本技术提供一种液体混合结构及晶圆清洗装置，液体混合结构内形成有用于供第一溶液流动的第一管道、用于供第二溶液流动的第二管道和用于供第一溶液与第二溶液混合后的混合溶液流动的第三管道，第一管道用于向第三管道提供第一溶液，第二管道用于向第三管道...

本发明实施例提供了一种射频电源的功率采集电路、射频电源和半导体工艺设备。包括与所述定向耦合器连接的滤波模块，用于对所述定向耦合器的耦合输出功率信号进行滤波，生成滤波功率信号；与所述滤波模块连接的单端转差分模块，用于将所述滤波功率信号转换...

本发明提供了气路控制方法、装置及半导体工艺设备；其中，该方法包括：首先根据半导体工艺设备的多条气路创建气路集合；然后根据每个气路单元的气路名称参数和工艺配方中多条所需气路的所需气路名称，判断工艺配方中是否包含该气路单元对应的气路；如果是...

本申请公开了晶圆存放装置和半导体设备的腔室。该存放装置包括：盒体，以及设置于所述盒体内的承载组件和多个定位件，其中，所述承载组件用于承载晶圆，多个所述定位件沿所述承载组件的周向间隔设置，且能够沿所述承载组件的径向移动以靠近所述承载组件，...

本发明实施例提供了一种控温方法和装置，方法包括：在当前工艺步的控温过程中，获取当前工艺步的控温信息、下一工艺步的控温信息和半导体热处理设备的温度信息；根据当前工艺步和下一工艺步的控温信息，判断当前工艺步与下一工艺步所使用的控温方式是否相...

本发明公开了一种金属氧化物透明导电膜层表面处理方法，包括：采用微波等离子源将第一工艺气体激发为第一等离子体，对金属氧化物透明导电膜层进行第一表面处理，以提高金属氧化物透明导电膜层的欧姆接触效果；采用微波等离子源将第二工艺气体激发为第二等...

本发明实施例提供了一种功率放大器、射频电源和半导体工艺设备，包括：并联射频功率放大模块输出漏极放大功率；与并联射频功率放大模块连接的栅极直流偏置调节模块调节并联射频功率放大模块的输出；与并联射频功率放大模块连接的功率合成网络模块合成漏极...

本发明实施例提供了一种日志处理方法、装置和存储介质，所述方法包括：确定针对应用程序配置的日志记录类别；所述日志记录类别具有一一对应的特征码；所述特征码用于标识所述日志记录类别对应的日志数据；获取所述应用程序在运行过程中生成的与所述特征码...

本发明提供了一种晶圆卡盘和晶圆加工方法，涉及晶圆的刻蚀技术技术领域，为解决翘曲的晶圆在等离子刻蚀时易放电打火的问题而设计。晶圆卡盘包括边缘卡盘和中心卡盘，边缘卡盘分布在中心卡盘的至少一个径向的外侧，边缘卡盘传动连接有边缘卡盘驱动装置以调...

本申请公开一种半导体工艺腔室，属于半导体制造技术领域。半导体工艺腔室包括腔室本体和承载组件，承载组件设置于腔室本体内，承载组件包括支撑环，支撑环的上表面包括第一表面和第二表面，第一表面低于第二表面，第一表面设有支撑凸起，支撑环通过支撑凸...

本申请属于半导体加工技术领域，具体涉及一种半导体工艺腔室。该半导体工艺腔室包括腔室本体、承载装置和磁流体密封组件，承载装置包括升降轴，升降轴的第一端位于腔室本体内，其第二端穿过腔室本体后延伸至腔室本体之外，磁流体密封组件包括安装座、环形...

本申请公开一种冷却基底和卡盘，冷却基底中，第一冷却层和第二冷却层沿冷却基底的厚度方向层叠分布；进液口和排液口均位于冷却基底的中心之外，且进液口与第一冷却层连通，排液口与第二冷却层连通；第一冷却层中，进液口位于第一中心槽之内，各第一径向通...

本申请公开了一种快排阀结构及清洗装置，快排阀结构包括：阀管，包括相对设置的第一端和第二端，第一端用于与清洗槽连接，阀管上设置有至少一个排液口；气缸，套设于阀管内，并与第二端连接；阀芯组件，包括密封套组件以及活塞杆；密封套组件套设于阀管内...

本发明公开一种支撑装置、加热器和半导体工艺设备，所公开的支撑装置，应用于半导体工艺设备的加热器，以对加热器的加热体进行支撑，所公开的支撑装置包括多个支撑单元，多个支撑单元环绕设置，每个支撑单元均包括多个依次叠置的绝缘支撑体，每个绝缘支撑...

本说明书实施例提供了一种互锁信息的显示方法及相关装置，该方法在响应针对目标部件的控制操作时，若目标部件存在对应的互锁对象，则基于所述互锁对象包括的互锁条件，确定互锁信息，并在所述操作页面中显示所述互锁信息。如此，可以在操作页面上显示互锁...

本申请提供了一种先进工艺控制文件的生成方法及相关设备，先进工艺控制文件的生成方法包括：在监测到工艺腔室进入工艺开启状态时，创建初始文件，获取工艺数据并写入所创建的初始文件，工艺数据包括工艺腔室在工艺进行过程中产生的数据；在监测到工艺腔室...

本申请公开了一种全环绕栅极晶体管的侧墙的制作方法及半导体工艺设备，制作方法包括：提供半导体器件，其中，半导体器件包括衬底，以及形成在衬底表面的鳍形结构，鳍形结构由沟道层与牺牲层交替堆叠而成；对牺牲层进行横向刻蚀，以在鳍形结构的侧面形成凹...

本申请公开了一种顶针组件及半导体工艺设备的工艺腔室，涉及半导体装备领域。一种顶针组件，应用于半导体工艺设备的工艺腔室，所述工艺腔室包括下电极组件；所述顶针组件包括：驱动部件、承载部件、多个顶针以及多个密封支撑部件；所述驱动部件的驱动端与...

本发明提供一种机械手示教装置、半导体工艺设备、示教方法及控制器，涉及半导体技术领域。该机械手示教装置包括载座，载座的底部安装有底部传感模块，底部传感模块用于确定目标工位的中心位置。该机械手示教装置应用于机械手的工位示教时，能够高效、高精...

本申请实施例提供了半导体工艺设备及传输腔室的清洁方法，其中，所述半导体工艺设备包括：传输腔室和多个工艺腔室，多个所述工艺腔室沿所述传输腔室的延伸方向依次分布，所述传输腔室包括传输腔室本体和至少一个隔断装置，所述隔断装置能够在分隔状态和分...