【技术实现步骤摘要】
技术介绍
1、0aln作为一种优良的缓冲层已经被广泛使用于led领域中。通过在蓝宝石衬底和gan之间引入aln缓冲层可有效缓解外延gan晶格失配的问题，从而得到结晶质量较优的gan，使得led芯片的亮度、电压及良率等电性得到较大的提升。由于结晶质量好的aln需要在较高的工艺温度下生长，通常为600℃-700℃，这就需要在工艺5结束后对用于承载晶圆(例如包括蓝宝石衬底)的托盘进行冷却，防止出现烫伤等安全问题。
2、但是，随着aln工艺的优化，托盘的冷却时间逐渐成为实际生产中的瓶颈问题。想要减少冷却时间，就需要加快冷却速率，但是过快的冷却速率又会引起托盘碎裂的问题，因此，如何在快速冷却托盘0的同时，降低发生碎盘的风险是目前亟待解决的问题。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种半导体工艺设备的冷却腔室、晶圆冷却方法以及半导体工艺设5备，其不仅可以在保证总冷却速率基本不变的情况下，增加单个托盘的冷却时间，从而可以有效降低托盘温度，减少碎盘风...
【技术保护点】
1.一种半导体工艺设备的冷却腔室，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的冷却腔室，其特征在于，所述托盘支撑结构包括：
3.根据权利要求2所述的冷却腔室，其特征在于，所述腔体还包括位于所述冷却空间一侧的、且与所述冷却空间连通的容置空间；
4.根据权利要求3所述的冷却腔室，其特征在于，所述托盘支架包括具有开口的圆弧状支架；
5.根据权利要求1-4任一项所述的冷却腔室，其特征在于，所述第二冷却结构包括冷却盘，所述冷却盘的下表面与位于所述第一预设位置处的所述托盘的上表面之间间隔有预设距离；
6.根据权利要求5所...
【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺设备的冷却腔室，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的冷却腔室，其特征在于，所述托盘支撑结构包括：
3.根据权利要求2所述的冷却腔室，其特征在于，所述腔体还包括位于所述冷却空间一侧的、且与所述冷却空间连通的容置空间；
4.根据权利要求3所述的冷却腔室，其特征在于，所述托盘支架包括具有开口的圆弧状支架；
5.根据权利要求1-4任一项所述的冷却腔室，其特征在于，所述第二冷却结构包括冷却盘，所述冷却盘的下表面与位于所述第一预设位置处的所述托盘的上表面之间间隔有预设距离；
6.根据权利要求5所述的冷却腔室，其特征在于，所述预设距离大于等于1mm，且小于等于2mm。
7.根据权利要求5所述的冷却腔室，其特征在于，所述冷却盘中设置有第一冷却通道，所述第一冷却通道用于输送冷却水。
8.根据权利要求7所述的冷却腔室，其特征在于，所述第一冷却通道包括进流通道和出流通道，所述进流通道和出流通道并排设置，且沿所述冷却盘的周向，自所述冷却盘的边缘向中心呈螺旋状延伸，并且相邻的两圈所述进流通道的延伸方向相反；每圈所述进流通道的延伸方向和与之并排的一圈所述进流通道的延伸方向一致；
9.根据权利要求5所述的冷却腔室，其特征在于，所述进气装置包括进气部件，所述进气部件设置于所述冷却空间的底部，且所述进气部件中设置有进气通道，所述进气通道具有多个进气口，多个所述进气口相对于所述冷却空间的底部均匀分布。
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【专利技术属性】
技术研发人员：周麟，郭冰亮，马迎功，宋玲彦，赵晨光，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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