【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体工艺，尤其涉及一种加热装置及其控制方法、以及化学气相沉积设备。
技术介绍
1、在半导体工艺
，有时需要对晶圆等物料进行加热。例如，在对晶圆进行化学气相沉积的过程中，需要将晶圆加热至工艺温度。在相关技术中，一般利用加热丝(或称电阻丝)产生的热量对晶圆等物料进行加热。为了延长加热丝的使用寿命，一般会选用较粗的加热丝作为加热元件。但是，由于加热丝的电阻与其自身的横截面面积成反比，这样，会使得加热丝的电阻较小，产生的热量不高，从而使得加热元件存在升温速率较慢的问题。
技术实现思路
1、本申请实施例提供了一种加热装置及其控制方法、以及化学气相沉积设备，以解决如何提升加热元件的升温速率的问题。
2、第一方面，本申请实施例提供了一种加热装置。
3、本申请实施例提供的加热装置可应用于半导体工艺设备，所述加热装置可包括：第一加热元件和第二加热元件；所述第一加热元件包括第一加热丝，所述第二加热元件包括第二加热丝，所述第一加热丝的横截面面积大于所述第二加热丝的横截面面积，所述第二加热丝能够加热所述第一加热丝，以提升所述第一加热丝的电阻。
4、可选地，所述第二加热元件为加热灯，所述第二加热元件还包括灯罩，所述灯罩罩设于所述第二加热丝外。
5、可选地，所述加热装置还包括第一电源和第二电源，所述第一电源与所述第一加热丝电连接，所述第二电源与所述第二加热丝电连接。
6、可选地，在所述加热装置处于加热状态，且所述第一加热丝升高至目标
7、第二方面，本申请实施例提供了一种加热装置的控制方法。
8、所述加热装置为本申请实施例提供的任意一种加热装置，所述加热装置的控制方法包括：
9、控制所述第一加热丝和所述第二加热丝分别处于加热状态；
10、在所述第一加热丝升高至目标温度的情况下，控制所述第二加热丝由加热状态切换至断电状态；
11、控制所述第一加热丝保持于加热状态。
12、第三方面，本申请实施例提供了一种化学气相沉积设备。
13、本申请实施例提供的化学气相沉积设备包括：本申请实施例提供的任意一种加热装置。
14、可选地，所述化学气相沉积设备还包括托盘，所述托盘设置有待沉积件设置区，所述待沉积件设置区用于设置待沉积件；所述第一加热元件和所述第二加热元件均设置于所述托盘的背离所述待沉积件设置区的一侧。
15、可选地，所述第一加热元件位于所述托盘和所述第二加热元件之间。
16、可选地，所述化学气相沉积设备还包括反射件，所述第一加热元件和所述第二加热元件均位于所述托盘和所述反射件之间。
17、可选地，所述化学气相沉积设备还包括可移动的保温罩，所述保温罩能够在第一位置和第二位置之间移动，在所述保温罩移动至所述第一位置的情况下，所述保温罩罩设于所述托盘的外围区域；在所述保温罩移动至所述第二位置的情况下，所述保温罩解除对所述托盘遮挡。
18、可选地，所述第一加热元件的数量为多个，且多个所述第一加热元件分别为直径逐渐增大的环状结构，其中，直径较大的所述第一加热元件依次套设于直径较小的所述第一加热元件外；
19、所述第二加热元件的数量为多个，且多个所述第二加热元件分别为直径逐渐增大的环状结构，其中，直径较大的所述第二加热元件依次套设于直径较小的所述第二加热元件外。
20、本申请实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到以下有益效果：
21、在本申请的实施例中，加热装置可以设置有第一加热丝和第二加热丝，可以使得第一加热丝的横截面面积大于第二加热丝的横截面面积。由于第一加热丝的横截面面积大于第二加热丝的横截面面积，且导体的电阻与横截面面积成反比，则可以得出，第二加热丝的电阻大于第一加热丝的电阻，第二加热丝的加热功率大于第一加热丝的加热功率。进而可以通过利用第二加热丝对第一加热丝进行加热的方式，快速升高第一加热丝的温度。
22、由于导体的电阻与温度成正比，则可以通过升高第一加热丝的温度的方式，提升第一加热丝的电阻。进而可以较快的将第一加热丝的加热功率提升到目标加热功率，使得第一加热丝能够较快速地进入高发热阶段。进而可以利用第一加热丝对待加热物进行加热，使得待加热物能够较快地升温。
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1.一种加热装置，应用于半导体工艺设备，其特征在于，包括：第一加热元件(110)和第二加热元件(120)；所述第一加热元件(110)包括第一加热丝(111)，所述第二加热元件(120)包括第二加热丝(121)，所述第一加热丝(111)的横截面面积大于所述第二加热丝(121)的横截面面积，所述第二加热丝(121)能够加热所述第一加热丝(111)，以提升所述第一加热丝(111)的电阻。
2.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，所述第二加热元件(120)为加热灯，所述第二加热元件(120)还包括灯罩(122)，所述灯罩(122)罩设于所述第二加热丝(121)外。
