【技术实现步骤摘要】
本申请属于半导体工艺设备设计，具体涉及一种晶圆承载装置及半导体工艺设备。
技术介绍
1、晶圆承载装置是半导体工艺设备中较为重要的组成部分，用以在半导体工艺设备进行工艺时支撑晶圆。晶圆承载装置的基座设有冷媒通道。在具体的工作过程中，冷媒通道内通有冷媒(例如冷却水)以调节晶圆承载装置的温度均匀性。
2、但是，基座还发挥接收射频电流的功能。相关技术涉及的晶圆承载装置中，馈电部插接在基座的中心，经过调制的射频电流通过馈电部最终输入到基座的中心位置，从而确保射频导入质量。在此种情况下，为了避让馈电部，相关技术涉及的晶圆承载装置将冷媒进口和冷媒出口开设在基座的边缘。我们知道，晶圆承载装置在使用时需要其圆周方向的温度一致，而冷媒从冷媒进口进入到冷媒通道内时其自身的压力会冲击冷媒通道的内壁，进而造成冷媒进口位置的传热效率显著较高，从而形成一个局部低温区域。由于冷媒进口位于较大的径向尺寸的圆周上，因此同一圆周上的其它区域的热量因为距离较远而无法及时传递过来，进而较容易形成一个较大的温度梯度，最终无法满足圆周方向的温度一致性。
技术实现思路
1、本专利技术公开一种晶圆承载装置，以解决相关技术中涉及的晶圆承载装置存在圆周方向的温度均匀性较差的问题。
2、为了解决上述技术问题，本专利技术提供如下技术方案：
3、第一方面，本申请实施例公开一种晶圆承载装置，包括基座、馈电部和第一转接件，其中：
4、所述第一转接件设有中心孔和环状电连接面，所述环状电连接面环绕所述
5、第二方面，本申请实施例公开一种晶圆承载装置，包括基座、第一转接件、冷媒输入管道和冷媒输出管道，其中：
6、所述基座设有冷媒通道，所述冷媒通道具有冷媒进口和冷媒出口，所述冷媒进口和冷媒出口设在所述基座的朝向所述第一转接件的表面，且邻近所述基座的中心设置；
7、所述第一转接件设有第一衔接通道和第二衔接通道，所述第一衔接通道连通所述冷媒进口和所述冷媒输入管道，所述第二衔接通道连通所述冷媒出口和所述冷媒输出管道；
8、所述第一衔接通道的与所述冷媒输入管道连接的端口邻近所述第一转接件的边缘，所述第一衔接通道的与所述冷媒进口连接的端口邻近所述第一转接件的中心，且与所述冷媒进口相对；
9、所述第二衔接通道的与所述冷媒输出管道连接的端口邻近所述第一转接件的边缘，所述第二衔接通道的与所述冷媒出口连接的端口邻近所述第一转接件的中心，且与所述冷媒出口相对。
10、第三方面，本申请实施例公开一种半导体工艺设备，包括上文所述的晶圆承载装置。
11、本专利技术采用的技术方案能够达到以下技术效果：
12、本申请实施例公开的晶圆承载装置通过对相关技术涉及的晶圆承载装置的结构进行改进，改变了从基座的中心输入射频的方式，使得射频能够从第一转接件上环绕中心孔的环状电连接面输入到基座中。在此种情况下，相当于从基座的围绕其中心的部位输入射频，从而无需从基座的中心将射频输入到基座中，因此能够避免对基座的中心的占用，使得基座的中心具有空闲的区域，进而能够使得冷媒进口和冷媒出口能够邻近基座的中心设置，从而能够缓解相关技术中冷媒进口和冷媒出口由于冷却基座的中心连接馈电部，而无法邻近基座的中心设置所存在的弊端，使得晶圆承载装置在圆周方向的温度均匀性能够得以提升。
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1.一种晶圆承载装置，其特征在于，包括基座(100)、馈电部(210)和第一转接件(300)，其中：
2.根据权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述馈电部(210)包括馈电管，所述晶圆承载装置还包括通电层(510)和供电线缆(520)，所述通电层(510)设于所述基座(100)的背向所述第一转接件(300)的表面，所述供电线缆(520)穿设在所述馈电管中，所述供电线缆(520)的端部伸出所述馈电管之外，且与所述通电层(510)电连接。
3.根据权利要求2所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述通电层(510)包括叠置于所述基座(100)上的至少一个功能层；
4.根据权利要求3所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述第一电连接部(610)和所述第二电连接部(620)为电连接端子，所述第三电连接部为插座，所述第二电连接部(620)伸至所述中心孔(311)中以与所述供电线缆(520)电连接。
5.根据权利要求3所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述至少一个功能层包括依次叠置于所述基座(100)上的电加热层(511)和电吸附层(512)，所述
6.根据权利要求3所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述第二转接件(600)还包括绝缘板(630)及埋设于所述绝缘板(630)之内的线路(640)，所述第一电连接部(610)通过所述线路(640)与所述第二电连接部(620)电连接。
7.根据权利要求6所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述第一转接件(300)设有凹槽，所述第一转接件(300)的开设所述凹槽的槽口的表面为所述环状电连接面(312)；所述中心孔(311)设于所述凹槽的与所述槽口相对的底壁上，所述绝缘板(630)设于所述凹槽之内。
