【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种半导体工艺设备的工艺补偿方法和一种半导体工艺设备。
技术介绍
1、物理气相沉积(physical vapor deposition，pvd)是一种半导体生产领域的一大重要镀膜技术。其主要是在真空环境下，采用物理方法将靶材气化或电离，并在目标基体表面沉积形成薄膜的技术。现已广泛应用于平板显示、半导体、太阳能电池、光学元器件等诸多行业。
2、由于工艺过程中需要不断轰击靶材，使靶材部分物质气化或电离，因此随着工艺的进行将导致靶材状态发生变化。现有技术中，为了保证每片晶圆镀膜效果一致，通常从靶材寿命的维度对工艺时间进行补偿，然而，这种方式仅仅解决了部分由于靶材变化导致的镀膜效果变化，并未考虑工艺过程的其它因素对镀膜效果的影响，这将导致补偿效果仍不够精确，各片晶圆的镀膜均匀性仍然有待提高
技术实现思路
1、鉴于上述问题，提出了本专利技术实施例以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种半导体工艺设备的工艺补偿方法和相应的一种半导体工艺设备装置。
2、为了解决上述问题，本专利技术实施例公开了一种半导体工艺设备的工艺补偿方法，包括：
3、获取当前工艺的设定工艺时间；
4、在开启工艺补偿功能的情况下，获取所述当前工艺所使用的靶材的靶材寿命信息和半导体工艺设备的清洁周期内已完成工艺的晶圆数量信息；
5、根据所述设定工艺时间、所述靶材寿命信息和所述清洁周期内已完成工艺的晶圆数量信息，确定补偿后的
6、可选地，所述根据所述设定工艺时间、所述靶材寿命信息和所述清洁周期内已完成工艺的晶圆数量信息，确定补偿后的工艺时间，包括：
7、根据所述靶材寿命信息确定第一补偿系数；
8、根据所述清洁周期内已完成工艺的晶圆数量信息确定第二补偿系数；
9、根据所述设定工艺时间、所述第一补偿系数和所述第二补偿系数，确定所述补偿后的工艺时间。
10、可选地，所述根据所述靶材寿命信息确定第一补偿系数，包括：
11、获取针对靶材寿命的第一关系式；其中，所述第一关系式为：t1＝(1+a*t+b*t2+c*t3)，t1为所述第一补偿系数，t为靶材寿命，a、b、c为靶材寿命t的系数；
12、根据所述靶材寿命信息和所述第一关系式，确定所述第一补偿系数。
13、可选地，所述根据所述清洁周期内已完成工艺的晶圆数量信息确定第二补偿系数，包括：
14、获取针对清洁周期的第二关系式；其中，所述第二关系式为：t2＝(1+d*w+e*w2+f*w3)，t2为所述第二补偿系数，w为所述清洁周期内已完成工艺的晶圆数量，d、e、f为所述清洁周期内已完成工艺的晶圆数量w的系数；
15、根据所述清洁周期内已完成工艺的晶圆数量信息和所述第二关系式，确定第二补偿信息。
16、可选地，所述根据所述设定工艺时间、所述第一补偿系数和所述第二补偿系数，确定所述补偿后的工艺时间，包括：
17、按照补偿计算公式，根据所述设定工艺时间、所述第一补偿系数和所述第二补偿系数，确定所述补偿后的工艺时间；所述补偿计算公式为
18、ta＝ts*t1*t2
19、其中，ta为所述补偿后的工艺时间；ts为所述设定工艺时间。
20、可选地，还包括：
21、获取不同靶材寿命下晶圆的薄膜沉积速率和预设晶圆镀膜厚度；
22、根据所述不同靶材寿命下的晶圆的薄膜沉积速率和所述预设晶圆镀膜厚度，得到所述晶圆在不同靶材寿命下达到所述预设晶圆镀膜厚度的工艺时间；
23、将所述不同靶材寿命和所述晶圆在不同靶材寿命下达到所述预设晶圆镀膜厚度的工艺时间进行拟合，得到所述针对靶材寿命的第一关系式。
24、可选地，还包括：
25、获取所述清洁周期内各晶圆的薄膜沉积速率和所述预设晶圆镀膜厚度；
26、根据所述清洁周期内各晶圆的薄膜沉积速率和所述预设晶圆镀膜厚度，得到所述清洁周期内各晶圆达到所述预设晶圆镀膜厚度的工艺时间；
27、将所述清洁周期内各晶圆达到所述预设晶圆镀膜厚度的工艺时间与所述清洁周期内已完成工艺的晶圆数量进行拟合，得到所述针对清洁周期的第二关系式。
28、可选地，还包括：
29、当满足预设条件，需要校正所述第一补偿系数和/或所述第二补偿系数时，关闭所述补偿功能；其中，所述预设条件包括靶材更换、工艺腔室调整。
30、本专利技术实施例还公开了一种半导体工艺设备，所述半导体工艺设备包括：