3.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，所述加热装置还包括第一电源(130)和第二电源(140)，所述第一电源(130)与所述第一加热丝(111)电连接，所述第二电源(140)与所述第二加热丝(121)电连接。
4.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，在所述加热装置处于加热状态，且所述第一加热丝(111)升高至目标温度的情况下，所述第二加热丝(121)由加热状态切换至断电状
5.一种加热装置的控制方法，其特征在于，所述加热装置为权利要求1至3中任意一项所述的加热装置，所述加热装置的控制方法包括：
6.一种化学气相沉积设备，其特征在于，包括：权利要求1至4中任意一项所述的加热装置。
7.根据权利要求6所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述化学气相沉积设备还包括托盘(200)，所述托盘(200)设置有待沉积件设置区(210)，所述待沉积件设置区(210)用于设置待沉积件；所述第一加热元件(110)和所述第二加热元件(120)均设置于所述托盘(200)的背离所述待沉积件设置区(210)的一侧。
8.根据权利要求7所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述第一加热元件(110)位于所述托盘(200)和所述第二加热元件(120)之间。
9.根据权利要求7所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述化学气相沉积设备还包括反射件(300)，所述第一加热元件(110)和所述第二加热元件(120)均位于所述托盘(200)和所述反射件(300)之间。
10.根据权利要求7所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述化学气相沉积设备还包括可移动的保温罩(400)，所述保温罩(400)能够在第一位置和第二位置之间移动，在所述保温罩(400)移动至所述第一位置的情况下，所述保温罩(400)罩设于所述托盘(200)的外围区域；在所述保温罩(400)移动至所述第二位置的情况下，所述保温罩(400)解除对所述托盘(200)遮挡。
11.根据权利要求7所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述第一加热元件(110)的数量为多个，且多个所述第一加热元件(110)分别为直径逐渐增大的环状结构，其中，直径较大的所述第一加热元件(110)依次套设于直径较小的所述第一加热元件(110)外；
...【技术特征摘要】
1.一种加热装置，应用于半导体工艺设备，其特征在于，包括：第一加热元件(110)和第二加热元件(120)；所述第一加热元件(110)包括第一加热丝(111)，所述第二加热元件(120)包括第二加热丝(121)，所述第一加热丝(111)的横截面面积大于所述第二加热丝(121)的横截面面积，所述第二加热丝(121)能够加热所述第一加热丝(111)，以提升所述第一加热丝(111)的电阻。
2.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，所述第二加热元件(120)为加热灯，所述第二加热元件(120)还包括灯罩(122)，所述灯罩(122)罩设于所述第二加热丝(121)外。
3.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，所述加热装置还包括第一电源(130)和第二电源(140)，所述第一电源(130)与所述第一加热丝(111)电连接，所述第二电源(140)与所述第二加热丝(121)电连接。
4.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，在所述加热装置处于加热状态，且所述第一加热丝(111)升高至目标温度的情况下，所述第二加热丝(121)由加热状态切换至断电状态，所述第一加热丝(111)保持于加热状态。
5.一种加热装置的控制方法，其特征在于，所述加热装置为权利要求1至3中任意一项所述的加热装置，所述加热装置的控制方法包括：
6.一种化学气相沉积设备，其特征在于，包括：权利要求1至4中任意一项所述的加热装置。
7.根据权利要求6所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：邹传巍，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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