本申请公开了一种线圈的定位方法及半导体工艺设备，涉及半导体领域。一种线圈的定位方法包括：获取加热线圈及热场的初始相对位置；沿轴向方向移动加热线圈，当加热线圈的第一端移动至热场第一端时，记录加热线圈的中心距基准位置的第一距离；沿轴向方向移动加热线圈，当加热线圈的第二端移动至热场第二端时，记录加热线圈的中心距基准位置的第二距离；根据第一距离、第二距离和加热线圈两端的轴向距离，获得加热线圈中心与热场中心的距离差；根据当前加热线圈与热场的相对位置以及距离差移动加热线圈，使加热线圈的中心与热场的中心对准。本申请能够解决人工操作方式无法准确地将线圈移动至热场中间位置等问题。
【技术实现步骤摘要】
本申请属于半导体，具体涉及一种线圈的定位方法及半导体工艺设备。
技术介绍
1、碳化硅长晶炉是一种通过物理气相传输法(pvt)制备碳化硅晶体的设备，将碳化硅粉料装入坩埚并放入热场中，使用两千摄氏度以上的高温加热坩埚，使粉料气化并沉积在坩埚内的籽晶上，经过长时间的生长最终形成碳化硅晶体。
2、常用的碳化硅长晶炉的加热方式包括感应式加热和电阻式加热，其中，感应式加热应用较为广泛。感应式加热是将线圈绕在热场周围，通过感应电源施加交变电压在线圈上，激发出交变的电磁场作用于热场，产生感应电流并以此进行加热。线圈作为加热模块的终端，对晶体生长的品质具有重要作用，因此，如何高效地使用线圈、并减少硬件误差较为关键。
3、当前，碳化硅长晶炉的线圈可以通过电机进行升降运动，以双线圈大尺寸长晶炉为例，为使线圈发出的能量均匀地耦合在整个热场，操作人员需要在每次装载热场后，操控上下线圈使其分别移动至两个热场的中间位置。然而，通过人工操作方式无法准确地将线圈移动至热场的中间位置，从而导致热场内温度分布不均，影响半导体产品的质量。
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【技术保护点】
1.一种线圈的定位方法，应用于半导体工艺设备，其特征在于，所述定位方法包括：
2.根据权利要求1所述的线圈的定位方法，其特征在于，在所述加热线圈(100)位于所述热场(300)范围之外，或者，所述加热线圈(100)的第一端位于所述热场(300)范围之外，所述加热线圈(100)的第二端位于所述热场(300)范围之内的情况下，在所述轴向方向上移动所述加热线圈(100)，当所述加热线圈(100)的第一端移动至所述热场(300)的第一端在所述轴向方向上的位置时，记录所述第一距离；
3.根据权利要求1所述的线圈的定位方法，其特征在于，在所述加热线圈(100)的第一端位于所述...
【技术特征摘要】
1.一种线圈的定位方法，应用于半导体工艺设备，其特征在于，所述定位方法包括：
2.根据权利要求1所述的线圈的定位方法，其特征在于，在所述加热线圈(100)位于所述热场(300)范围之外，或者，所述加热线圈(100)的第一端位于所述热场(300)范围之外，所述加热线圈(100)的第二端位于所述热场(300)范围之内的情况下，在所述轴向方向上移动所述加热线圈(100)，当所述加热线圈(100)的第一端移动至所述热场(300)的第一端在所述轴向方向上的位置时，记录所述第一距离；
3.根据权利要求1所述的线圈的定位方法，其特征在于，在所述加热线圈(100)的第一端位于所述热场(300)范围之内，所述加热线圈(100)的第二端位于所述热场(300)范围之外的情况下，在所述轴向方向上移动所述加热线圈(100)，当所述加热线圈(100)的第二端移动至所述热场(300)的第二端在所述轴向方向上的位置时，记录所述第二距离；
4.根据权利要求1所述的线圈的定位方法，其特征在于，在所述加热线圈(100)位于所述热场(300)范围之内的情况下，沿所述轴向方向的一侧移动所述加热线圈(100)，当所述加热线圈(100)的第一端移动至所述热场(300)的第一端在所述轴向方向上的位置时，记录所述第一距离；
5.根据权利要求1至4中任意...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨凯翼，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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