【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及封装件以及制造封装件的方法。
技术介绍
1、在配备有一个或更多个部件的部件承载件的产品功能不断增多和这种部件的日益小型化以及要连接至部件承载件诸如印刷电路板上的部件的数量不断增加的背景下，正在采用具有多个部件的越来越强大的阵列状部件或封装件，该阵列状部件或封装件具有多个接触部或连接部，其中，这些接触部之间的间隔越来越小。特别地，部件承载件应当是在机械方面稳固的且在电气方面可靠的，以便能够操作，即使在恶劣条件下也能够操作。
2、形成部件承载件型封装件的传统方法仍然具有挑战性。
技术实现思路
1、可能需要形成紧凑且可靠的封装件。
2、根据本专利技术的示例性实施方式，提供了一种封装件，所述封装件包括：无机承载件本体，所述无机承载件本体具有腔；有机集成电路基板，所述有机集成电路基板嵌入在承载件本体的腔中；以及再分布结构，所述再分布结构部分地形成在承载件本体上和/或承载件本体上方，以及所述再分布结构部分地形成在集成电路基板上和/或集成电路基板中。
3、根据本专利技术的另一示例性实施方式，提供一种制造封装件的方法，其中，该方法包括：提供无机承载件本体，所述无机承载件本体具有腔；在承载件本体的腔中嵌入有机集成电路基板；以及在承载件本体上和/或承载件本体上方部分地形成再分布结构，以及在集成电路基板上和/或集成电路基板中部分地形成再分布结构。
4、在本申请的上下文中，术语“封装件”可以特别地表示能够在其上和/或其中容纳用于提供机械支撑和/
5、在本申请的上下文中，术语“无机承载件本体”可以特别地表示包括无机材料的封装件的承载件结构。特别地，无机承载件本体的介电材料或者甚至整个无机承载件本体可以排他性地由无机材料制成或至少基本上排他性地由无机材料制成。在另一实施方式中，无机承载件本体可包含无机介电材料以及附加地另一介电材料和/或其他无机材料。无机化合物可以是不含碳-氢键的化学化合物或不是有机化合物的化学化合物。无机承载件本体材料的示例是玻璃(特别是硅基玻璃)、陶瓷(诸如铝氮化物和/或铝氧化物)以及包含半导体的材料(诸如硅氧化物、硅、硅碳化物、镓氮化物等)。
6、在本申请的上下文中，术语“集成电路基板”(ic基板)可以特别地表示具有根据安装在其上的集成电路部件(特别是半导体芯片)的要求而调整的尺寸和间距的部件承载件。相对于pcb而言，ic基板可以是相对较小的部件承载件，在该部件承载件上可以安装有一个或更多个集成电路部件并且该部件承载件可以用作一个或更多个芯片与pcb之间的连接体。例如，ic基板可以具有与待安装在该ic基板上的电子部件基本上相同的尺寸(例如在芯片级封装(csp)的情况下)。在另一实施方式中，ic基板可以大于指定的部件(例如在倒装芯片球栅阵列(fcbga)构型中)。更具体地，ic基板可以被理解为这样的承载件：用于电连接件或电网的承载件以及与印刷电路板(pcb)相当但具有相当高密度的横向和/或竖向布置的连接件的部件承载件。横向连接件例如是传导路径，而竖向连接件可以是例如钻孔。这些横向连接件和/或竖向连接件布置在ic基板内并且可以用于提供已容置部件或未容置部件(比如裸晶片)、特别是ic芯片与印刷电路板或中间印刷电路板的电连接、热连接和/或机械连接。ic基板的介电部分可以包括具有增强颗粒(比如，增强球状件，特别是玻璃球状件)的树脂。ic基板的间距，即两个相邻金属结构的对应边缘之间的距离可以不大于120μm，特别地，不大于100μm。与此相反，pcb的间距可以是至少200μm，特别地，至少300μm。
7、在本申请的上下文中，术语“腔”可以特别地表示无机承载件本体中的盲孔或通孔，所述盲孔或通孔的形状和尺寸被设置成用于在其中完全或部分地容纳有机集成电路基板。
8、在本申请的上下文中，术语“有机集成电路基板”可以特别地表示包含具有有机化合物的介电材料的块状、条状或板状结构。特别地，有机集成电路基板的介电材料可以排他性地或至少基本上排他性地由有机材料制成。在另一实施方式中，有机集成电路基板可以包括有机介电材料和/或附加地另一种介电材料。有机化合物可以是含有碳-氢键的化合物。例如，有机集成电路基板可以包括有机树脂材料、环氧树脂材料等。特别地，集成电路(ic)基板电介质可以是用于有机集成电路基板的电介质。此外，所述有机集成电路基板附加地包括至少一个电传导竖向贯通连接件和/或电传导水平连接件。
9、在本申请的上下文中，术语“嵌入式”可以特别地表示完全嵌入式或仅部分地嵌入式。在完全嵌入式的实施方式中，有机集成电路基板的上端部和下端部之间的整个竖向空间范围位于无机承载件本体内部。在一个实施方式中，至少部分地嵌入式的有机集成电路基板的上端部可以与无机承载件本体的上部主表面对准以及/或者至少部分地嵌入式的有机集成电路基板的下端部可以与无机承载件本体的下部主表面对准。在另一实施方式中，至少部分地嵌入式的有机集成电路基板的上端部可以位于无机承载件本体的上部主表面下方以及/或者至少部分地嵌入式的有机集成电路基板的下端部可以位于无机承载件本体的下部主表面上方。然而，有机集成电路基板的上端部部分也可以竖向地突出到无机承载件本体的上部主表面之外以及/或者有机集成电路基板的下端部部分可以竖向地突出到无机承载件本体的上部主表面下方。
