一种半导体工艺设备的工艺补偿方法和半导体工艺设备技术

本发明专利技术实施例提供了一种用于半导体工艺设备的工艺补偿方法和半导体工艺设备，该方法包括：获取当前工艺的设定工艺时间；在开启工艺补偿功能的情况下，获取当前工艺所使用靶材的靶材寿命和清洁周期内已完成工艺的晶圆数量；根据设定工艺时间、靶材寿命和清洁周期内已完成工艺的晶圆数量，确定补偿后的工艺时间，并按照补偿后的工艺时间进行工艺。本发明专利技术引入基于清洁周期已完成工艺的晶圆数量的维度，可有效覆盖部分工艺在执行工艺腔室的周期清洁后，导致晶圆镀膜情况发生变化的情况，通过基于靶材寿命和基于清洁周期内已完成工艺的晶圆数量的双重维度的工艺时间补偿，达到物理气相沉积系统在持续工艺过程中，每片晶圆镀膜保持较高均匀性的效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种半导体工艺设备的工艺补偿方法和一种半导体工艺设备。

技术介绍

1、物理气相沉积(physical vapor deposition，pvd)是一种半导体生产领域的一大重要镀膜技术。其主要是在真空环境下，采用物理方法将靶材气化或电离，并在目标基体表面沉积形成薄膜的技术。现已广泛应用于平板显示、半导体、太阳能电池、光学元器件等诸多行业。

2、由于工艺过程中需要不断轰击靶材，使靶材部分物质气化或电离，因此随着工艺的进行将导致靶材状态发生变化。现有技术中，为了保证每片晶圆镀膜效果一致，通常从靶材寿命的维度对工艺时间进行补偿，然而，这种方式仅仅解决了部分由于靶材变化导致的镀膜效果变化，并未考虑工艺过程的其它因素对镀膜效果的影响，这将导致补偿效果仍不够精确，各片晶圆的镀膜均匀性仍然有待提高

技术实现思路

1、鉴于上述问题，提出了本专利技术实施例以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种半导体工艺设备的工艺补偿方法和相应的一种半导体工艺设备装置。

2本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于半导体工艺设备的工艺补偿方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述设定工艺时间、所述靶材寿命信息和所述清洁周期内已完成工艺的晶圆数量信息，确定补偿后的工艺时间，包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述靶材寿命信息确定第一补偿系数，包括：

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述清洁周期内已完成工艺的晶圆数量信息确定第二补偿系数，包括：

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述设定工艺时间、所述第一补偿系数和所述第二补偿系数，确定所述补偿后的工...

【技术特征摘要】

1.一种用于半导体工艺设备的工艺补偿方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述设定工艺时间、所述靶材寿命信息和所述清洁周期内已完成工艺的晶圆数量信息，确定补偿后的工艺时间，包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述靶材寿命信息确定第一补偿系数，包括：

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述清洁周期内已完成工艺的晶圆数量信息确定...

【专利技术属性】
技术研发人员：高泽宇，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：