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远程等离子体源的安装结构及半导体工艺设备制造技术

技术编号:41258287 阅读:2 留言:0更新日期:2024-05-11 09:17
本发明专利技术提供一种远程等离子体源的安装结构及半导体工艺设备,该安装结构包括安装支架和与安装支架固定连接的升降机构,其中,第一调整件和第二调整件位于远程等离子体源的下方,且与远程等离子体源固定连接;第一传动结构与第一调整件连接,且第一传动结构通过联动组件与第二传动结构连接,第二传动结构与第二调整件连接;第一传动结构用于在动力源的驱动作用下,带动第一调整件升降;同时在联动组件的联动作用下,第二传动结构带动第二调整件与第一调整件同步升降。本发明专利技术提供的远程等离子体源的安装结构及半导体工艺设备,可以平稳地带动远程等离子体源升降,避免其在运动过程中出现倾斜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域,具体地,涉及一种远程等离子体源的安装结构及半导体工艺设备


技术介绍

1、随着集成电路行业的快速发展,其特征尺寸越来越小,其中互连材料的选择也尤为重要。钨(w)的化学和电性能稳定,使得其在半导体行业被广泛应用。钨薄膜的生长过程一般包括浸润(soak)、成核(nucleation)和体沉积(bulk)等步骤。目前主要采用原子层沉积(atomic layer deposition,ald)工艺实现成核(nucleation)步骤,采用化学气相沉积(chemical vapor deposition,cvd)工艺实现体沉积(bulk)步骤,最终实现在沟槽中填充金属钨。ald工艺以及cvd工艺的主要原理均是通过在晶圆(wafer)表面利用热源先以sih4、b2h6和h2等的还原气体和wf6反应,并在晶圆上生成金属钨薄膜。最终实现在晶圆表面或器件的微小结构内实现低电阻率、低应力、低杂质含量的金属钨的完全无缝隙、无空洞的沉积或填充。

2、上述ald工艺以及cvd工艺是将工艺气体通入工艺腔室内进行反应,在晶圆上生成金属钨薄膜,而金属钨薄膜不仅在晶圆上生成,还会附着在腔室内零件的表面,因此需要对腔室内部进行定期清洗,清除腔室内零件表面的钨薄膜。例如使用远程等离子体源(rps)所产生的等离子体对工艺腔室进行清洗,为便于等离子体进入工艺腔室进行清洗,将rps安装在腔室上方,产生的等离子体从rps下方的输出端流出,并通过管路进入工艺腔室。而在安装rps或者此处需要维护时就需要将rps进行上移或下移,在rps完成操作之后其输出端与管路的连接还需保证连接精度,避免出现漏点。

3、现有的远程等离子体源(rps)通过螺栓连接固定在底板上,该底板的四角位置处设置有升降调整块,且在工艺腔室的顶部设置有安装支架,该安装支架上对应四个升降调整块的位置处分别设置有四个升降螺钉,该升降螺钉与对应的升降调整块相配合,以调节rps的高度。在rps的高度调整完成之后,使用固定螺钉将底板固定在安装支架上。

4、但是,由于现有技术中rps的升降由四个升降螺钉控制,而四个螺钉无法保证rps能够平稳地升降,很容易导致rps向一侧倾斜,造成rps在输出端与管路的对接处有泄漏风险。而且,在rps升降过程中,需要对四个升降螺钉依次进行操作,为防止rps倾斜角度过大,每个升降螺钉每次的移动量不宜过大,这就需要对四个升降螺钉进行多次操作才可调整到理想位置,导致操作过程效率较低。


技术实现思路

1、本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种远程等离子体源的安装结构及半导体工艺设备,其可以平稳地带动远程等离子体源升降,避免其在运动过程中出现倾斜,从而可以提高远程等离子体源的输出端与气路的连接精度,而且还可以提高调节效率。

2、为实现本专利技术的目的而提供一种远程等离子体源的安装结构,应用于半导体工艺设备,所述安装结构包括安装支架和与所述安装支架固定连接的升降机构,所述升降机构包括主动组件、从动组件和联动组件,所述主动组件包括第一调整件和第一传动结构;所述从动组件包括第二调整件和第二传动结构;其中,

3、所述第一调整件和所述第二调整件位于所述远程等离子体源的下方,且与所述远程等离子体源固定连接;