31、控制器，用于获取当前工艺的设定工艺时间；在开启工艺补偿功能的情况下，获取所述当前工艺所使用的靶材的靶材寿命信息和半导体工艺设备的清洁周期内已完成工艺的晶圆数量信息；根据所述设定工艺时间、所述靶材寿命信息和所述清洁周期内已完成工艺的晶圆数量信息，确定补偿后的工艺时间，并按照所述补偿后的工艺时间进行工艺。
32、可选地，所述控制器，用于根据所述靶材寿命信息确定第一补偿系数；根据所述清洁周期内已完成工艺的晶圆数量信息确定第二补偿系数；根据所述设定工艺时间、所述第一补偿系数和所述第二补偿系数，确定所述补偿后的工艺时间。
33、可选地，所述控制器，用于获取针对靶材寿命的第一关系式；其中，所述第一关系式为：t1＝(1+a*t+b*t2+c*t3)，t1为所述第一补偿系数，t为靶材寿命，a、b、c为靶材寿命t的系数；根据所述靶材寿命信息和所述第一关系式，确定所述第一补偿系数。
34、可选地，所述控制器，用于获取针对清洁周期的第二关系式；其中，所述第二关系式为：t2＝(1+d*w+e*w2+f*w3)，t2为所述第二补偿系数，w为所述清洁周期内已完成工艺的晶圆数量，d、e、f为所述清洁周期内已完成工艺的晶圆数量w的系数；根据所述清洁周期内已完成工艺的晶圆数量信息和所述第二关系式，确定第二补偿信息。
35、可选地，所述控制器，用于按照补偿计算公式，根据所述设定工艺时间、所述第一补偿系数和所述第二补偿系数，确定所述补偿后的工艺时间；所述补偿计算公式为：
36、ta＝ts*t1*t2
37、其中，ta为所述补偿后的工艺时间；ts为所述设定工艺时间。
38、可选地，所述控制器，还用于获取不同靶材寿命下晶圆的薄膜沉积速率和预设晶圆镀膜厚度；根据所述不同靶材寿命下的晶圆的薄膜沉积速率和所述预设晶圆镀膜厚度，得到所述晶圆在不同靶材寿命下达到所述预设晶圆镀膜厚度的工艺时间；将所述不同靶材寿命和所述晶圆在不同靶材寿命下达到所述预设晶圆镀膜厚度的工艺时间进行拟合，得到所述针对靶材寿命的第一关系式。
39、可选地，所述控制器，还用于获取所述清洁周期内各晶圆的薄膜沉积速率和所述预设晶圆镀膜厚度；根据所述清洁周期内各晶圆的薄膜沉积速率和所述预设晶圆镀膜厚度，得本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种用于半导体工艺设备的工艺补偿方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述设定工艺时间、所述靶材寿命信息和所述清洁周期内已完成工艺的晶圆数量信息，确定补偿后的工艺时间，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述靶材寿命信息确定第一补偿系数，包括：
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述清洁周期内已完成工艺的晶圆数量信息确定第二补偿系数，包括：
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述设定工艺时间、所述第一补偿系数和所述第二补偿系数，确定所述补偿后的工艺时间，包括：
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，还包括：
7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，还包括：
8.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括：
9.一种半导体工艺设备，其特征在于，所述半导体工艺设备包括：
【技术特征摘要】
1.一种用于半导体工艺设备的工艺补偿方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述设定工艺时间、所述靶材寿命信息和所述清洁周期内已完成工艺的晶圆数量信息，确定补偿后的工艺时间，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述靶材寿命信息确定第一补偿系数，包括：
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述清洁周期内已完成工艺的晶圆数量信息确定...
【专利技术属性】
技术研发人员：高泽宇，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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