【技术实现步骤摘要】
本申请属于半导体制造，具体涉及一种半导体工艺腔室及半导体工艺设备。
技术介绍
1、在晶圆的加工过程中，通常利用传送装置将晶圆输送至工艺腔室内的第一顶针上，第一顶针带动晶圆下降，以使晶圆被放置于卡盘基座，进而实现晶圆的工艺过程；工艺执行完成后，第一顶针带动晶圆上升，以使晶圆脱离卡盘基座，进一步再利用传送装置将晶圆输送至工艺腔室之外。同时，工艺腔室内也设有用于带动聚焦环升降的第二顶针。
2、相关技术中，半导体工艺腔室包括腔室本体以及设置于腔室本体内的下电极组件，下电极组件包括顶针、卡盘基座和隔离基座，其中，顶针可以是第一顶针或第二顶针，卡盘基座和隔离基座共同形成容纳空间，顶针贯穿卡盘基座，并且能够伸入容纳空间内，在顶针升降的过程中，顶针位于容纳空间内的部分容易剐蹭到位于容纳空间内的其它结构件，对其它结构件产生影响，故容纳空间的内部需为顶针预留一定的空间，避免顶针的升降过程影响其它的结构件。但是，如此一来，容纳空间增大，导致卡盘基座和隔离基座的占用空间增大，进而导致下电极组件的占用空间增大。
技术实现思路
1、本申请实施例的目的是提供一种半导体工艺腔室及半导体工艺设备，能够解决相关技术中卡盘基座和隔离基座为顶针预留较大空间导致下电极组件的占用空间增大的问题。
2、第一方面，本申请实施例提供一种半导体工艺腔室，包括腔室本体和下电极组件，所述下电极组件设置于所述腔室本体内，所述下电极组件包括升降部件和隔离基座，所述隔离基座设有容纳腔，且所述隔离基座的外壁设有至少一个凹
3、可选地，所述下电极组件还包括升降支架，所述升降支架环绕所述隔离基座设置，且与所述升降部件相连，所述升降支架可相对于所述隔离基座在竖直方向上移动，以带动所述升降部件移动。
4、可选地，所述隔离基座包括筒状体，所述凹陷部设置于所述筒状体的外周面，所述筒状体设有所述容纳腔；
5、所述升降支架包括相连的环状体和凸起部，所述环状体套设在所述筒状体的外部，所述凸起部伸入所述凹陷部内，且所述凸起部与所述升降部件相连。
6、可选地，隔离基座还包括第一外延部，所述第一外延部设置于所述筒状体的外周面，所述第一外延部设有大气腔，所述腔室本体设有连通外部大气的管线开口，所述大气腔与所述管线开口连通，且所述大气腔用于容纳驱动所述升降支架移动的驱动源。
7、可选地，所述下电极组件还包括波纹管以及传动轴，所述驱动源与所述传动轴相连，所述第一外延部还设有安装孔，所述传动轴通过所述安装孔与所述升降支架相连，以使所述驱动源驱动所述升降支架移动，
8、所述腔室本体设有真空腔，所述升降部件设于所述真空腔内，所述波纹管套设在所述传动轴的外部，用于密封所述安装孔以隔离所述大气腔和所述真空腔。
9、可选地，所述升降支架还包括第二外延部，所述第二外延部设置于所述环状体的外周面，且所述第二外延部与所述第一外延部相对，所述传动轴通过所述安装孔与所述第二外延部相连。
10、可选地，所述下电极组件还包括第一密封件，所述第一密封件设置于所述波纹管和所述第一外延部之间。
11、可选地，所述隔离基座还包括第三外延部，所述第三外延部与第一外延部分别位于所述筒状体相背的两侧，所述第三外延部设有导向轴；
12、所述升降支架还包括第四外延部，所述第四外延部设置于所述环状体的外周面，所述第四外延部与所述第三外延部相对，所述第四外延部设有第一导向孔，且所述导向轴贯穿所述第一导向孔，所述导向轴与所述升降支架在竖直方向上滑动配合。
13、可选地，所述下电极组件还包括限位件，所述限位件与所述导向轴相连，且所述限位件与所述第四外延部在竖直方向上限位配合。
14、可选地，在所述筒状体的周向上间隔设置至少两个所述凹陷部，在所述环状体的周向上间隔设置至少两个所述凸起部，所述凹陷部、所述凸起部和所述升降部件分别一一对应。
15、可选地，所述下电极组件还包括导向件，所述导向件设置于所述凹陷部内，且所述导向件与所述筒状体相连，在所述升降部件的移动方向上，所述导向件的两端分别设有第二导向孔和第三导向孔，
16、所述升降部件包括升降轴和顶针，所述升降轴的一端与所述升降支架相连，所述升降轴的另一端依次贯穿所述第二导向孔和所述第三导向孔，并与所述顶针相连，且所述导向件与所述升降轴在竖直方向上滑动配合。
17、可选地，所述下电极组件还包括卡盘基座，所述卡盘基座设置于所述容纳腔的至少部分开口处，以封闭所述容纳腔的至少部分开口，且所述卡盘基座设有沿自身厚度方向贯穿的通孔，所述通孔与所述凹陷部相对，所述升降部件贯穿所述通孔。
18、可选地，所述腔室本体包括腔室主体和腔室门，所述腔室主体设有维护开口，所述腔室门活动地设置于所述维护开口处，以开启或关闭所述维护开口。
19、可选地，所述下电极组件还包括第二密封件，所述第二密封件设置于所述腔室主体和所述腔室门之间。