4、所述第一传动结构与所述第一调整件连接,且所述第一传动结构通过所述联动组件与所述第二传动结构连接,所述第二传动结构与所述第二调整件连接;所述第一传动结构用于在动力源的驱动作用下,带动所述第一调整件升降;同时在所述联动组件的联动作用下,所述第二传动结构带动所述第二调整件与所述第一调整件同步升降。

5、可选的,所述第一传动结构包括第一调整轴、第一涡轮和第一蜗杆,其中,所述第一调整轴竖直设置,且所述第一调整轴的上端与所述第一调整件螺纹连接,所述第一调整轴的下端与所述第一涡轮同轴连接;

6、所述第一蜗杆水平设置,且与所述第一涡轮传动连接,并且所述第一蜗杆通过所述联动组件与所述第二传动结构连接;所述第一蜗杆用于在所述动力源的驱动作用下转动,并带动所述第一涡轮和所述第一调整轴同步转动,以使所述第一调整轴在螺纹配合的作用下带动所述第一调整件升降。

7、可选的,所述第二传动结构包括第二调整轴、第二涡轮和第二蜗杆,其中,所述第二调整轴竖直设置,且所述第二调整轴的上端与所述第二调整件螺纹连接,所述第二调整轴的下端与所述第二涡轮同轴连接;

8、所述第二蜗杆与所述第二涡轮传动连接,且所述第二蜗杆通过所述联动组件与所述第一蜗杆同轴连接;所述第二蜗杆用于在所述联动组件的联动作用下转动,并带动所述第二涡轮和所述第二调整轴同步转动,以使所述第二调整轴在螺纹配合的作用下带动所述第二调整件与所述第一调整件同步升降。

9、可选的,所述联动组件包括连杆和两个联轴器,其中,所述连杆的两端分别通过两个所述联轴器与所述第一蜗杆和所述第二蜗杆同轴连接。

10、可选的,所述第一调整轴和所述第二调整轴的外周壁底部均设置有第一键槽,且对应地在所述第一涡轮和所述第二涡轮的中心孔孔壁上设置有第二键槽,所述第一调整轴和所述第二调整轴的下端分别设置于所述第一涡轮和所述第二涡轮的中心孔中,且所述第一键槽与所述第二键槽对接形成一凹槽;

11、所述第一传动结构和所述第二传动结构均还包括连接键,所述连接键设置于所述凹槽中,且与所述凹槽相配合。

12、可选的,所述第一调整件和所述第二调整件均包括调整件主体,在所述调整件主体中设置有螺纹孔;所述第一调整轴和所述第二调整轴的外周壁顶部均设置有与所述螺纹孔相配合的外螺纹;

13、在所述调整件主体的顶部设置有连接法兰,所述连接法兰通过多个紧固螺钉与所述远程等离子体源固定连接,多个所述紧固螺钉沿所述螺纹孔的周向均匀分布在所述螺纹孔的周围。

14、可选的,所述动力源包括手动摇杆,所述手动摇杆与所述第一蜗杆连接,用于通过手动驱动所述第一蜗杆转动。

15、可选的,所述动力源包括旋转驱动源,所述旋转驱动源与所述第一蜗杆连接,用于驱动所述第一蜗杆转动。

16、作为另一个技术方案,本专利技术还提供一种半导体工艺设备,包括工艺腔室和设置在所述工艺腔室顶部的安装结构,以及安装于所述安装结构上的远程等离子体源,所述安装结构采用本专利技术提供的上述安装结构。

17、可选的,还包括两个进气管路,两个所述进气管路水平,且同轴设置于所述远程等离子体源的下方,且两个所述进气管路的进气端通过三通管路与所述远程等离子体源的输出端连接,两个所述进气管路的出气端开口朝下,用于与所述工艺腔室的进气口连接;

18、所述第一调整件和所述第二调整件沿垂直于所述进气管路的延伸方向的方向,对称设置于所述进气管路的两侧。

19、本专利技术具有以下有益效果:

20、本专利技术提供的远程等离子体源的安装结构,其借助联动组件,可以在第一传动结构在动力源的驱动作用下带动第一调整件升降的同时,在本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种远程等离子体源的安装结构,应用于半导体工艺设备,其特征在于,所述安装结构包括安装支架和与所述安装支架固定连接的升降机构,所述升降机构包括主动组件、从动组件和联动组件,所述主动组件包括第一调整件和第一传动结构;所述从动组件包括第二调整件和第二传动结构;其中,

