本发明提供一种工艺腔室及半导体设备，包括腔室壳体、设置于腔室壳体内的上电极装置和下电极装置，上电极装置包括进气结构，进气结构的出气口周边设置有接地结构，接地结构包括接地部件和功能部件，接地部件的材质包括导电材质，接地部件与腔室壳体电导通...

本申请公开了一种半导体防护装置和半导体工艺设备，涉及半导体技术领域，可以防止管路区的药液挥发气体进入电气区，避免产生燃烧爆炸的安全问题。半导体防护装置包括框架结构，所述框架结构包括框架本体和框架板；所述框架板设置在所述框架本体的内部，用...

本发明公开了一种工艺腔室和半导体工艺设备，包括第一电极和第二电极，第一电极用于通过阻抗网络与地电连接，第二电极用于通过匹配器与射频电源电连接，其中，阻抗网络的阻抗值可调，用于调节第一电极的偏压，从而不仅可以使得等离子体对第一电极或第二电...

本申请实施例提供了一种晶圆传输系统、控制方法、控制装置及可读存储介质，所述晶圆传输系统包括：传输装置、移载装置和多个半导体工艺装置；所述传输装置包括：传输轨道和多个第一衔接轨道，所述第一衔接轨道的数量与所述半导体工艺装置的数量相等，所述...

本申请公开一种半导体工艺腔室，涉及半导体技术领域。该半导体工艺腔室包括腔室本体和基座组件，腔室本体的容纳空间内可放置沉积盘，且沉积盘可在第一位置与第二位置之间切换，在沉积盘位于第一位置的情况下，沉积盘位于基座组件上方，且基座组件可支撑沉...

本申请公开一种晶圆承载装置，所公开的晶圆承载装置包括基座(100)、馈电部(210)和第一转接件(300)，其中：所述第一转接件(300)位于所述基座(100)下方，所述第一转接件(300)设有中心孔(311)和环状电连接面(312)，...

本申请提供一种栅极结构和场效应晶体管的制备方法及半导体工艺设备，其中，该栅极结构的制备方法包括：提供半导体膜层结构；在半导体膜层结构的一侧表面上依次形成介质层和第一掩膜层；第一掩膜层设置有第一掩膜开口，第一掩膜开口暴露介质层的部分表面；...

本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种下电极组件及半导体工艺设备。该下电极组件包括晶圆承载件和环绕晶圆承载件的边缘设置的边缘调节件，边缘调节件包括绝缘本体和导电体，导电体设于绝缘本体，以用于使导电体分别与晶圆承载件和等离子体绝缘隔开，导...

本申请公开了一种半导体处理设备，包括：腔室本体，包括相互连通的上腔体和下腔体，上腔体支撑在下腔体上；承载装置，设置于下腔体中，用于承载晶圆；线圈组件，环绕上腔体设置，用于将通入上腔体内的工艺气体激发形成等离子体；环形磁性组件，环绕线圈组...

本申请公开一种半导体工艺设备及其电极组件，属于半导体工艺技术。该电极组件包括软连接调节装置和两电极模组，软连接调节装置包括分别安设在反应腔室的外侧表面的两软连接调节组件，软连接调节组件包括固定法兰、调节法兰、波纹管和活动连接件；固定法兰...

本发明公开一种半导体工艺设备，包括工艺腔室、电感装置和屏蔽装置；其中：工艺腔室具有工艺内腔，工艺腔室包括绝缘筒，电感装置环绕绝缘筒设置，屏蔽装置设于工艺内腔中，且被绝缘筒围绕；屏蔽装置包括第一屏蔽件和第二屏蔽件，第一屏蔽件和第二屏蔽件均...

本申请公开一种半导体设备及其磁控管组件，属于半导体工艺技术领域。磁控管组件的转盘上开设有至少两个滑槽，每个滑槽的一端均位于第一尺寸的圆周上，另一端均位于第二尺寸的圆周上，每个滑槽的延伸方向均与转盘的径向呈预设角度的夹角，每个滑槽内还卡设...

本申请公开了一种传输控制方法、半导体工艺设备、电子设备及计算机可读存储介质，涉及半导体技术领域。一种传输控制方法包括：控制第一传输装置等待放件；判断第一工位及第二工位各自的准备状态；当第一工位准备就绪或第一工位及第二工位全部准备就绪且第...

本发明实施例提供了一种晶圆调平装置、方法和半导体工艺设备，装置包括：第一测距仪和第二测距仪，用于获取与晶圆之间的垂直距离；驱动装置，调整第一顶针和/或第二顶针从基座伸出的高度；控制装置，用于判断设置第一顶针和第二顶针上的晶圆是否处于水平...

本发明提供一种远程等离子体源的安装结构及半导体工艺设备，该安装结构包括安装支架和与安装支架固定连接的升降机构，其中，第一调整件和第二调整件位于远程等离子体源的下方，且与远程等离子体源固定连接；第一传动结构与第一调整件连接，且第一传动结构...

本申请公开了一种承载装置及半导体工艺设备，涉及半导体装备领域。一种承载装置，包括：承载件、第一气道和限位组件；承载件设有用于容纳晶圆的容纳槽，容纳槽的槽底面为承载面；第一气道的出气口位于承载面上，用于通气，以使晶圆悬浮；容纳槽的边缘处设...

本申请公开一种工艺腔室及半导体工艺设备，属于半导体制造技术领域。所公开的工艺腔室包括接地的腔室本体、设置于腔室本体上方的介质窗，和设置于腔室本体内的内衬、下电极装置、电容调节装置以及密封装置，内衬环绕下电极装置设置，且内衬朝向下电极装置...

本发明提供一种上电极组件，包括多个线圈组，线圈组包括上射频线圈和下射频线圈，上射频线圈与下射频线圈沿竖直方向间隔设置，上射频线圈的一端与下射频线圈对应位置的一端电连接，上射频线圈与下射频线圈中的至少一者上设置有介质件，介质件包覆其对应的...

本发明提供一种承载装置、工艺腔室及半导体工艺设备。承载装置包括：支撑组件，顶部具有承载面，支撑组件还具有引入通道，引入通道自支撑组件的底部延伸至承载面；导电组件，穿设在引入通道内并与引入通道内壁之间形成间隙，导电组件用于与静电托盘电连接...

本申请公开一种起吊装置及半导体工艺设备，所公开的起吊装置包括伸缩支撑部和吊臂，伸缩支撑部包括升降驱动部、中心柱和顶升套，中心柱为中空结构，且套于升降驱动部之外，升降驱动部的顶端与顶升套相连；顶升套套设于中心柱之外，且在升降驱动部的驱动下...