【技术实现步骤摘要】
本申请属于半导体工艺，尤其涉及一种半导体设备及其晶舟。
技术介绍
1、诸如立式炉等半导体设备中的晶舟将所有晶圆悬置于工艺气体当中进行批量处理，故晶圆的晶边也会与晶圆表面一同实现sin成膜。但是，成膜期间晶圆的晶边与晶舟支架一直保持接触状态，接触点因为遮挡了反应气体，所以将导致该位置无法形成薄膜，进而发生晶边局部的薄膜缺失。如果遗留这种晶边状态进入到后续制程中的某些湿法清洗处理的时候，有可能发生不可预测的晶边薄膜剥落，这会提高颗粒污染的隐患，最终影响器件良率。
2、现有技术中，针对晶边的局部薄膜缺失的问题，一般是通过追加晶边处理制程来改善的。一种晶边处理制程是晶边刻蚀工艺，通过晶边刻蚀把晶边区域存在隐患的薄膜去除，使得晶边恢复到衬底状态，而又不影响裸晶内有效器件区域，是比较安全稳妥的手段。另一种晶边处理制程是通过晶边成膜形成一种起到保护作用的晶边薄膜。此薄膜覆盖住整个晶边，包括原本晶边缺失薄膜的部位。此晶边成膜的范围不会进入裸晶有效区域，故不会对制程造成直接影响，是可以采用的手段。但无论采用追加何种晶边处理制程来处理晶边的局部...
【技术保护点】
1.一种半导体设备的晶舟，用于在工艺腔室中同时装载多个晶圆，以进行批量半导体工艺处理，其特征在于，所述晶舟包括：
2.根据权利要求1所述的晶舟，其特征在于，所述副晶舟支架包括环绕所述主晶舟支架设置的多个副晶柱组件，每一所述副晶柱组件包括副晶柱本体、多个第一晶圆支撑体、驱动所述副晶柱本体转动的副晶柱转动结构以及驱动所述副晶柱本体升降的副晶柱升降结构，所述多个第一晶圆支撑体与所述多个晶圆一一对应设置，并沿所述副晶柱本体的长度方向等间隔依次设置在所述副晶柱本体上。
3.根据权利要求2所述的晶舟，其特征在于，所述副晶舟支架包括三个所述副晶柱组件，且三个...
【技术特征摘要】
1.一种半导体设备的晶舟，用于在工艺腔室中同时装载多个晶圆，以进行批量半导体工艺处理，其特征在于，所述晶舟包括：
2.根据权利要求1所述的晶舟，其特征在于，所述副晶舟支架包括环绕所述主晶舟支架设置的多个副晶柱组件，每一所述副晶柱组件包括副晶柱本体、多个第一晶圆支撑体、驱动所述副晶柱本体转动的副晶柱转动结构以及驱动所述副晶柱本体升降的副晶柱升降结构，所述多个第一晶圆支撑体与所述多个晶圆一一对应设置，并沿所述副晶柱本体的长度方向等间隔依次设置在所述副晶柱本体上。
3.根据权利要求2所述的晶舟，其特征在于，所述副晶舟支架包括三个所述副晶柱组件，且三个所述副晶柱组件呈三角形分布，并环绕所述主晶舟支架设置。
4.根据权利要求2所述的晶舟，其特征在于，所述副晶柱本体的底端安设在所述工艺腔室底部的腔室工艺门上，且所述副晶柱本体的底端与所述腔室工艺门之间的缝隙通过磁流体密封结构进行密封设置。
5.根据权利要求2所述的晶舟，其特征在于，所述副晶柱升降结构包括驱动所述副晶柱本体在预设行程内进行升降的升降动力气缸，所述预设行程为1mm～3mm。
6.根据权利要求2所述的晶舟，其特征在于，所述主晶舟支架包括晶舟底座、多个主晶柱组件以及驱动所述晶舟底座转动的底座转动结构，所述多个主晶柱组件沿所述晶舟底座的周向等间隔安设在所述晶舟底座上，每一所述主晶柱组件包括主晶柱本体以及多个第二晶圆支撑体，所述多个第二晶圆...
【专利技术属性】
技术研发人员：卢翌，孙妍，史小平，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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