【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造设备，具体涉及一种进气装置及半导体工艺处理设备。
技术介绍
1、半导体处理设备(比如cvd设备)一般包括工艺腔室和进气装置，通过进气装置向工艺腔室中输送工艺气体。
2、现有的一种进气装置，包括竖直的进气通道以及与进气通道连通的匀气腔，匀气腔为设置在匀气盘中的空腔，匀气盘的周向端面分布有多个出气孔。由于气体流向为竖直向下，工艺气体进入匀气盘后，会沿着匀气盘的底壁流动，因而匀气盘内的气体流速从下至上是递减的，因而匀气盘上，气体进入下方的出气孔的初始速度要大于气体进入上方的出气孔的初始速度，而气体流量与气体流速成正比，因而从匀气盘的出气孔喷出的气体在竖直方向上是不均匀的。
技术实现思路
1、针对上述技术问题，本申请提供一种进气装置及半导体工艺处理设备，可以改善相关技术中气体在均匀化时的初始气流速度不均的问题。
2、为解决上述技术问题，第一方面，本申请实施例提供一种进气装置，包括：
3、匀气结构，包括匀气腔室，所述匀气腔室包括第一环形匀流件；
4、所述第一环形匀流件包括环形内侧面、环形外侧面，以及由所述环形内侧面贯穿至所述环形外侧面并沿所述第一环形匀流件的周向均匀分布的多个气孔结构；所述环形内侧面围成第一匀流腔；
5、所述气孔结构包括一个位于所述环形内侧面的进气口，以及两个以上位于所述环形外侧面的出气口，并且所有所述气孔结构的所述进气口位于所述环形内侧面同一圆周上；
6、进气管，所述进气管与所述第一
7、可选的，所述气孔结构包括多个第一通孔，所述第一通孔包括第一端和第二端，每个所述气孔结构中所有所述第一通孔的所述第一端汇聚于所述进气口，所述第二端与多个所述出气口一一对应连通设置。
8、可选的，所有所述第一通孔的长度相等。
9、可选的，所述环形外侧面与任一竖直面的相交线为圆弧，并且所述圆弧的圆心位于所述环形内侧面上；
10、每个所述气孔结构中，所述进气口位于所述圆心处，所述出气口在所述环形外侧面沿所述圆心对应的圆弧排列。
11、可选的，所述第一通孔在所述第二端设置有水平延伸部，以使气体从所述出气口沿水平方向喷出。
12、可选的，所述匀气腔室还包括至少一个环绕所述第一环形匀流件的第二环形匀流件，以在所述第一环形匀流件的外侧形成至少一个第二匀流腔；
13、所述第二环形匀流件上均匀设置有多个第二通孔，所述第二通孔沿所述第二环形匀流件的径向延伸。
14、可选的，多个所述第二通孔在所述第二环形匀流件上沿周向排列成多圈，相邻两圈的所述第二通孔交错排列。
15、可选的，所述出气口的横截面的总面积小于或等于所述第二通孔的横截面的总面积；
16、位于内侧的第二环形匀流件上的第二通孔的横截面的总面积小于或等于位于外侧的第二环形匀流件上的第二通孔的横截面的总面积。
17、可选的，所述匀气结构包括多个所述匀气腔室，并且多个所述匀气腔室在竖直方向堆叠设置。
18、可选的，所述匀气结构包括多个由上至下并平行排列的平板；相邻两个所述平板之间设置有所述第一环形匀流件，相邻两个所述平板与对应的第一环形匀流件合围形成所述第一匀流腔；其中，位于最上方的平板为顶板，位于最下方的平板为底板，位于所述顶板和所述底板之间的所述平板为平面隔板；
19、所述进气管包括：
20、连接轴，由外部贯穿所述顶板以及所述平面隔板并连接至所述底板的中心；
21、多个相互嵌套的环形侧壁，所述环形侧壁套设在所述连接轴外侧并同轴设置，由外至内的所述环形侧壁依次与所述顶板、所述平面隔板一一对应连接，相邻两个所述环形侧壁之间的空隙、以及最内侧的环形侧壁与所述连接轴之间的空隙构成多个进气通道，所述进气通道与所述第一匀流腔一一对应连通。
22、可选的，所述进气装置还包括多个在竖直方向堆叠的进气腔室；
23、所述连接轴从最下方的进气腔室贯穿至最上方的进气腔室内部，并与最上方的进气腔室的顶部连接；
24、由外至内的所述环形侧壁与由下至上的所述进气腔室一一对应，并且所述环形侧壁由下至上贯穿至对应的所述进气腔室中，并与对应的进气腔室的顶部连接；
25、每个所述环形侧壁设置有与对应的所述进气腔室连通的第一进气孔；所述进气腔室的侧面设置有第二进气孔。
