本技术提供一种半导体热处理设备，包括反应腔室、密封门结构、旋转驱动机构和加热部件，密封门结构与反应腔室密封配合，旋转驱动机构贯穿密封门结构设置，用于承载并驱动反应腔室内的晶舟旋转，加热部件贯穿旋转驱动机构设置，并与旋转驱动机构固定连接，...

本申请公开了一种炉门、硅片承载运输装置及半导体工艺设备，炉门包括：炉门主体，与反应腔室密封连接，炉门主体上连接有用于套装支撑桨的支撑杆；至少三个调平组件，用于对炉门主体进行至少三点调平；调平组件包括连接在支撑杆上的支座以及连接在支座与炉...

本申请公开一种半导体工艺设备及其进气装置，该进气装置包括：搅拌混气组件，安设在工艺腔室的顶侧，以将接入的至少两种气体搅拌混合后，按至少两个导气路径导向工艺腔室的内部；分级匀气组件，包括沿径向分级设置的中心匀气盘以及至少两个匀气模组，以分...

本技术公开了一种电极基盘组件、下电极结构及半导体工艺设备。电极基盘组件，包括：聚焦环，具有第一径向面；电极基盘，位于聚焦环内，电极基盘有第二径向面，第一径向面与第二径向面相对设置，第一径向面与第二径向面之间具有间隙；限位件，设置在第一径...

本技术提供一种接头组件、喷淋装置及炉管清洗机。接头组件包括：固定接头，用于与供液管连接；调节接头，与固定接头连接，调节接头的进液方向与出液方向形成夹角；锁定件，可拆卸地连接在固定接头与调节接头之间；锁定件具有锁定状态和松开状态，在锁定状...

本申请公开一种冷却腔室和半导体工艺设备，涉及半导体工艺技术领域。该冷却腔室包括腔室本体和用于承载晶圆的第一承载装置和第二承载装置，所述腔室本体设有进气孔，所述第一承载装置与所述第二承载装置相对设置，所述第一承载装置和所述第二承载装置均具...

本申请公开了一种静电卡盘、下电极组件及半导体处理设备，静电卡盘包括：卡盘基座，包括相对设置的顶面和底面；第一凹槽，设置于顶面；电极探针，由底面贯穿至顶面，并且从第一凹槽穿出；进气孔，由底面贯穿至顶面，并且与第一凹槽连通，用于向第一凹槽通...

本发明提供一种片盒开门装置及半导体加工设备，该装置中，安装部件设置于隔离体的第一侧，用于打开或密封传输口；安装部件中设置有封闭的空腔，开门驱动模块设置于空腔中，开门模块设置于空腔外的朝向传输口的一侧；连接密封结构被设置为贯通安装部件，且...

本发明提供了半导体工艺腔室、单侧残留消除方法及半导体工艺设备；其中，在半导体工艺腔室中，将边缘进气组件环绕设置在腔室本体的侧壁上，并当晶圆承载于承载装置上时，边缘进气组件通入的气体能够覆盖晶圆的边缘目标区域，从而通过改变边缘进气组件的进...

本发明提供了一种通孔刻蚀方法及半导体工艺设备，该方法包括：第一刻蚀阶段，向第一启辉线圈提供上电极中心功率，向第二启辉线圈提供上电极边缘功率，向反应腔室中通入第一刻蚀气体，以在预设基底形成第一预设深度的孔；其中，上电极中心功率大于上电极边...

本发明提供的一种数据传输方法、下位机及半导体工艺设备，解决了下位机接收到的数据存在异常，引发了客户端的误报警，降低了对半导体工艺设备监控的准确性的技术问题。本发明通过对传感器进行配置标签数据以及数据过滤条件，以使得可根据标签数据唯一识别...

本发明实施例提供了一种射频电源的测量电路、射频电源和半导体工艺设备，包括：与功率源连接的处理器，用于接收功率源的射频控制信号，基于射频控制信号，生成采样控制信号，并基于采样控制信号和预设采样频率信号生成采样信号；采样控制信号的频率为射频...

本申请公开了一种用于半导体工艺设备的喷淋装置及半导体工艺设备，涉及半导体装备领域。一种用于半导体工艺设备的喷淋装置，包括至少一个喷淋臂和至少一个支撑臂；各个所述喷淋臂内设有第一腔体，且所述喷淋臂还设有多个与所述第一腔体分别连通的喷淋孔；...

本发明公开一种刻蚀方法，所公开的刻蚀方法包括向半导体工艺设备的工艺内腔中通入氢气和卤素气体，以使所述氢气和所述卤素气体反应生成卤元素自由基；通过所述卤元素自由基对所述工艺内腔中的待刻蚀硅薄膜进行刻蚀，并生成目标气体排出。上述方案可以解决...

本申请涉及SOI材料的刻蚀方法。根据本申请的SOI材料的刻蚀方法包括主刻蚀阶段和第一过刻蚀阶段，主刻蚀阶段和第一过刻蚀阶段均包括多个博世工艺周期，其中，主刻蚀阶段的下射频脉冲占空比较大且其博世工艺周期中刻蚀步骤的时间占比较大，有利于实现...

本发明实施例提供了一种射频电源传感器测试电路及其测试方法。射频电源传感器测试电路包括处理器发出射频频率设定信号；射频频率合成器一端与处理器连接，另一端与射频电源传感器连接，接收射频频率设定信号，生成与射频频率设定信号匹配的射频信号，并将...

本申请公开一种半导体工艺腔室、晶圆传送件、半导体工艺设备及方法，属于半导体制造技术领域。半导体工艺腔室包括腔室本体、工艺基座以及顶针，工艺基座设置于工艺腔室内，工艺基座设有至少一个第一晶圆支撑面以及与各个第一晶圆支撑面对应的第一限位凸起...

本发明提供了一种磁控管运动控制机构和磁控溅射设备，涉及溅射技术领域，为解决依靠电机内部的编码器控制变速带来的变速位置漂移的问题而设计。磁控管运动控制机构，应用于磁控溅射设备，包括：磁控管组件，包括磁控本体和设置于磁控本体的磁控管；检测组...

本申请公开了一种含氮的碳化硅粉料的制备方法及碳化硅晶体的生长方法，涉及碳化硅晶体制备领域。一种含氮的碳化硅粉料的制备方法包括：将硅原料和碳原料按预设摩尔比充分混合，得到混合物原料；将放置有混合物原料的加热容器置于反应设备中；对反应设备抽...

本申请公开一种半导体工艺设备的冷却装置和半导体工艺设备，属于半导体工艺技术领域。所公开的冷却装置包括第一气液分离器，所述第一气液分离器具有第一进气口和第一出气口，所述第一气液分离器包括第一壳体、水冷夹套和第一导流板，所述水冷夹套环绕所述...