20、可选地，所述腔室本体还包括移动机构，所述移动机构设置于所述腔室主体之外，且所述移动机构与所述腔室门相连，以驱动所述腔室门移动，所述腔室门与所述隔离基座相连。
21、第二方面，本申请实施例还提供一种半导体工艺设备，包括上述的半导体工艺腔室。
22、在本申请实施例中，将升降部件设置在容纳腔之外，而容纳腔内设置其它结构件，如此一来，隔离基座将升降部件与容纳腔内的其它结构件间隔开，升降部件在运动过程中不会影响容纳腔内的结构件，因此升降部件周围不需要预留过大的空间；而且，由于隔离基座设置凹陷部，将升降部件设置于凹陷部内，故升降部件不会占用位于隔离基座外部的其它部件的空间。因此，本申请的方案既能避免升降部件移动过程中影响容纳腔内的其它结构件，又能减小隔离基座和升降部件共同占用的空间，进而减小下电极组件占用的空间。
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1.一种半导体工艺腔室，其特征在于，包括腔室本体(100)和下电极组件，所述下电极组件设置于所述腔室本体(100)内，所述下电极组件包括升降部件(400)和隔离基座(300)，所述隔离基座(300)设有容纳腔(a)，且所述隔离基座(300)的外壁设有至少一个凹陷部(311)，所述凹陷部(311)向所述容纳腔(a)的内部凹陷，至少一个所述升降部件(400)分别设置于各个所述凹陷部(311)内，且可相对于所述隔离基座(300)在竖直方向上移动。
2.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述下电极组件还包括升降支架(500)，所述升降支架(500)环绕所述隔离基座(300)设置，且与所述升降部件(400)相连，所述升降支架(500)可相对于所述隔离基座(300)在竖直方向上移动，以带动所述升降部件(400)移动。
3.根据权利要求2所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述隔离基座(300)包括筒状体(310)，所述凹陷部(311)设置于所述筒状体(310)的外周面，所述筒状体(310)设有所述容纳腔(a)；
4.根据权利要求3所述的半导体工
5.根据权利要求4所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述下电极组件还包括波纹管(620)以及传动轴(630)，所述驱动源(610)与所述传动轴(630)相连，所述第一外延部(320)还设有安装孔(322)，所述传动轴(630)通过所述安装孔(322)与所述升降支架(500)相连，以使所述驱动源(610)驱动所述升降支架(500)移动，
6.根据权利要求5所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述升降支架(500)还包括第二外延部(530)，所述第二外延部(530)设置于所述环状体(510)的外周面，且所述第二外延部(530)与所述第一外延部(320)相对，所述传动轴(630)通过所述安装孔(322)与所述第二外延部(530)相连。
7.根据权利要求5所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述下电极组件还包括第一密封件(810)，所述第一密封件(810)设置于所述波纹管(620)和所述第一外延部(320)之间。
8.根据权利要求4所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述隔离基座(300)还包括第三外延部(330)，所述第三外延部(330)与第一外延部(320)分别位于所述筒状体(310)相背的两侧，所述第三外延部(330)设有导向轴(331)；
9.根据权利要求8所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述下电极组件还包括限位件(332)，所述限位件(332)与所述导向轴(331)相连，且所述限位件(332)与所述第四外延部(540)在竖直方向上限位配合。
10.根据权利要求3所述的半导体工艺腔室，其特征在于，在所述筒状体(310)的周向上间隔设置至少两个所述凹陷部(311)，在所述环状体(510)的周向上间隔设置至少两个所述凸起部(520)，所述凹陷部(311)、所述凸起部(520)和所述升降部件(400)分别一一对应。
11.根据权利要求3所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述下电极组件还包括导向件(700)，所述导向件(700)设置于所述凹陷部(311)内，且所述导向件(700)与所述筒状体(310)相连，在所述升降部件(400)的移动方向上，所述导向件(700)的两端分别设有第二导向孔(721)和第三导向孔(722)，
