本申请公开了一种调节阀及半导体工艺设备，涉及半导体装备领域。一种调节阀包括：阀体、阀板、密封板和调节组件；阀体设有阀腔以及分别与阀腔连通的进口通道和出口通道；密封板设置于出口通道内，密封板设有第一通孔；阀板沿第一方向可移动地设置于出口通...

本申请公开了一种半导体膜层的刻蚀方法及半导体工艺设备，涉及半导体领域。一种半导体膜层的刻蚀方法，包括：第一刻蚀步骤，采用等离子体刻蚀工艺利用第一工艺气体对光刻胶层进行刻蚀处理，以去除光刻胶浮渣；第二刻蚀步骤，以图形化的光刻胶层为掩模，采...

本申请公开一种上电极组件及其控制方法和半导体设备，上电极组件包括上电极、导热件、加热件和第一测温件，其中，所述导热件设置于所述上电极的一侧，所述加热件设置于所述导热件背离所述上电极的一侧，且所述加热件通过所述导热件与所述上电极导热连接，...

本申请公开了一种冷却装置及半导体工艺设备，涉及半导体制备技术领域，所公开的冷却装置包括箱体、第一冷却机构和第二冷却机构，第一冷却机构设于半导体工艺设备的机箱，第二冷却机构设于上述箱体；第一冷却机构和第二冷却机构均用于与冷却气体输送管路连...

本申请公开了一种晶圆盒、晶圆存放方法及取晶圆方法，晶圆盒包括壳体，以及设置于所述壳体内用于存放晶圆的承载机构；所述承载机构包括：支撑座，与所述壳体连接；第一载物块，可滑动地与所述支撑座连接；第二载物块，可滑动地与所述支撑座连接，并且与所...

本申请涉及一种半导体工艺腔室。该半导体工艺腔室包括腔体、抽气环、内衬和遮挡部件，其中：抽气环和内衬设置于腔体内，抽气环和内衬之间形成有抽气通道，内衬围成用于进行工艺处理的工艺区域；内衬上设置有多个第一通孔，遮挡部件设置于内衬上，多个第一...

本发明提供一种电极装置、刻蚀方法及半导体工艺设备，该电极装置包括电极部件，电极部件用于在进行半导体工艺时，叠置于半导体工艺设备的工艺腔室中的晶圆上表面的切割道区域，且与晶圆电导通；电极部件用于与直流电源电连接，以将直流电源提供的电荷引入...

本发明提供一种冷却腔室、晶圆冷却方法以及半导体工艺设备，包括：腔体，腔体内部包括冷却空间；基座，设置于冷却空间中，用于承载托盘；第一冷却结构，设置于基座中，用于对置于基座上的托盘进行冷却；第二冷却结构，设置于冷却空间中，且位于基座上方，...

本发明实施例提供了一种确定等离子体起辉的方法、半导体工艺设备的控制方法，用于半导体工艺设备，半导体工艺设备包括射频线圈，所述方法包括：在向射频线圈施加射频功率后，监测射频线圈的电参数变化率，电参数变化率包括流经射频线圈的电流变化率或射频...

本申请公开一种进气组件、半导体工艺腔室及半导体工艺方法，属于半导体技术领域。进气组件包括相连的进气窗和切换阀板，切换阀板与进气窗相对，进气窗设有第一气体进气口和第二气体进气口，切换阀板可相对于进气窗在第一位置和第二位置之间运动，且切换阀...

本发明提供一种应用于半导体膜层的刻蚀方法及半导体工艺设备，半导体膜层包括具有沟槽的衬底和位于衬底上的第一膜层，第一膜层包括填充在沟槽中的填充部和覆盖填充部以及衬底表面的覆盖部，刻蚀方法包括：采用第一工艺气体对覆盖部进行刻蚀，以去除覆盖部...

本申请实施例提供了一种晶圆承载装置，其包括：承载主体、第一承载环和第二承载环；承载主体设有凸起部，第一承载环的顶部设有第一环形凹陷，第二承载环的顶部设有第二环形凹陷，第一承载环和第二承载环中的任意一者能够套设于凸起部外；凸起部设有多个第...

本技术提供了一种工艺腔室和半导体设备，涉及半导体加工技术领域，以解决托盘碎裂风险大的问题。工艺腔室包括腔室本体以及设置于腔室本体内的：压环、用于支撑压环的支撑件和可升降的基座机构；基座机构包括用于支撑晶圆的托盘，位于托盘下方的加热件，以...

本申请提供一种半导体热处理设备，包括腔室组件和主加热器，腔室组件的内部用于放置晶舟，主加热器用于加热腔室组件，主加热器与腔室组件之间设有供散热流体流动的散热通道，主加热器还设有供散热流体流出散热通道的散热出口；半导体热处理设备还包括辅助...

本申请公开一种废气处理装置及半导体清洗设备，所公开的废气处理装置包括壳体、喷淋部和第一控制阀，壳体包括废气处理腔室，喷淋部设于废气处理腔室之内，且用于向废气处理腔室内喷淋废气吸收液；废气处理腔室设有废气进口、废气出口和第一连通口，废气出...

本技术涉及半导体加工设备技术领域，尤其涉及一种传输腔室、半导体工艺设备和拆装工装，该传输腔室包括：可拆卸式固接的上腔室和下腔室，上腔室具有上容纳腔，下腔室具有下容纳腔，上容纳腔的下敞口与下容纳腔的上敞口连通；上容纳腔被配置为供机械手的上...

本申请公开了一种半导体腔室，包括：腔室本体，底部设有第一通孔；波纹管，连接在腔室本体的底部，并通过第一通孔与腔室本体的内部连通，波纹管远离腔室本体的一端设有第一安装法兰；承载基座，包括由腔室本体的内部延伸至波纹管中的升降轴；基座装配体，...

本申请公开了一种下电极组件、工艺腔室及半导体处理设备，下电极组件包括：基座；加热件，与所述基座连接，用于给所述基座加热；承载盘，设置于所述基座的顶面，用于承载晶圆。本申请通过设置加热件给基座进行加热可以有效缓解副产物沉积在基座表面的速率...

本申请公开一种半导体工艺设备，半导体工艺设备包括工艺腔室、基座、环形的预热环支架和至少两个间距检测机构，所述预热环支架固定于所述工艺腔室的内壁，所述基座安装于所述工艺腔室内，且所述基座的外缘与所述预热环支架的内缘在所述基座的径向上间隔设...

本技术公开一种半导体工艺腔室和半导体工艺设备，所公开的半导体工艺腔室包括腔体(100)、基座(200)和多个调节件(300)，其中，所述基座(200)设于所述腔体(100)内，用于承载晶圆，所述腔体(100)开设有进气口(101)和多个...