【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体设备，具体地，涉及一种工艺腔室及半导体设备。
技术介绍
1、在半导体工艺过程中，具有大量的沉积与刻蚀步骤，晶圆的边缘可能会有残留物质积累，影响产品良率，因此，在半导体工艺过程中，会采用晶边刻蚀工艺对晶圆的边缘进行刻蚀，去除积累在晶圆边缘的残留物质。现有的一种晶边刻蚀工艺，刻蚀气体由上电极的进气结构的边缘气道进入工艺腔室，并流向晶圆的边缘，刻蚀气体受工艺腔室内的射频影响电离形成等离子体对晶圆的边缘进行刻蚀。
2、但是，在现有的一种晶边刻蚀工艺中，上电极的进气结构的底部设置有上电极的接地结构，而晶边刻蚀工艺中产生的物质可能会沉积在接地结构的下表面，这样一方面随着晶边刻蚀工艺次数的增加，沉积在接地结构下表面的物质可能会堆积形成颗粒而掉落，造成晶圆缺陷，另一方面沉积在接地结构下表面的物质也会参与晶边刻蚀，消耗刻蚀气体形成的等离子体，影响等离子体稳定性，晶边刻蚀的稳定性，再一方面沉积在接地结构下表面的物质还会影响接地结构的接地性能，对射频回路造成影响，影响等离子体稳定性，从而影响产品良率，需要对接地结构进行维护，清...
【技术保护点】
1.一种工艺腔室，包括腔室壳体、设置于腔室壳体内的上电极装置和下电极装置，其特征在于，所述上电极装置包括进气结构，所述进气结构的出气口周边设置有接地结构，所述接地结构包括接地部件和功能部件，所述接地部件的材质包括导电材质，所述接地部件与所述腔室壳体电导通；
2.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述硅的氧化物包括二氧化硅。
3.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述接地部件和所述功能部件均呈环状，且所述接地部件环绕所述功能部件设置；所述接地结构还包括转接组件，所述接地部件和所述功能部件通过所述转接组件可拆卸的连接。
...
【技术特征摘要】
1.一种工艺腔室，包括腔室壳体、设置于腔室壳体内的上电极装置和下电极装置，其特征在于，所述上电极装置包括进气结构，所述进气结构的出气口周边设置有接地结构，所述接地结构包括接地部件和功能部件，所述接地部件的材质包括导电材质，所述接地部件与所述腔室壳体电导通；
2.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述硅的氧化物包括二氧化硅。
3.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述接地部件和所述功能部件均呈环状，且所述接地部件环绕所述功能部件设置；所述接地结构还包括转接组件，所述接地部件和所述功能部件通过所述转接组件可拆卸的连接。
4.根据权利要求3所述的工艺腔室，其特征在于，所述转接组件包括定位部件和连接部件，所述定位部件的一部分与所述接地部件的部分叠置，另一部分与所述功能部件的部分叠置，所述定位部件上设置有定位凸部，所述功能部件上设置有供所述定位凸部插入的定位凹部，所述定位部件与所述功能部件通过所述定位凸部和所述定位凹部定位，所述连接部件用于连接所述定位部件和所述接地部件叠置的部分。
5.根据权利要求4所述的工艺腔室，其特征在于，所述定位部件的材质包括导电材质。
6.根据权利要求4所述的工艺腔室，其特征在于，所述功能部件上设置有功能凸部，所述功能凸部设置在所述功能部件未与所述定位部件叠置的部分上，并自所述功能部件的与所述定位部件叠置的表面向所述下电极装置的方向凸出。
7.根据权利要求3所述的工艺腔室，其特征在于，所述功能部件暴露的面向所述下电极装置的表面为环宽大于0mm且小于或等于20mm的环状。
8.根据权利要求3所述的工艺腔室，其特征在于，所述接地部件和所述功能部件之间设...
【专利技术属性】
技术研发人员：岳昕，李璇，郭春，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。