10、在本申请的上下文中，术语“再分布结构”可以特别地表示介电基体中的多个图案化电传导层结构，其包括与具有较大间距的另一部分相比具有较小间距的部分。间距可以表示相邻的电传导结构(例如布线元件或端子)之间的特征距离。特别地，间距可以表示半导体芯片的电传导结构(例如垫或迹线)之间的距离。通过提供具有不同间距的空间上间隔开区域，再分布结构可以是较大尺寸电连接结构(特别是涉及部件承载件技术，更特别地印刷电路板技术或集成电路基板技术)与较小尺寸电连接结构(特别是涉及半导体芯片技术，其中，可连接部件可以是半导体芯片)之间的电接口。特别地，与在具有较大间距的另一区域中相比，在具有较小间距的区域中每面积的电传导结构的数目可以较大。具有较大间距的区域可以布置在集成电路基板所在的位置，而具有较小间距的区域可以布置在封装件的外围或封装件的其中部件待电连接的外部区域。再分布结构本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种封装件(100)，包括：
2.根据权利要求1所述的封装件(100)，其中，所述再分布结构(108)的部分延伸到所述腔(104)中。
3.根据权利要求1或2所述的封装件(100)，其中，与所述再分布结构(108)在所述承载件本体(102)上和/或所述承载件本体(102)上方相比，所述再分布结构(108)在所述集成电路基板(106)上和/或所述集成电路基板(106)中具有较大的竖向延伸。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的封装件(100)，其中，所述再分布结构(108)的至少一个层结构(120，160)仅形成在所述集成电路基板(106)上和/或所述集成电路基板(106)中，而不延伸至所述承载件本体(102)。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的封装件(100)，其中，所述再分布结构(108)的至少一个层结构(120，160)形成在所述承载件本体(102)上和/或所述承载件本体(102)上方以及形成在所述集成电路基板(106)上和/或所述集成电路基板(106)上方。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的封装件(10
7.根据权利要求1至6中任一项所述的封装件(100)，其中，所述再分布结构(108)的外部表面基本上是平面的。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的封装件(100)，其中，所述再分布结构(108)的内部表面是被轮廓化的。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的封装件(100)，其中，所述无机承载件本体(102)包括下述中至少一者：玻璃、陶瓷、金属、高刚度功能材料和有机承载件，例如，所述有机承载件为碳复合材料和/或芳纶复合材料。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的封装件(100)，其中，所述无机承载件本体(102)仅由玻璃组成。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的封装件(100)，其中，所述集成电路基板(106)的至少一个主表面包括电传导连接凸块(110)，但所述集成电路基板(106)的至少一个主表面不包括布线。
12.根据权利要求1至11所述的封装件(100)，包括下述特征中之一：
13.根据权利要求1至12中任一项所述的封装件(100)，其中，所述无机承载件本体(102)的表面粗糙度Ra不大于100nm，特别地，所述无机承载件本体(102)的表面粗糙度Ra不大于50nm。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的封装件(100)，包括在所述承载件本体(102)和所述集成电路基板(106)的与所述再分布结构(108)相反的一侧上的层堆叠(114)。
15.根据权利要求14所述的封装件(100)，其中，所述层堆叠(114)和所述再分布结构(108)是不对称的，特别地，所述层堆叠(114)和所述再分布结构(108)具有不同的厚度。
16.根据权利要求14或15所述的封装件(100)，其中，与所述层堆叠(114)相比，所述再分布结构(108)具有较高的集成密度。
17.根据权利要求1至16中任一项所述的封装件(100)，其中，所述集成电路基板(106)包括层压式层叠置件(118)，所述层压式层叠置件(118)包括至少一个电传导层结构(120)和至少一个电绝缘层结构(160)。
18.根据权利要求1至17中任一项所述的封装件(100)，包括电介质填充介质(124)，所述电介质填充介质(124)覆盖所述承载件本体(102)和/或所述集成电路基板(106)的至少一个竖向侧壁的至少一部分和/或至少一个水平壁的至少一部分。
