【技术实现步骤摘要】
本申请属于半导体热处理设备设计，具体涉及一种半导体热处理设备。
技术介绍
1、在集成电路制造过程中，氧化、退火以及薄膜生长等工艺均需要在一定的温度下进行，从而使得半导体热处理设备成为集成电路制造的重要热处理设备之一，加热体作为半导体热处理设备的核心部件，主要用于加热。在相关技术中，利用数量较多的u型插销和插销固定件直接将加热体固定在断热部上，且u型插销和插销固定件之间采用焊接的方式实现连接，从而使得加热体的固定需要耗费较多的装配时间，并且，上述固定加热体的方式使得断热部直接作为加热体的支撑件，而硅酸铝盐材质的断热部的硬度和强度均较低，即断热部的质地较脆，加热体与u型插销之间的应力均直接作用在断热部上，进而导致断热部容易发生断裂。
技术实现思路
1、本申请实施例的目的是公开一种半导体热处理设备，所公开的半导体热处理设备能够解决
技术介绍
中所述的固定加热体的时间较长以及断热部容易发生断裂的问题。
2、为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：
3、第一方面，本申请公开一种...
【技术保护点】
1.一种半导体热处理设备，其特征在于，包括圆筒状断热部(100)、多个加热体(200)和多个支撑装置(300)，所述多个加热体(200)在第一方向上排列在所述圆筒状断热部(100)之内，且邻近所述圆筒状断热部(100)的第一内壁，所述第一方向与所述圆筒状断热部(100)的轴线相平行，所述多个支撑装置(300)沿所述圆周方向间隔分布，每个所述支撑装置(300)设有沿所述第一方向排列的多个支撑槽(311)，所述加热体(200)支撑于所述多个支撑装置(300)的位于所述圆筒状断热部(100)同一高度的所述支撑槽(311)内，所述加热体(200)与所述支撑槽(311)的邻近所...
【技术特征摘要】
1.一种半导体热处理设备，其特征在于，包括圆筒状断热部(100)、多个加热体(200)和多个支撑装置(300)，所述多个加热体(200)在第一方向上排列在所述圆筒状断热部(100)之内，且邻近所述圆筒状断热部(100)的第一内壁，所述第一方向与所述圆筒状断热部(100)的轴线相平行，所述多个支撑装置(300)沿所述圆周方向间隔分布，每个所述支撑装置(300)设有沿所述第一方向排列的多个支撑槽(311)，所述加热体(200)支撑于所述多个支撑装置(300)的位于所述圆筒状断热部(100)同一高度的所述支撑槽(311)内，所述加热体(200)与所述支撑槽(311)的邻近所述圆筒状断热部(100)的轴线的第二内壁(312)限位配合，以使相应的所述加热体(200)沿所述圆筒状断热部(100)的所述圆周方向延伸。
2.根据权利要求1所述的半导体热处理设备，其特征在于，所述半导体热处理设备还包括第一环状基部(410)和第二环状基部(420)，所述第一环状基部(410)和所述第二环状基部(420)分别邻近所述圆筒状断热部(100)的两端，且与所述圆筒状断热部(100)同轴，所述多个支撑装置(300)均连接于所述第一环状基部(410)和所述第二环状基部(420)之间。
3.根据权利要求2所述的半导体热处理设备，其特征在于，每个所述支撑装置(300)包括沿所述第一方向逐个拼接形成一列的多个支撑单体(310)，每个所述支撑单体(310)均设有所述支撑槽(311)，位于所述支撑装置(300)的两端的两个所述支撑单体(310)分别与所述第一环状基部(410)和所述第二环状基部(420)相连。
4.根据权利要求3所述的半导体热处理设备，其特征在于，所述支撑单体(310)包括支撑部分(313)、约束部分(314)和连接部分(315)，所述支撑部分(313)连接于所述约束部分(314)和所述连接部分(315)之间，以围成所述支撑槽(311)，所述支撑部分(313)形成所述支撑槽(311)的底壁，所述支撑槽(311)的底壁与相应的所述加热体(200)支撑配合，所述约束部分(314)的朝向所述连接部分(315)的表面为所述第二内壁(312)，所述约束部分(314)位于所述圆筒状断热部(100)之内，所述连接部分(315)位于所述圆筒状断热部(100)之外，相邻的所述支撑单体(310)通过各自的所述连接部分(315)相连，位于所述支撑装置(300)的端部的所述支撑单体(310)的所述连接部分(315)与所述第一环状基部(410)或所述第二环状基部(420)相连，所述圆筒状断热部(100)设有与所述支撑部分(313...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡帅帅，刘红丽，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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