【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种顶盖装置。本申请还涉及一种包括上述顶盖装置的半导体设备。
技术介绍
1、近年来半导体行业发展迅速，其中超大规模集成电路的发展尤为突出。生产超大规模集成电路所需要的设备，例如原子层沉积设备、物理式真空镀膜设备、化学式真空镀膜设备、刻蚀设备等，均具有由腔室和腔室盖所围绕的反应环境。设备维护、调试需要频繁打开腔室盖，现有技术中，腔室盖通常一侧与腔室铰链连接，人员从另一侧推动腔室盖，实现腔室盖的开启。单片半导体设备腔室盖重量较轻，可采用人工开合。而多腔大产能的半导体设备往往腔室盖的重量较重、尺寸较大，受到重量和尺寸的限制，操作人员很难打开设备腔室盖，为设备维护调试带来了困难和不便。
2、现有技术中，部分设备通过电力推动腔室盖绕铰接轴旋转，实现腔室盖的开关。针对具有较大尺寸腔室盖的半导体设备，腔室盖采用旋转的方式开启后，会在设备上方占用较大空间，因此对厂房的高度要求较高。
3、因此，如何降低腔室盖开启对厂房的要求是本领域技术人员急需解决的技术问题。
技术实现思路
1、本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种半导体设备及其顶盖装置。
2、为实现本申请的目的而提供一种顶盖装置，用于开合半导体工艺设备的工艺腔室，包括顶盖、驱动机构、支撑结构，其中，
3、所述顶盖设置于所述工艺腔室的顶部；
4、所述支撑结构与所述工艺腔室的侧壁固定，且用于支撑所述顶盖；
5、所述驱动机构
6、在一些实施例中，所述支撑结构包括固定座和提升托板；
7、其中，所述固定座用于与所述工艺腔室的侧壁固定，所述固定座中具有沿靠近所述顶盖的方向贯穿的通孔，所述驱动机构穿过所述通孔向所述顶盖延伸；
8、所述提升托板设置于所述驱动机构的上端、用于支撑所述顶盖。
9、在一些实施例中，还包括限位结构，所述限位结构包括限位孔和限位柱，所述限位孔和限位柱中的一者设置在所述提升托板上，所述限位孔和限位柱中的另一者设置在所述顶盖上；所述限位柱穿设于所述限位孔中，且所述限位柱的外周面与所述限位孔的内周面相配合，用以在所述提升托板托起所述顶盖时，避免所述顶盖倾斜。
10、在一些实施例中，所述支撑结构的数量为两个以上，且对应所述顶盖周向上的不同位置处支撑所述顶盖，所述顶盖的重心位于各个所述支撑结构之间；
11、所述驱动机构的数量与所述支撑结构的数量相同，且各个所述驱动机构一一对应地驱动各个所述支撑结构升降。
12、在一些实施例中，还包括控制器，各个所述驱动机构均与所述控制器相连，所述控制器用于控制各个所述驱动机构以相同速度同步动作，带动各个所述支撑结构同步升降。
13、在一些实施例中，所述顶盖包括顶盖本体和凸块，所述凸块的数量为两个以上，其中，每个所述凸块位于所述顶盖本体的外周面，且与所述顶盖本体固定连接；
14、所述支撑结构的数量与所述凸块的数量相同，且各个所述支撑结构用于一一对应地支撑各个所述凸块。
15、在一些实施例中，所述顶盖本体为矩形，所述凸块为两个且在所述矩形的对角线所在方向上相对设置。
16、在一些实施例中，每个所述提升托板对应设置有两个以上所述限位结构。
17、在一些实施例中，还包括光电传感器和限位挡板，所述光电传感器与所述控制器相连；
18、所述光电传感器设置于预设高度处，所述限位挡板设置在所述支撑结构上，用于在所述支撑结构下降至停机高度时，遮挡所述光电传感器，所述控制器还用于在所述光电传感器被所述限位挡板遮挡时控制所述驱动机构停止；
19、所述停机高度小于支撑高度，所述支撑高度为所述支撑结构与所述顶盖贴合时的高度。
20、在一些实施例中，所述驱动机构包括电缸，所述电缸用于驱动所述支撑结构升降以带动所述顶盖升降至所述电缸行程范围内的任意位置；
21、所述电缸中设有丝杠，所述丝杠的上端与所述支撑结构连接，所述丝杠为滚珠丝杠或t型丝杠。
22、在一些实施例中，所述驱动机构包括气缸和控制阀，所述气缸的活塞上端与所述支撑结构相连，所述气缸为两根以上，各个所述气缸均与所述控制阀相连，所述控制阀用于控制所述气缸的伸出或缩回。
23、在一些实施例中，在所述限位孔中设置有直线轴承，所述限位柱与所述直线轴承相配合。
24、在一些实施例中，所述支撑结构用于支撑所述顶盖的支撑面上设有缓冲垫。
25、本申请还提供了一种半导体工艺设备，包括工艺腔室和上述任意一种所述的顶盖装置。
26、本申请具有以下有益效果：
