【技术实现步骤摘要】
本申请属于半导体工艺设备设计，具体涉及一种晶圆承载装置及半导体工艺设备。
技术介绍
1、晶圆承载装置是半导体工艺设备中较为重要的组成部分，用以在半导体工艺设备进行工艺时支撑晶圆。晶圆承载装置的基座设有冷媒通道。在具体的工作过程中，冷媒通道内通有冷媒(例如冷却水)以调节晶圆承载装置的温度均匀性。
2、但是，基座还发挥接收射频电流的功能。相关技术涉及的晶圆承载装置中，馈电部插接在基座的中心，经过调制的射频电流通过馈电部最终输入到基座的中心位置，从而确保射频导入质量。在此种情况下，为了避让馈电部，相关技术涉及的晶圆承载装置将冷媒进口和冷媒出口开设在基座的边缘。我们知道，晶圆承载装置在使用时需要其圆周方向的温度一致，而冷媒从冷媒进口进入到冷媒通道内时其自身的压力会冲击冷媒通道的内壁，进而造成冷媒进口位置的传热效率显著较高，从而形成一个局部低温区域。由于冷媒进口位于较大的径向尺寸的圆周上，因此同一圆周上的其它区域的热量因为距离较远而无法及时传递过来，进而较容易形成一个较大的温度梯度，最终无法满足圆周方向的温度一致性。
【技术保护点】
1.一种晶圆承载装置，其特征在于，包括基座(100)、馈电部(210)和第一转接件(300)，其中：
2.根据权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述馈电部(210)包括馈电管，所述晶圆承载装置还包括通电层(510)和供电线缆(520)，所述通电层(510)设于所述基座(100)的背向所述第一转接件(300)的表面，所述供电线缆(520)穿设在所述馈电管中，所述供电线缆(520)的端部伸出所述馈电管之外，且与所述通电层(510)电连接。
3.根据权利要求2所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述通电层(510)包括叠置于所述基座(100)上的
【技术特征摘要】
1.一种晶圆承载装置，其特征在于，包括基座(100)、馈电部(210)和第一转接件(300)，其中：
2.根据权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述馈电部(210)包括馈电管，所述晶圆承载装置还包括通电层(510)和供电线缆(520)，所述通电层(510)设于所述基座(100)的背向所述第一转接件(300)的表面，所述供电线缆(520)穿设在所述馈电管中，所述供电线缆(520)的端部伸出所述馈电管之外，且与所述通电层(510)电连接。
3.根据权利要求2所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述通电层(510)包括叠置于所述基座(100)上的至少一个功能层；
4.根据权利要求3所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述第一电连接部(610)和所述第二电连接部(620)为电连接端子，所述第三电连接部为插座，所述第二电连接部(620)伸至所述中心孔(311)中以与所述供电线缆(520)电连接。
5.根据权利要求3所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述至少一个功能层包括依次叠置于所述基座(100)上的电加热层(511)和电吸附层(512)，所述供电线缆(520)包括第一子线缆和第二子线缆，
6.根据权利要求3所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述第二转接件(600)还包括绝缘板(630)及埋设于所述绝缘板(630)之内的线路(640)，所述第一电连接部(610)通过所述线路(640)与所述第二电连接部(620)电连接。
7.根据权利要求6所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述第一转接件(300)设有凹槽，所述第一转接件(300)的开设所述凹槽的槽口的表面为所述环状电连接面(312)；所述中心孔(311)设于所述凹槽的与所述槽口相对的底壁上，所述绝缘板(630)设于所述凹槽之内。
8.根据权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述晶圆承载装置还包括绝缘环(700)，所述绝缘环(700)的邻近所述基座(100)的端部的内侧边缘设有环状沉台(710)，所述第一转接件(300)的边缘开设有...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴东煜，刘晓行，韦刚，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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