12.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述下电极组件还包括卡盘基座(200)，所述卡盘基座(200)设置于所述容纳腔(a)的至少部分开口处，以封闭所述容纳腔(a)的至少部分开口，且所述卡盘基座(200)设有沿自身厚度方向贯穿的通孔，所述通孔与所述凹陷部(311)相对，所述升降部件(400)贯穿所述通孔。
13.根据权利要求1-12任一项所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述腔室本体(100)包括腔室主体(110)和腔室门(120)，所述腔室主体(110)设有维护开口(111)，所述腔室门(120)活动地设置于所述维护开口(111)处，以开启或关闭所述维护开口(111)。
14.根据权利要求13所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述下电极组件还包括...
【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺腔室，其特征在于，包括腔室本体(100)和下电极组件，所述下电极组件设置于所述腔室本体(100)内，所述下电极组件包括升降部件(400)和隔离基座(300)，所述隔离基座(300)设有容纳腔(a)，且所述隔离基座(300)的外壁设有至少一个凹陷部(311)，所述凹陷部(311)向所述容纳腔(a)的内部凹陷，至少一个所述升降部件(400)分别设置于各个所述凹陷部(311)内，且可相对于所述隔离基座(300)在竖直方向上移动。
2.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述下电极组件还包括升降支架(500)，所述升降支架(500)环绕所述隔离基座(300)设置，且与所述升降部件(400)相连，所述升降支架(500)可相对于所述隔离基座(300)在竖直方向上移动，以带动所述升降部件(400)移动。
3.根据权利要求2所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述隔离基座(300)包括筒状体(310)，所述凹陷部(311)设置于所述筒状体(310)的外周面，所述筒状体(310)设有所述容纳腔(a)；
4.根据权利要求3所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述隔离基座(300)还包括第一外延部(320)，所述第一外延部(320)设置于所述筒状体(310)的外周面，所述第一外延部(320)设有大气腔(321)，所述腔室本体(100)设有连通外部大气的管线开口(121)，所述大气腔(321)与所述管线开口(121)连通，且所述大气腔(321)用于容纳驱动所述升降支架(500)移动的驱动源(610)。
5.根据权利要求4所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述下电极组件还包括波纹管(620)以及传动轴(630)，所述驱动源(610)与所述传动轴(630)相连，所述第一外延部(320)还设有安装孔(322)，所述传动轴(630)通过所述安装孔(322)与所述升降支架(500)相连，以使所述驱动源(610)驱动所述升降支架(500)移动，
6.根据权利要求5所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述升降支架(500)还包括第二外延部(530)，所述第二外延部(530)设置于所述环状体(510)的外周面，且所述第二外延部(530)与所述第一外延部(320)相对，所述传动轴(630)通过所述安装孔(322)与所述第二外延部(530)相连。
7.根据权利要求5所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述下电极组件还包括第一密封件(810)，所述第一密封件(810)设置于所述波纹管(620)和所述第一外延部(320)之间。
8.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：姚卫杰，李岩，茅兴飞，王伟，戴庚霖，杨纪鹏，杨延铭，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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