19.根据权利要求18所述的封装件(100)，其中，所述电介质填充介质(124)使所述承载件本体(102)相对于所述再分布结构(108)在空间上间隔开。
20.根据权利要求18或19所述的封装件(100)，其中，所述电介质填充介质(124)包括低杨氏模量电介质，特别地，所述低杨氏模量电介质具有不大于5GPa的杨氏模量值。
21.根据权利要求1至20中任一项所述的封装件(100)，包括电子部件(126)，所述电子部件(126)安装在所述再分布结构(108)上。
22.根据权利要求1至21中任一项所述的封装件(100)，
23.根据权利要求22所述的封装件(100)，包括：
24.根据权利要求22或23所述的封装件(100)，其中，所述集成电路基板(106)和所述另外的集成电路基板(130)被配置成用于提供不同的...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种封装件(100)，包括：
2.根据权利要求1所述的封装件(100)，其中，所述再分布结构(108)的部分延伸到所述腔(104)中。
3.根据权利要求1或2所述的封装件(100)，其中，与所述再分布结构(108)在所述承载件本体(102)上和/或所述承载件本体(102)上方相比，所述再分布结构(108)在所述集成电路基板(106)上和/或所述集成电路基板(106)中具有较大的竖向延伸。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的封装件(100)，其中，所述再分布结构(108)的至少一个层结构(120，160)仅形成在所述集成电路基板(106)上和/或所述集成电路基板(106)中，而不延伸至所述承载件本体(102)。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的封装件(100)，其中，所述再分布结构(108)的至少一个层结构(120，160)形成在所述承载件本体(102)上和/或所述承载件本体(102)上方以及形成在所述集成电路基板(106)上和/或所述集成电路基板(106)上方。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的封装件(100)，其中，所述再分布结构(108)的至少一个层结构(120，160)形成为所述集成电路基板(106)的组成部分。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的封装件(100)，其中，所述再分布结构(108)的外部表面基本上是平面的。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的封装件(100)，其中，所述再分布结构(108)的内部表面是被轮廓化的。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的封装件(100)，其中，所述无机承载件本体(102)包括下述中至少一者：玻璃、陶瓷、金属、高刚度功能材料和有机承载件，例如，所述有机承载件为碳复合材料和/或芳纶复合材料。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的封装件(100)，其中，所述无机承载件本体(102)仅由玻璃组成。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的封装件(100)，其中，所述集成电路基板(106)的至少一个主表面包括电传导连接凸块(110)，但所述集成电路基板(106)的至少一个主表面不包括布线。
12.根据权利要求1至11所述的封装件(100)，包括下述特征中之一：
13.根据权利要求1至12中任一项所述的封装件(100)，其中，所述无机承载件本体(102)的表面粗糙度ra不大于100nm，特别地，所述无机承载件本体(102)的表面粗糙度ra不大于50nm。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的封装件(100)，包括在所述承载件本体(102)和所述集成电路基板(106)的与所述再分布结构(108)相反的一侧上的层堆叠(114)。
15.根据权利要求14所述的封装件(100)，其中，所述层堆叠(114)和所述再分布结构(108)是不对称的，特别地，所述层堆叠(114)和所述再分布结构(108)具有不同的厚度。
16.根据权利要求14或15所述的封装件(100)，其中，与所述层堆叠(114)相比，所述再分布结构(108...
【专利技术属性】
技术研发人员：李敏雨，
申请(专利权)人：奥特斯奥地利科技与系统技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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