2.根据权利要求1所述的安装结构,其特征在于,所述第一传动结构包括第一调整轴、第一涡轮和第一蜗杆,其中,所述第一调整轴竖直设置,且所述第一调整轴的上端与所述第一调整件螺纹连接,所述第一调整轴的下端与所述第一涡轮同轴连接;

3.根据权利要求2所述的安装结构,其特征在于,所述第二传动结构包括第二调整轴、第二涡轮和第二蜗杆,其中,所述第二调整轴竖直设置,且所述第二调整轴的上端与所述第二调整件螺纹连接,所述第二调整轴的下端与所述第二涡轮同轴连接;

4.根据权利要求3所述的安装结构,其特征在于,所述联动组件包括连杆和两个联轴器,其中,所述连杆的两端分别通过两个所述联轴器与所述第一蜗杆和所述第二蜗杆同轴连接。

5.根据权利要求3所述的安装结构,其特征在于,所述第一调整轴和所述第二调整轴的外周壁底部均设置有第一键槽,且对应地在所述第一涡轮和所述第二涡轮的中心孔孔壁上设置有第二键槽,所述第一调整轴和所述第二调整轴的下端分别设置于所述第一涡轮和所述第二涡轮的中心孔中,且所述第一键槽与所述第二键槽对接形成一凹槽;

6.根据权利要求3所述的安装结构,其特征在于,所述第一调整件和所述第二调整件均包括调整件主体,在所述调整件主体中设置有螺纹孔;所述第一调整轴和所述第二调整轴的外周壁顶部均设置有与所述螺纹孔相配合的外螺纹;

7.根据权利要求2-4中任意一项所述的安装结构,其特征在于,所述动力源包括手动摇杆,所述手动摇杆与所述第一蜗杆连接,用于通过手动驱动所述第一蜗杆转动。

8.根据权利要求2-4中任意一项所述的安装结构,其特征在于,所述动力源包括旋转驱动源,所述旋转驱动源与所述第一蜗杆连接,用于驱动所述第一蜗杆转动。

9.一种半导体工艺设备,包括工艺腔室和设置在所述工艺腔室顶部的安装结构,以及安装于所述安装结构上的远程等离子体源,其特征在于,所述安装结构采用权利要求1-8中任意一项所述的安装结构。

10.根据权利要求9所述的半导体工艺设备,其特征在于,还包括两个进气管路,两个所述进气管路水平,且同轴设置于所述远程等离子体源的下方,且两个所述进气管路的进气端通过三通管路与所述远程等离子体源的输出端连接,两个所述进气管路的出气端开口朝下,用于与所述工艺腔室的进气口连接;

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【技术特征摘要】

1.一种远程等离子体源的安装结构,应用于半导体工艺设备,其特征在于,所述安装结构包括安装支架和与所述安装支架固定连接的升降机构,所述升降机构包括主动组件、从动组件和联动组件,所述主动组件包括第一调整件和第一传动结构;所述从动组件包括第二调整件和第二传动结构;其中,

2.根据权利要求1所述的安装结构,其特征在于,所述第一传动结构包括第一调整轴、第一涡轮和第一蜗杆,其中,所述第一调整轴竖直设置,且所述第一调整轴的上端与所述第一调整件螺纹连接,所述第一调整轴的下端与所述第一涡轮同轴连接;

3.根据权利要求2所述的安装结构,其特征在于,所述第二传动结构包括第二调整轴、第二涡轮和第二蜗杆,其中,所述第二调整轴竖直设置,且所述第二调整轴的上端与所述第二调整件螺纹连接,所述第二调整轴的下端与所述第二涡轮同轴连接;

4.根据权利要求3所述的安装结构,其特征在于,所述联动组件包括连杆和两个联轴器,其中,所述连杆的两端分别通过两个所述联轴器与所述第一蜗杆和所述第二蜗杆同轴连接。

5.根据权利要求3所述的安装结构,其特征在于,所述第一调整轴和所述第二调整轴的外周壁底部均设置有第一键槽,且对应地在所述第一涡轮和所述第二涡轮的中心孔孔壁上设置有第二键槽,所述第一调整轴和所述第二调整轴...

【专利技术属性】
技术研发人员:尹凌风
申请(专利权)人:北京北方华创微电子装备有限公司
类型:发明
国别省市:

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