本发明提供一种物料路径建立方法、物料调度方法及半导体工艺设备，该方法包括：获取工艺路径；工艺路径由物料在工艺过程中顺序经过的多个腔室构成；判断是否存在并行工艺腔室，在存在并行工艺腔室的情况下，将工艺路径拆分为基础路径和N个备用路径；其中...

本发明提供一种近腔室等离子体馈入装置、半导体工艺腔室和半导体工艺设备，该装置包括：边缘进气环，在边缘进气环中设置有环状空腔，用于与气源连接；多个进气组件，沿边缘进气环的内周分布，每个进气组件中均设置有进气通道，进气通道的进气口与环状空腔...

本申请公开了一种半导体工艺腔室及半导体处理设备，半导体工艺腔室包括：腔室本体；基座，设置于所述腔室本体内，用于承载晶圆；至少一个喷淋臂，设置于所述腔室本体内，用于在刻蚀时向所述晶圆喷射药液；内壁清洗件，设置于所述腔室本体内，用于在清洗时...

本技术提供一种磁控管组件及半导体工艺设备，磁控管组件包括：极性相反的内磁极和外磁极，外磁极环绕包围在内磁极的外侧，且内磁极的外侧面与外磁极的内表面之间无间隙接触。该磁控管的功率密度极大的提高，应用具备该磁控管组件的半导体工艺设备实施磁控...

本技术提供了一种承载装置和半导体工艺腔室，涉及半导体加工技术领域，以解决用于承载晶圆的承载装置产生的磁场较强的问题。承载装置包括陶瓷层，陶瓷层具有多个子加热区，每个子加热区各自独立遍布有加热丝；每个子加热区各自的加热丝的圈数为偶数，加热...

本申请公开了一种工艺腔室及半导体工艺设备，工艺腔室包括腔室本体，以及设置于所述腔室本体内的上电极组件和下电极组件，所述上电极组件和所述下电极组件之间形成工艺区；所述工艺腔室还包括：设置于所述上电极组件上方的磁性组件，所述磁性组件用于束缚...

本技术提供一种用于晶圆清洗装置的供液系统。供液系统用于向晶圆清洗装置提供第一预设温度的清洗液，供液系统包括：主管回路，清洗液在主管回路内循环流动；系统入口，系统入口连接于主管回路，系统入口用于向主管回路提供第二预设温度的清洗液；支路管道...

本发明实施例提供了一种半导体工艺的工艺配方执行方法和下位机。方法包括：获取工艺配方和补偿配方，其中，工艺配方包括工艺参数信息，补偿配方包括针对于至少一个腔室的工艺参数补偿信息；确定目标腔室；根据工艺配方中的工艺参数信息和补偿配方中针对于...

本发明实施例提供了一种数据管理方法、半导体设备，该方法应用于上位机，该方法包括：包括获取针对半导体设备存储的目标数据预先注册的数据配置信息；半导体设备包括上位机和/或下位机；根据数据配置信息，确定目标数据是否满足备份条件；当目标数据满足...

本发明提供一种半导体热处理设备气路系统及半导体热处理设备，包括进气模块和排气模块，排气模块中，尾气冷凝装置用于对工艺腔室排出的尾气进行冷凝；尾气冷凝装置的进气端用于与工艺腔室的排气口连接，排水端用于排出冷凝尾气产生的冷凝水；排气端与压力...

本发明实施例提供了一种脉冲电源和一种半导体工艺设备。该脉冲发生器包括：相位调节模块，用于接收同步脉冲信号，将所述同步脉冲信号进行相位调整，生成多组脉冲启动信号，所述脉冲启动信号的相位相错；功率输出模块，所述功率输出模块的信号输入端与所述...

本申请公开了一种温控电路及温控电路的故障检测方法，温控电路包括：电源、第一故障检测模块、信号输出模块、电路保护模块、调压器、负载以及控制模块；其中，电源、电路保护模块、调压器串联连接以形成用于向负载提供加热电压的供电回路，电路保护模块用...

本申请提供一种半导体设备及其顶盖装置通过支撑结构与工艺腔室的侧壁固定，且对顶盖进行支撑，驱动机构带动支撑结构升降，支撑结构能够托起顶盖，控制半导体工艺设备的工艺腔室开合。支撑结构承受顶盖的重力，驱动机构向上推动支撑结构，完成顶盖的开启，...

一种用于等离子体刻蚀的反应腔室及等离子体刻蚀方法，反应腔室包括：腔体、上电极、下电极、喷淋头和高密度等离子体发生装置，腔体内设有用于承载晶圆的下电极，腔体顶部设有与下电极相对设置的上电极，下电极和上电极用于在腔体内形成用于刻蚀晶圆的刻蚀...

本申请公开一种半导体热处理设备，所公开的半导体热处理设备包括圆筒状断热部、多个加热体和多个支撑装置，所述多个加热体在第一方向上排列在所述圆筒状断热部之内，且邻近所述圆筒状断热部的第一内壁，所述第一方向与所述圆筒状断热部的轴线相平行，所述...

本发明提供一种进气装置及半导体设备，进气主体设有出气端与半导体设备的工艺腔室连通多个出气道；装配主体设在进气主体上，装配主体设有进气端与气体源连通、出气端与多个出气道的进气端均连通的进气道；多个流量调节件均穿设于进气主体中且与多个出气道...

本申请公开了一种半导体工艺设备及其传输腔室，属于半导体工艺技术。该半导体工艺设备的传输腔室包括腔室主体、机械手以及环状体，机械手的固定端与腔室主体的底壁固定连接；环状体设置于腔室主体的底壁上，且环绕机械手的旋转轴组件设置；环状体内沿周向...

本申请公开了一种线圈的定位方法及半导体工艺设备，涉及半导体领域。一种线圈的定位方法包括：获取加热线圈及热场的初始相对位置；沿轴向方向移动加热线圈，当加热线圈的第一端移动至热场第一端时，记录加热线圈的中心距基准位置的第一距离；沿轴向方向移...

本发明提供一种半导体湿法工艺槽及半导体湿法工艺设备，半导体湿法工艺槽，用于对晶圆进行半导体湿法工艺，半导体湿法工艺槽包括槽体、至少一个输液部件和/或至少一个加热部件，输液部件设置在槽体内，并与槽体外的工艺液体源连通，用于向位于槽体内的晶...

本申请公开了一种半导体设备及其晶舟，该半导体设备的晶舟包括：副晶舟支架，用于在批量半导体工艺处理进行到预设进度时，同样以上下层叠方式支撑起多个晶圆，来使多个晶圆暂时脱离主晶舟支架，及在主晶舟支架转动第一预设角度后，进行复位操作以使多个晶...