26、可选的，所述第一进气孔设置有多个，并在所述环形侧壁的圆周上均匀分布。
27、第二方面，本申请实施例还提供了一种半导体工艺处理设备，包括工艺腔室和如上各实施例所述的进气装置，所述进气装置用于向所述工艺腔室供应气体。
28、如上所述本申请的进气装置，供气时，气体从进气管进入匀气腔室的第一匀流腔，然后从进气口进入第一环形匀流件内部并从出气口流出。由于所有气孔结构的进气口位于环形内侧面同一圆周上，无纵向高度差，气体从进气口流入的初始速度基本一致，可以以提高气体从出气口流出时的均匀性。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种进气装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的进气装置，其特征在于，所述气孔结构包括多个第一通孔，所述第一通孔包括第一端和第二端，每个所述气孔结构中所有所述第一通孔的所述第一端汇聚于所述进气口，所述第二端与多个所述出气口一一对应连通设置。
3.根据权利要求2所述的进气装置，其特征在于，所有所述第一通孔的长度相等。
4.根据权利要求3所述的进气装置，其特征在于，所述环形外侧面与任一竖直面的相交线为圆弧，并且所述圆弧的圆心位于所述环形内侧面上；
5.根据权利要求4所述的进气装置，其特征在于，所述第一通孔在所述第二端设置有水平延伸部，以使气体从所述出气口沿水平方向喷出。
6.根据权利要求1所述的进气装置，其特征在于，所述匀气腔室还包括至少一个环绕所述第一环形匀流件的第二环形匀流件，以在所述第一环形匀流件的外侧形成至少一个第二匀流腔；
7.根据权利要求6所述的进气装置，其特征在于，多个所述第二通孔在所述第二环形匀流件上沿周向排列成多圈，相邻两圈的所述第二通孔交错排列。
8.根据权利要求6所
9.根据权利要求1-8任一项所述的进气装置，其特征在于，所述匀气结构包括多个所述匀气腔室，并且多个所述匀气腔室在竖直方向堆叠设置。
10.根据权利要求9所述的进气装置，其特征在于，所述匀气结构包括多个由上至下并平行排列的平板；相邻两个所述平板之间设置有所述第一环形匀流件，相邻两个所述平板与对应的第一环形匀流件合围形成所述第一匀流腔；其中，位于最上方的平板为顶板，位于最下方的平板为底板，位于所述顶板和所述底板之间的所述平板为平面隔板；
11.根据权利要求10所述的进气装置，其特征在于，还包括多个在竖直方向堆叠的进气腔室；
12.根据权利要求11所述的进气装置，其特征在于，所述第一进气孔设置有多个，并在所述环形侧壁的圆周上均匀分布。
13.一种半导体工艺处理设备，其特征在于，包括工艺腔室和权利要求1-12任一项所述的进气装置，所述进气装置用于向所述工艺腔室供应气体。
...【技术特征摘要】
1.一种进气装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的进气装置，其特征在于，所述气孔结构包括多个第一通孔，所述第一通孔包括第一端和第二端，每个所述气孔结构中所有所述第一通孔的所述第一端汇聚于所述进气口，所述第二端与多个所述出气口一一对应连通设置。
3.根据权利要求2所述的进气装置，其特征在于，所有所述第一通孔的长度相等。
4.根据权利要求3所述的进气装置，其特征在于，所述环形外侧面与任一竖直面的相交线为圆弧，并且所述圆弧的圆心位于所述环形内侧面上；
5.根据权利要求4所述的进气装置，其特征在于，所述第一通孔在所述第二端设置有水平延伸部，以使气体从所述出气口沿水平方向喷出。
6.根据权利要求1所述的进气装置，其特征在于，所述匀气腔室还包括至少一个环绕所述第一环形匀流件的第二环形匀流件，以在所述第一环形匀流件的外侧形成至少一个第二匀流腔；
7.根据权利要求6所述的进气装置，其特征在于，多个所述第二通孔在所述第二环形匀流件上沿周向排列成多圈，相邻两圈的所述第二通孔交错排列。...
【专利技术属性】
技术研发人员：李福华，董博宇，袁福顺，杨牧龙，王磊磊，顾世海，曲洋，李轩，赵东华，孙中岳，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。