【技术实现步骤摘要】
本申请属于半导体加工,具体涉及一种上电极组件及其控制方法和半导体设备。
技术介绍
1、在等离子体刻蚀工艺中,通常需要对上电极进行加热,使之达到并维持于目标温度范围内,以提升工艺均匀性,进而获得更好的工艺加工结果。目前,半导体工艺设备中,通常在上电极中设置如热电偶等测温器件,以检测上电极的温度,进而利用所检测的温度对应地控制加热器的加热参数,使上电极的温度达到且保持于目标温度范围。但是,受前述控制过程存在一定的反馈延迟的影响,在目前的上电极控温过程中,容易出现上电极过温,进而终止加热的情况,从而对刻蚀工艺的连续性产生较大的不利影响。
技术实现思路
1、本申请实施例的目的是提供一种上电极组件及其控制方法和半导体设备,以解决目前上电极的控温过程中,容易出现上电极过温,进而终止加热,从而对刻蚀工艺的连续性产生较大不利影响的问题。
2、第一方面,本申请实施例公开一种上电极组件,其包括上电极、导热件、加热件和第一测温件,其中,
3、所述导热件设置于所述上电极的一侧,所述加热件设
...【技术保护点】
1.一种上电极组件,其特征在于,包括上电极、导热件、加热件和第一测温件,其中,
2.根据权利要求1所述的上电极组件,其特征在于,所述上电极组件还包括第二测温件,所述第二测温件安装于所述上电极中,且在所述第二测温件的第二检测值超过预设温度值的情况下,所述加热件还被配置为停止工作,所述预设温度值大于所述预设温度范围。
3.根据权利要求1所述的上电极组件,其特征在于,所述上电极组件包括进气件,所述导热件包括匀气盘和支撑环,所述支撑环为环形结构件,且所述支撑环环绕设置于所述匀气盘之外,所述匀气盘设有匀气通道和多个出气孔,所述匀气通道的进气端与所述进气件
...【技术特征摘要】
1.一种上电极组件,其特征在于,包括上电极、导热件、加热件和第一测温件,其中,
2.根据权利要求1所述的上电极组件,其特征在于,所述上电极组件还包括第二测温件,所述第二测温件安装于所述上电极中,且在所述第二测温件的第二检测值超过预设温度值的情况下,所述加热件还被配置为停止工作,所述预设温度值大于所述预设温度范围。
3.根据权利要求1所述的上电极组件,其特征在于,所述上电极组件包括进气件,所述导热件包括匀气盘和支撑环,所述支撑环为环形结构件,且所述支撑环环绕设置于所述匀气盘之外,所述匀气盘设有匀气通道和多个出气孔,所述匀气通道的进气端与所述进气件的一端连通,所述匀气通道的多个出气端与多个所述出气孔一一对应地连通。
4.根据权利要求3所述的上电极组件,其特征在于,所述上电极包括内电极和外电极,所述外电极为环状结构件,且所述外电极环绕设置于所述内电极之外...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨艺文,赵晓建,李振坤,
申请(专利权)人:北京北方华创微电子装备有限公司,
类型:发明
国别省市:
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