初始相位，为所述静电卡盘正电极或负电极处的电流相位值，ω为所述交变电源模块的角频率，l为所述滤波电路的电感值；u0为所述交变电源电压模块电压源的振幅，i0为所述静电卡盘正电极处或负电极处的负载电流值；其中ω和u0为所述交变电源模块的电参数，和i0为所测得的所述正电极处或所述负电极处的电参数。
15、本专利技术还公开了一种用于检测静电卡盘上晶片状态的电路，所述电路包括：控制模块、交变电源模块、滤波模块和检测模块；
16、所述交变电源模块用于向所述静电卡盘中的正电极和负电极提供交变电压；
17、所述滤波模块串联在所述静电卡盘与所述交变电源模块之间，用于对所述交变电源模块输出的交变电压进行滤波；
18、所述检测模块分别与所述正电极、负电极连接，用于检测所述正电极处和负电极处的电参数；
19、所述控制模块，用于根据所述检测模块测得的电参数、以及所述交变电源模块和所述滤波模块的电参数，确定所述正电极处和负电极处的负载电容值；并根据所述正电极和负电极的负载电容值，确定所述静电卡盘上的晶片状态。
20、可选地，所述检测模块包括第一电流检测模块和第二电流检测模块；其中所述第一电流检测模块串联于所述正电极和所述交变电源模块之间，所述第一电流检测模块用于检测所述正电极处的负载电流值、电流相位值；
21、所述第二电流检测模块串联于负电极和所述交变电源模块之间；所述第二电流检测模块用于检测所述负电极处的负载电流值、电流相位值。
22、可选地，所述电路还包括：直流高压模块、第一开关、第二开关；所述第一开关串联于第一电流检测模块与所述直流高压模块之间，所述第二开关串联于所述第二电流检测模块与所述直流高压摸模块之间，所述直流高压模块与所述控制模块连接；
23、所述控制模块用于切换所述第一开关和所述第二开关的闭合或断开状态，以使所述直流高压模块向所述静电卡盘中的正电极和负电极提供直流电压或停止向所述静电卡盘中的正电极和负电极提供直流电压。
24、可选地，所述检测电路还包括：第三开关和第四开关，所述第三开关串联于所述第一电流检测模块与所述交变电源模块之间，所述第四开关串联于所述第二电流检测模块与所述交变电源模块之间；
25、所述控制模块用于切换所述第三开关和所述第四开关的闭合或断开状态，以使所述交变电源模块向所述静电卡盘的正电极和负电极提供交变电压或停止向所述静电卡盘的正电极和负电极提供交变电压。
26、可选地，所述正电极处或所述负电极处的负载电容值通过如下公式计算：
27、
28、其中，c为所述正电极处或负电极处的负载电容值，为交变电源模块的电压初始相位值，为所述静电卡盘正电极处或负电极处的电流相位值，ω为所述交变电源模块的角频率，l为所述静电卡盘与所述交变电源模块之间滤波模块中的电感值；u0为所述交变电源模块电压源的振幅，i0为所述静电卡盘正电极处或负电极处的负载电流值；其中ω和u0为所述交变电源模块的电参数，和i0为所测得的所述正电极处或所述负电极处的电参数。
29、可选地，所述控制模块用于获取预设的电容值区间与相应的晶片状态之间的对应关系；确定所述正电极处和负电极处的负载电容值所落入的电容值区间；根据所述对应关系，确定所述正电极处和负电极处的负载电容值所落入的电容值区间所对应的晶片状态，所述晶片状态至少包括如下的一种：所述静电卡盘上有晶片、所述静电卡盘上无晶片、所述静电卡盘在撤除静电力后晶片粘片、所述静电卡盘在撤除静电力后晶片未粘片、所述静电卡盘在工艺结束后晶片正常升起、所述静电卡盘在工艺结束后异常升起。
30、本专利技术还公开了一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并能够在所述处理器上运行的计算机程序，所述计算机程序被所述处理器执行时实现如上述的静电卡盘上晶片状态的检测方法的步骤。
31、本专利技术还公开了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如所述的静电卡盘上晶片状态的检测方法的本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种静电卡盘上晶片状态的检测方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述正电极处和负电极处的负载电容值，确定所述静电卡盘上的晶片状态，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过交变电源模块向静电卡盘的正电极和负电极提供交变电压之前，还包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述正电极处或所述负电极处的负载电容值通过如下公式计算：
5.一种用于检测静电卡盘上晶片状态的电路，其特征在于，所述电路包括：控制模块、交变电源模块、滤波模块和检测模块；
6.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，所述检测模块包括第一电流检测模块和第二电流检测模块；其中所述第一电流检测模块串联于所述正电极和所述交变电源模块之间，所述第一电流检测模块用于检测所述正电极处的负载电流值、电流相位值；
7.根据权利要求6所述的电路，其特征在于，所述电路还包括：直流高压模块、第一开关、第二开关；所述第一开关串联于第一电流检测模块与所述直流高压模块之间，所述第二开关串联于所述第二
8.根据权利要求7所述的电路，所述检测电路还包括：第三开关和第四开关，所述第三开关串联于所述第一电流检测模块与所述交变电源模块之间，所述第四开关串联于所述第二电流检测模块与所述交变电源模块之间；
9.根据权利要求6所述的电路，其特征在于，所述正电极处或所述负电极处的负载电容值通过如下公式计算：
10.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，所述控制模块用于获取预设的电容值区间与相应的晶片状态之间的对应关系；确定所述正电极处和负电极处的负载电容值所落入的电容值区间；根据所述对应关系，确定所述正电极处和负电极处的负载电容值所落入的电容值区间所对应的晶片状态，所述晶片状态至少包括如下的一种：所述静电卡盘上有晶片、所述静电卡盘上无晶片、所述静电卡盘在撤除静电力后晶片粘片、所述静电卡盘在撤除静电力后晶片未粘片、所述静电卡盘在工艺结束后晶片正常升起、所述静电卡盘在工艺结束后异常升起。
11.一种电子设备，其特征在于，包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并能够在所述处理器上运行的计算机程序，所述计算机程序被所述处理器执行时实现如权利要求1至4中任一项所述的静电卡盘上晶片状态的检测方法的步骤。
12.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至4中任一项所述的静电卡盘上晶片状态的检测方法的步骤。
...【技术特征摘要】
1.一种静电卡盘上晶片状态的检测方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述正电极处和负电极处的负载电容值，确定所述静电卡盘上的晶片状态，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过交变电源模块向静电卡盘的正电极和负电极提供交变电压之前，还包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述正电极处或所述负电极处的负载电容值通过如下公式计算：
5.一种用于检测静电卡盘上晶片状态的电路，其特征在于，所述电路包括：控制模块、交变电源模块、滤波模块和检测模块；
6.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，所述检测模块包括第一电流检测模块和第二电流检测模块；其中所述第一电流检测模块串联于所述正电极和所述交变电源模块之间，所述第一电流检测模块用于检测所述正电极处的负载电流值、电流相位值；
7.根据权利要求6所述的电路，其特征在于，所述电路还包括：直流高压模块、第一开关、第二开关；所述第一开关串联于第一电流检测模块与所述直流高压模块之间，所述第二开关串联于所述第二电流检测模块与所述直流高压摸模块之间，所述直流高压模块与所述控制模块连接；
8.根据权利要求7所述的电路，所述检测电路还包括：第三开关和第四开关，...
【专利技术属性】
技术研发人员：李玉站，朱明魁，张羽，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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