【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体,特别是涉及一种控温方法和一种控温装置。
技术介绍
1、半导体热处理工艺一般是将半导体晶片置于热处理设备中,通过半导体热处理设备中的加热装置对晶片进行加热,以执行氧化、沉积、扩散、退火等工艺。目前,在半导体热处理工艺中,普遍采用自动化程度较高、工艺性能更优异的立式炉为半导体热处理设备。并且,在不同的工作场景下,会采用不同的控温方式进行控温处理,以达到最优的控制效果。
2、目前,在不同的控温方法切换时常用的处理措施为使用上一种控温方法最后5个周期(最后5个周期指当前控制周期(t0)及当前控制周期(t0)前的四个控制周期(t-1)、(t-2)、(t-3)、(t-4))功率的平均值作为切换控温方法后的前5个周期的功率输出,或使用切换控温方法时刻该温度点下的稳态平均功率作为切换控温方法后的前5个周期的功率输出,但是由于在切换控温方法后,依旧会使用上一控温方法结束时的功率输出值,导致出现加热功率的抖动,从而使得温度稳定性下降。
技术实现思路
1、鉴于上述问题,提出了本
...【技术保护点】
1.一种控温方法,其特征在于,应用于半导体热处理设备,所述方法包括:
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述控温信息还包括目标温度值和预设温度控制参数表,所述预设温度控制参数表包括多组温度控制参数;所述根据所述下一工艺步的控温信息和所述半导体热处理设备的温度信息,确定下一工艺步对应的加热功率,包括:
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,还包括:
4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述预设温度控制参数表还包括多组温度控制参数与多个第一预设温度的映射关系,所述根据所述控温方式和所述目标温度值,从所述预设温度控制参数
...【技术特征摘要】
1.一种控温方法,其特征在于,应用于半导体热处理设备,所述方法包括:
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述控温信息还包括目标温度值和预设温度控制参数表,所述预设温度控制参数表包括多组温度控制参数;所述根据所述下一工艺步的控温信息和所述半导体热处理设备的温度信息,确定下一工艺步对应的加热功率,包括:
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,还包括:
4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述预设温度控制参数表还包括多组温度控制参数与多个第一预设温度的映射关系,所述根据所述控温方式和所述目标温度值,从所述预设温度控制参数表中确定所述下一工艺步对应的温度控制参数,包括:
5.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述根据所述温度信息、所述下一工艺步对应的温度控制参数和所述目标温度值,计算下一工艺步对应的功率控制信息,包括:
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述根据所述温度...
【专利技术属性】
技术研发人员:张乾,王艾,
申请(专利权)人:北京北方华创微电子装备有限公司,
类型:发明
国别省市:
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