金属氧化物透明导电膜层表面处理方法技术

本发明专利技术公开了一种金属氧化物透明导电膜层表面处理方法，包括：采用微波等离子源将第一工艺气体激发为第一等离子体，对金属氧化物透明导电膜层进行第一表面处理，以提高金属氧化物透明导电膜层的欧姆接触效果；采用微波等离子源将第二工艺气体激发为第二等离子体，对金属氧化物透明导电膜层进行第二表面处理，以降低金属氧化物透明导电膜层的表面缺陷态密度。本发明专利技术能够提高金属氧化物透明导电膜层与后续沉积电极之间的欧姆接触效果，减少金属氧化物透明导电膜层的表面缺陷。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体器件制造领域，更具体地，涉及一种金属氧化物透明导电膜层表面处理方法。

技术介绍

1、金属氧化物透明导电材料，例如氧化铟镓锌(indium gallium zinc oxide，简称为igzo)和氧化烟锡(indium tin oxide，ito)，不但具备高电子迁移率等优异的电学性能，而且具有较高的可见的光透过率，常作为有源层材料，广泛应用于tft(thin filmtransistor，薄膜晶体管)制造中。有别于传统非晶硅tft，采用igzo或ito的tft性能上具有高分辨率、亮度均匀、制备难度低等优异特性。

2、在tft器件中，有源层材料，例如igzo薄膜通常位于栅氧化层和源极/漏极之间，因此，降低源极/漏极与igzo薄膜间的接触电阻对提高性能至关重要；同时，igzo薄膜在源极/漏极刻蚀过程中会产生表面损伤。接触电阻和表面损伤会显著影响tft性能。目前大多数igzo的刻蚀方法为湿法刻蚀，然而鉴于目前对高分辨率应用需求的增长，传统湿法刻蚀由于其各项同性的特点，不能满足对高分辨率下小的像素关键尺寸下的刻蚀要求。因此，igzo本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种金属氧化物透明导电膜层表面处理方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一工艺气体为包括F基气体和O2的混合气体。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一工艺气体中F的质量分数占比范围为5％-10％。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述F基气体包括CF4、NF3、C2F6中的至少其中之一。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述F基气体为CF4；

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二工艺气体包括含有H且不含有C的气体。</p>

7.根据...

【技术特征摘要】

1.一种金属氧化物透明导电膜层表面处理方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一工艺气体为包括f基气体和o2的混合气体。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一工艺气体中f的质量分数占比范围为5％-10％。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述f基气体包括cf4、nf3、c2f6中的至少其中之一。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述f基气体为cf4；

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二工艺气体包括含有h且不含有c的气体。

【专利技术属性】
技术研发人员：董乔，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：

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