本申请公开一种衬体组件，应用于工艺腔室，所述衬体组件(30)包括环状的抽气顶衬(31)、环状的抽气底衬(32)和驱动件(33)，其中：所述抽气顶衬(31)的一部分位于所述抽气底衬(32)的上方，所述抽气顶衬(31)的另一部分与所述抽气底...

本发明实施例提供了一种射频电源的功率测量电路、射频电源和半导体工艺设备，包括：与射频放大模块输出端连接的信号采集模块，用于采集所述射频放大模块输出的射频信号，将所述射频信号转换为正弦波信号；与所述信号采集模块连接的全波整流模块，用于整流...

本申请公开了一种传输装置运动的控制方法、电子设备、计算机可读存储介质及半导体工艺设备，涉及运动轨迹控制领域。一种控制方法包括：使传输装置自第一位置沿第一曲线运动轨迹移动至第二位置；使传输装置自第二位置沿第二曲线运动轨迹移动至第三位置；使...

本申请公开一种半导体工艺腔室及半导体工艺设备，属于半导体制造技术领域。半导体工艺腔室包括腔室本体和下电极组件，下电极组件设置于腔室本体内，下电极组件包括升降部件和隔离基座，隔离基座设有容纳腔，且隔离基座的外壁设有至少一个凹陷部，凹陷部向...

本发明提供一种安装调节装置及半导体工艺设备，该装置包括绝缘固定环、用于固定上电极的安装件和调节组件，其中，绝缘固定环设置于半导体工艺设备的工艺腔室顶部，用于将安装件和上电极与工艺腔室的腔体电绝缘；安装件位于绝缘固定环所围空间中，且通过调...

本发明实施例提供了一种加热盘的动态控温方法和半导体工艺设备，根据多个温度传感器检测的温度值和对应的权重值，计算加权平均值，作为温控温度；根据温控温度，调整温度传感器的权重值，并根据调整后的权重值重新计算温控温度；比较重新计算的温控温度和...

本发明实施例提供了一种半导体工艺设备的晶片调度方法和半导体工艺设备，该方法包括：获取在模块的运行状态、晶片的工艺状态和晶片的位置下的可移动晶片列表；遍历可移动晶片列表，按照分枝生成规则，生成每个可移动晶片对应的分枝；分枝为机械手按照待调...

本申请公开了一种半导体清洗设备、温度控制方法、电子装置及存储介质，半导体清洗设备包括：清洗槽，用于盛放清洗液；测温件，用于测量所述清洗液至少两个位置的温度；鼓气组件，用于向所述清洗液中鼓入惰性气体；主控制器，用于当任意两个位置的所述温度...

本申请公开了一种波形控制器、脉冲电源、离子能量控制装置及半导体工艺设备。波形控制器包括：前向通路和平衡通路；前向通路和平衡通路互相并联连接，以消除所接收到的脉冲信号中的振荡信号。本申请通过波形控制器，可消除脉冲信号上影响离子能量的单峰分...

本发明提供一种紫外固化监控方法和装置、紫外固化设备，该方法包括：在工艺腔室执行紫外固化工艺时，获取工艺腔室内的紫外线辐射信息；根据紫外线辐射信息，判断是否对工艺腔室进行清洁工艺；如果对工艺腔室进行清洁工艺，则获取记录的第一次数，在第一次...

本申请公开了一种半导体设备及其磁场屏蔽装置，属于半导体工艺技术。该半导体设备的磁场屏蔽装置包括至少一个磁屏蔽组件，磁屏蔽组件包括若干磁屏蔽板及若干导磁件，若干磁屏蔽板依次拼接连接，以形成围设待屏蔽体的磁屏蔽框体，每两磁屏蔽板之间的拼接处...

本申请实施例提供了一种加热装置及其控制方法、以及化学气相沉积设备，其中，所述加热装置包括：第一加热元件和第二加热元件；所述第一加热元件包括第一加热丝，所述第二加热元件包括第二加热丝，所述第一加热丝的横截面面积大于所述第二加热丝的横截面面...

本申请公开了一种工艺腔室、半导体工艺设备及其控制方法，涉及镀膜设备技术领域，所公开的工艺腔室包括腔室主体，腔室主体包括第一腔室和第二腔室，第二腔室设于第一腔室内，第二腔室用于容纳承载舟。通过在第一腔室内增设第二腔室，使得承载舟以及反应气...

本发明提供的离子能量控制装置及方法、半导体工艺设备，该装置中，脉冲生成模块设置于半导体工艺设备的工艺腔室中，且位于基座下方，用于生成脉冲电压信号，并加载至基座中的馈入电极；控制单元用于根据预设的最大离子电流值、馈入电极与基座上晶圆构成电...

本申请实施例提供了一种磁控管装置及半导体工艺设备，其中，磁控管装置包括基座、第一滑动座、磁控管组件、旋转驱动器和传动组件；第一滑动座与基座滑动连接，磁控管组件包括第一磁控管和第二磁控管，第一磁控管设置于基座，第二磁控管设置于第一滑动座，...

本申请公开了一种除泡装置、清洗介质循环装置、清洗装置及清洗方法，除泡装置用于打碎流体中的气泡，包括：腔体，包括流体入口和流体出口；支架，设置在所述腔体的内部；转轴，与所述支架连接，并且相对所述支架可转动；至少一个叶轮，设置于所述转轴靠近...

本发明实施例提供了一种用于半导体工艺设备的工艺补偿方法和半导体工艺设备，该方法包括：获取当前工艺的设定工艺时间；在开启工艺补偿功能的情况下，获取当前工艺所使用靶材的靶材寿命和清洁周期内已完成工艺的晶圆数量；根据设定工艺时间、靶材寿命和清...

本发明提供一种下电极机构及半导体工艺设备，包括卡盘、分区分配板和多个脉冲生成模块，卡盘的介质层中设置有彼此间隔且绝缘的多个电极片；分区分配板设置在介质层下方，脉冲生成模块设置于分区分配板下方，用于生成脉冲电压信号；分区分配板上设置有分配...

本技术提供一种进气组件、进气结构及半导体工艺设备，涉及半导体技术领域，用于半导体工艺腔室的进气，进气组件包括：用于固定在承载基座上方的外壳体和设置在外壳体的内部的内壳体，内壳体的内部形成第一腔体，内壳体与外壳体之间形成第二腔体，第一腔体...

本技术提供一种射频信号检测装置以及半导体工艺设备；其包括：采集模块，其输入端与半导体工艺设备的静电卡盘连接，用于采集射频信号，射频信号包括不同频率的第一射频信号和第二射频信号；分频模块，包括并联的第一滤波电路和第二滤波电路，第一滤波电路...