工艺腔室、半导体工艺设备及其控制方法技术

本申请公开了一种工艺腔室、半导体工艺设备及其控制方法，涉及镀膜设备技术领域，所公开的工艺腔室包括腔室主体，腔室主体包括第一腔室和第二腔室，第二腔室设于第一腔室内，第二腔室用于容纳承载舟。通过在第一腔室内增设第二腔室，使得承载舟以及反应气体均被容置于第二腔室内，反应气体不易与第一腔室的内壁接触，从而对第一腔室实现保护，提升了工艺腔室的耐久性。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及镀膜设备，尤其涉及一种工艺腔室、半导体工艺设备及其控制方法。

技术介绍

1、pecvd(plasma-enhanced chemical vapor deposition，等离子体增强化学气相沉积)是半导体制造工艺中常用的薄膜材料制备方法，用于沉积二氧化硅、氮化硅等半导体材料。

2、在相关技术中，pecvd工艺需要在工艺腔室内进行，然而，在工艺过程中，工艺腔室内的反应气体不可避免的会对工艺腔室的内壁造成腐蚀、损坏，导致工艺腔室的耐久性降低。

技术实现思路

1、本申请公开一种工艺腔室、半导体工艺设备及其控制方法，以解决相关技术中，工艺腔室内的反应气体不可避免的会对工艺腔室的内壁造成腐蚀、损坏，导致工艺腔室的耐久性降低的问题。

2、为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：

3、第一方面，本申请实施例公开了一种工艺腔室，应用于半导体工艺设备，所述半导体工艺设备包括承载舟，所述工艺腔室包括腔室主体；

4、所述腔室主体包括第一腔室和第二腔室，所述第二腔室设于所本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种工艺腔室，应用于半导体工艺设备，所述半导体工艺设备包括承载舟(200)，其特征在于，所述工艺腔室(100)包括腔室主体(110)；

2.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述腔室主体(110)还包括支撑件(113)，所述支撑件(113)设于所述第一腔室(111)的内壁和所述第二腔室(112)的外壁之间，用于支撑所述第二腔室(112)。

3.根据权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，所述腔室主体(110)还包括隔热件(114)，所述隔热件(114)设于所述支撑件(113)和所述第二腔室(112)的外壁之间。

4.根据权利要求1所述的工艺腔...

【技术特征摘要】

1.一种工艺腔室，应用于半导体工艺设备，所述半导体工艺设备包括承载舟(200)，其特征在于，所述工艺腔室(100)包括腔室主体(110)；

2.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述腔室主体(110)还包括支撑件(113)，所述支撑件(113)设于所述第一腔室(111)的内壁和所述第二腔室(112)的外壁之间，用于支撑所述第二腔室(112)。

3.根据权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，所述腔室主体(110)还包括隔热件(114)，所述隔热件(114)设于所述支撑件(113)和所述第二腔室(112)的外壁之间。

4.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述第一腔室(111)的气压值不小于所述第二腔室(112)的气压值。

5.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括传送机构(120)、承载舟(200)和权利要求1-4任一项所述的工艺腔室(100)，所述传送机构(120)延伸至所述腔室主体(110)内，用于将所述承载舟(200)传输至所述腔室主体(110)中。

6.根据权利要求5所述的半导体工艺设备，其特征在于，还包括传感器组件(130)，所述传感器组件(130)分别设于所述传送机构(120)和所述腔室主体(110)的侧壁，用于检测所述承载舟(200)的位置信息。

7.根据权利要求6所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述传送机构(120)包括上料区(121)和设于所述上料区(121)的第一驱动机构(122)，所述上料区(121)位于所述腔室主体(110)外；

8.根据权利要求7所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述第一传感器组(131)包括姿态传感器(1311)和位移传感器(1312)，所述姿态传感器(1311)用于检测所述承载舟(200)是否发生偏移，所述位移传感器(1312)用于检测所述承载舟(200)的位移距离。

9.根据权利要求6所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述传感器组件(130)还包括设于所述腔室主体(110)的侧壁的第二传感器组(132)，所述传送机构(120)包括穿设于所述腔室主体(110)的第二驱动机构(123)，所述第二传感器组(132)用于检测所述承载舟(200)的位置信息，所述第二驱动机构(123)用于根据所述位置信息控制所述承载舟(200)的行进或停止。

10.根据权利要求9所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述第二传感器组(132)包括至少两个对射传感器(1321)，所述对射传感器(1321)包括发射端(1321a)和接收端(1321b)；

11.根据权利要求5所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述工艺腔室(100)设有对射传感器(1321)，所述对射传感器(1321)包括发射端(1321a)和接收端(1321b)；

12.根据权利要求11所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述套筒(133)包括第一套筒(1331)、第二套筒(1332)和第三套筒(1333)，所述第三套筒(1333)套设于所述第一套筒(1331)和所述第二套筒(1332)，且分别与所述第一套筒(1331)和所述第二套筒(1332)滑动连接；

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【专利技术属性】
技术研发人员：程勇杰，纪安宽，韦鑫锋，江伟，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：