【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种半导体工艺的工艺配方执行方法和下位机。
技术介绍
1、半导体设备中通常包括多种工艺腔室，例如刻蚀腔室(alc腔室)、外延腔室(epi腔室)等，而同类型的腔室会公用一套配方模板，即同一个工艺配方可以在同类型的多个腔室中运行。因此，当同一个工艺配方在同类型但不同腔室中运行时，由于各个腔室本身的硬件结构必然存在一定的差异性，导致工艺配方在各个腔室的执行结果会有稍许的偏差。
技术实现思路
1、鉴于上述问题，提出了本专利技术实施例以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种半导体工艺的工艺配方执行方法和下位机。
2、第一方面，本专利技术实施例公开了一种半导体工艺的工艺配方执行方法，所述方法包括：
3、获取工艺配方，所述工艺配方包括工艺参数信息；
4、获取补偿配方，所述补偿配方包括针对于至少一个腔室的工艺参数补偿信息；
5、确定目标腔室；
6、根据所述工艺配方中的工艺参数信息和所述补偿配方中针对...
【技术保护点】
1.一种半导体工艺的工艺配方执行方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述工艺参数信息包括工艺参数名称和与所述工艺参数名称对应的工艺参数值，所述工艺参数补偿信息包括工艺参数名称和与所述工艺参数名称对应的工艺参数补偿值，所述根据所述工艺配方中的工艺参数信息和所述补偿配方中针对于所述目标腔室的工艺参数补偿信息，确定目标工艺参数，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述工艺参数信息包括工艺参数名称和与所述工艺参数名称对应的工艺参数值，所述工艺参数补偿信息包括工艺参数名称和与所述工艺参数名称对应的工艺...
【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺的工艺配方执行方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述工艺参数信息包括工艺参数名称和与所述工艺参数名称对应的工艺参数值，所述工艺参数补偿信息包括工艺参数名称和与所述工艺参数名称对应的工艺参数补偿值，所述根据所述工艺配方中的工艺参数信息和所述补偿配方中针对于所述目标腔室的工艺参数补偿信息，确定目标工艺参数，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述工艺参数信息包括工艺参数名称和与所述工艺参数名称对应的工艺参数值，所述工艺参数补偿信息包括工艺参数名称和与所述工艺参数名称对应的工艺参数补偿百分比，所述根据所述工艺配方中的工艺参数信息和所述补偿配方中针对于所述目标腔室的工艺参数补偿信息，确定目标工艺参数，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：宋凯，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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