27、本申请提供的顶盖装置通过支撑结构与工艺腔室的侧壁固定，且对顶盖进行支撑，驱动机构带动支撑结构升降，支撑结构能够托起顶盖，控制半导体工艺设备的工艺腔室开合。支撑结构承受顶盖的重力，驱动机构向上推动支撑结构，完成顶盖的开启，减少了顶盖开启时所占据的空间，进而降低了对厂房的要求。
28、另外，本申请还提供了一种包括上述顶盖装置的半导体工艺设备，并具有上述优点。
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1.一种顶盖装置，用于开合半导体工艺设备的工艺腔室，其特征在于，包括顶盖、驱动机构、支撑结构，其中，
2.根据权利要求1所述的顶盖装置，其特征在于，所述支撑结构包括固定座和提升托板；
3.根据权利要求2所述的顶盖装置，其特征在于，还包括限位结构，所述限位结构包括限位孔和限位柱，所述限位孔和限位柱中的一者设置在所述提升托板上，所述限位孔和限位柱中的另一者设置在所述顶盖上；所述限位柱穿设于所述限位孔中，且所述限位柱的外周面与所述限位孔的内周面相配合，用以在所述提升托板托起所述顶盖时，避免所述顶盖倾斜。
4.根据权利要求1所述的顶盖装置，其特征在于，所述支撑结构的数量为两个以上，且对应所述顶盖周向上的不同位置处支撑所述顶盖，所述顶盖的重心位于各个所述支撑结构之间；
5.根据权利要求4所述的顶盖装置，其特征在于，还包括控制器，各个所述驱动机构均与所述控制器相连，所述控制器用于控制各个所述驱动机构以相同速度同步动作，带动各个所述支撑结构同步升降。
6.根据权利要求5所述的顶盖装置，其特征在于，所述顶盖包括顶盖本体和凸块，所述凸块的
7.根据权利要求6所述的顶盖装置，其特征在于，所述顶盖本体为矩形，所述凸块为两个且在所述矩形的对角线所在方向上相对设置。
8.根据权利要求3所述的顶盖装置，其特征在于，每个所述提升托板对应设置有两个以上所述限位结构。
9.根据权利要求5所述的顶盖装置，其特征在于，还包括光电传感器和限位挡板，所述光电传感器与所述控制器相连；
10.根据权利要求1-9任意一项所述的顶盖装置，其特征在于，所述驱动机构包括电缸，所述电缸用于驱动所述支撑结构升降以带动所述顶盖升降至所述电缸行程范围内的任意位置；
11.根据权利要求1-9任意一项所述的顶盖装置，其特征在于，所述驱动机构包括气缸和控制阀，所述气缸的活塞上端与所述支撑结构相连，所述气缸为两根以上，各个所述气缸均与所述控制阀相连，所述控制阀用于控制所述气缸的伸出或缩回。
12.根据权利要求3所述的顶盖装置，其特征在于，在所述限位孔中设置有直线轴承，所述限位柱与所述直线轴承相配合。
13.根据权利要求1-9任意一项所述的顶盖装置，其特征在于，所述支撑结构用于支撑所述顶盖的支撑面上设有缓冲垫。
14.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括工艺腔室和权利要求1至13任意一项所述的顶盖装置。
...【技术特征摘要】
1.一种顶盖装置，用于开合半导体工艺设备的工艺腔室，其特征在于，包括顶盖、驱动机构、支撑结构，其中，
2.根据权利要求1所述的顶盖装置，其特征在于，所述支撑结构包括固定座和提升托板；
3.根据权利要求2所述的顶盖装置，其特征在于，还包括限位结构，所述限位结构包括限位孔和限位柱，所述限位孔和限位柱中的一者设置在所述提升托板上，所述限位孔和限位柱中的另一者设置在所述顶盖上；所述限位柱穿设于所述限位孔中，且所述限位柱的外周面与所述限位孔的内周面相配合，用以在所述提升托板托起所述顶盖时，避免所述顶盖倾斜。
4.根据权利要求1所述的顶盖装置，其特征在于，所述支撑结构的数量为两个以上，且对应所述顶盖周向上的不同位置处支撑所述顶盖，所述顶盖的重心位于各个所述支撑结构之间；
5.根据权利要求4所述的顶盖装置，其特征在于，还包括控制器，各个所述驱动机构均与所述控制器相连，所述控制器用于控制各个所述驱动机构以相同速度同步动作，带动各个所述支撑结构同步升降。
6.根据权利要求5所述的顶盖装置，其特征在于，所述顶盖包括顶盖本体和凸块，所述凸块的数量为两个以上，其中，每个所述凸块位于所述顶盖本体的外周面，且与所述顶盖本体固定连接；
7.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：王勇飞，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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