8.根据权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述晶圆承载装置还包括绝缘环(700)，所述绝缘环(700)的邻近所述基座(100)的端部的内侧边缘设有环状沉台(710)，所述第一转接件(300)的边缘开设有搭接台阶面(315)，所述搭接台阶面(315)和所述环状沉台(710)搭接配合，且所述绝缘环(700)的邻近所述基座(100)的端部的端面与所述环状电连接面(312)均与所述基座(100)支撑配合。
9.根据权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述第一转接件(300)包括转接基部(310)和环状凸起(320)，所述环状凸起(320)设于所述转接基部(310)的边缘，所述中心孔(311)设于所述转接基部(310)，所述环状凸起(320)围绕所述中心孔(311)设置，所述环状凸起(320)的背向所述转接基部(310)的环状端面为所述环状电连接面(312)。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述基座(100)设有冷媒通道(110)，所述冷媒通道(110)具有冷媒进口(111)和冷媒出口(112)，所述冷媒进口(111)和所述冷媒出口(112)设在所述基座(100)的朝向所述第一转接件(300)的表面，且邻近所述基座(100)的中心设置；所述晶圆承载装置还包括冷媒输入管道(410)和冷媒输出管道(420)；
11.一种晶圆承载装置，其特征在于，包括基座(100)、第一转接件(300)、冷媒输入管道(410)和冷媒输出管道(420)，其中：
12.根据权利要求11所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述第一衔接通道(313)的与所述冷媒输入管道(410)连接的端口，以及，所述第二衔接通道(314)的与所述冷媒输出管道(420)连接的端口均开设在所述第一转接件(300)的背向所述冷却基座(100)的表面。
13.根据权利要求11所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述第一转接件(300)设有中心孔(311)和环状电连接面(312)，所述环状电连接面(312)环绕所述中心孔(311)设置；所述晶圆承载装置还包括馈电部(210)；
14.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括权利要求1至10中任一项所述的晶圆承载装置，或，权利要求11至13中任一项所述的晶圆承载装置。
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆承载装置，其特征在于，包括基座(100)、馈电部(210)和第一转接件(300)，其中：
2.根据权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述馈电部(210)包括馈电管，所述晶圆承载装置还包括通电层(510)和供电线缆(520)，所述通电层(510)设于所述基座(100)的背向所述第一转接件(300)的表面，所述供电线缆(520)穿设在所述馈电管中，所述供电线缆(520)的端部伸出所述馈电管之外，且与所述通电层(510)电连接。
3.根据权利要求2所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述通电层(510)包括叠置于所述基座(100)上的至少一个功能层；
4.根据权利要求3所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述第一电连接部(610)和所述第二电连接部(620)为电连接端子，所述第三电连接部为插座，所述第二电连接部(620)伸至所述中心孔(311)中以与所述供电线缆(520)电连接。
5.根据权利要求3所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述至少一个功能层包括依次叠置于所述基座(100)上的电加热层(511)和电吸附层(512)，所述供电线缆(520)包括第一子线缆和第二子线缆，
6.根据权利要求3所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述第二转接件(600)还包括绝缘板(630)及埋设于所述绝缘板(630)之内的线路(640)，所述第一电连接部(610)通过所述线路(640)与所述第二电连接部(620)电连接。
7.根据权利要求6所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述第一转接件(300)设有凹槽，所述第一转接件(300)的开设所述凹槽的槽口的表面为所述环状电连接面(312)；所述中心孔(311)设于所述凹槽的与所述槽口相对的底壁上，所述绝缘板(630)设于所述凹槽之内。
8.根据权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述晶圆承载装置还包括绝缘环(700)，所述绝缘环(700)的邻近所述基座(100)的端部的内侧边缘设有环状沉台(710)，所述第一转接件(300)的边缘开设有...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴东煜，刘晓行，韦刚，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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