【技术实现步骤摘要】
本申请属于半导体加工，具体涉及一种半导体工艺腔室及其升降机构。
技术介绍
1、目前，半导体器件的应用范围越来越广，提升半导体器件的生产良率已经成为半导体器件的重要生产目标之一，这就对半导体器件的加工工艺以及用于加工半导体器件的半导体工艺设备提出了更高的要求。
2、半导体工艺设备主要包括工艺腔室、晶圆承载件和升降机构，晶圆承载件设置于工艺腔室内，用于制备半导体器件的晶圆可以放置于晶圆承载件上，升降机构与晶圆承载件相连，其一端可以穿过晶圆承载件，从而向晶圆施加作用力，进而升降晶圆，以改变晶圆在工艺腔室内的位置，进而匹配工艺需求。
3、在加工晶圆的过程中，有些加工工艺(例如去胶工艺)包括多个工步，在不同工步下，晶圆所需的工艺温度不同，因此升降机构需要带动晶圆升降至不同的工艺位置，在不同的工艺位置处，晶圆与加热装置之间的距离不同，从而改变晶圆的工艺温度。
4、上述升降机构主要包括气缸，该气缸通常设有三个通气口，各通气口在竖直方向上间隔排布，向不同的通气口供气，即可使得气缸的伸缩端在最高位置、中间位置和最低位置之间切换，而该伸缩端可以带动晶圆升降，进而使得晶圆升降至不同的工艺位置。然而，当工艺腔室处于大气状态时，晶圆从最高位置降至最低位置时，需同时向气缸的顶部通气口和中部通气口供气，此时气缸内部气压平衡，进而出现伸缩端无法伸缩的情况，也就无法带动晶圆升降，由此可见，此种升降机构调节晶圆工艺位置的难度较大。
技术实现思路
1、本申请公开一种半导体工艺腔室及其
2、为了解决上述技术问题，本申请采用下述技术方案：
3、第一方面，本申请实施例公开一种半导体工艺腔室的升降机构，包括顶针组件、波纹管组件、第一气动驱动源和第二气动驱动源，
4、所述波纹管组件包括波纹管轴，所述顶针组件通过所述波纹管轴与所述第一气动驱动源相连，所述第二气动驱动源用于与所述半导体工艺腔室的腔室本体相连，且所述第二气动驱动源的伸缩端与所述第一气动驱动源相连，
5、所述第二气动驱动源驱动所述第一气动驱动源升降，所述第一气动驱动源驱动所述波纹管轴升降，以使所述顶针组件在多个工艺位置之间升降。
6、第二方面，本申请实施例公开一种半导体工艺腔室，包括腔室本体和上述升降机构，所述升降机构与所述腔室本体相连。
7、本申请采用的技术方案能够达到以下有益效果：
8、本申请中，第二气动驱动源可驱动第一气动驱动源升降，第一气动驱动源可驱动波纹管轴升降，因此通过第一气动驱动源和第二气动驱动源的组合，可以使顶针组件在多个工艺位置之间升降，从而调节晶圆的工艺位置。由此可见，本申请将晶圆的多个工艺位置分解到第一气动驱动源和第二气动驱动源上，即通过第一气动驱动源和第二气动驱动源之间的组合实现晶圆在多个工艺位置之间升降，使得第一气动驱动源和第二气动驱动源各自所需达到的位置有所减少，如此，第一气动驱动源和第二气动驱动源的供气方式将会简化，也就不容易出现因气压平衡而导致晶圆无法升降的情况。因此，本申请公开的技术方案能够解决升降机构调节晶圆工艺位置的难度较大的问题。
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1.一种半导体工艺腔室的升降机构，其特征在于，包括顶针组件(100)、波纹管组件(200)、第一气动驱动源(300)和第二气动驱动源(400)，
2.根据权利要求1所述的升降机构，其特征在于，所述第一气动驱动源(300)和所述第二气动驱动源(400)均为气动滑台，
3.根据权利要求2所述的升降机构，其特征在于，所述第一气动驱动源(300)还包括第一液压限位柱(330)和第二液压限位柱(340)，所述第一液压限位柱(330)和所述第二液压限位柱(340)沿所述升降方向间隔设置于所述第一本体(310)，所述第一滑块(320)的至少部分位于所述第一液压限位柱(330)和所述第二液压限位柱(340)之间，且所述第一滑块(320)用于分别与所述第一液压限位柱(330)和所述第二液压限位柱(340)限位配合，
4.根据权利要求2所述的升降机构，其特征在于，所述升降机构还包括缓冲垫(500)，所述第一本体(310)和所述第二本体(410)叠置，所述缓冲垫(500)设置于所述第一本体(310)和所述第二本体(410)之间。
5.根据权利要求2所述的
6.根据权利要求5所述的升降机构，其特征在于，所述波纹管组件(200)还包括波纹管法兰(220)，所述波纹管法兰(220)套设于所述波纹管轴(210)之外，且所述波纹管法兰(220)用于与所述腔室本体(901)相连，
7.根据权利要求1所述的升降机构，其特征在于，所述顶针组件(100)包括针盘(110)和至少两个顶针(120)，各所述顶针(120)沿所述针盘(110)的周向间隔排布，
8.根据权利要求7所述的升降机构，其特征在于，所述针盘(110)还设有安装槽(112)，所述安装槽(112)的底壁设有所述第二定位部(111)，所述安装台(122)的至少部分位于所述安装槽(112)内。
9.根据权利要求1所述的升降机构，其特征在于，所述顶针组件(100)包括针盘(110)和至少两个顶针(120)，各所述顶针(120)沿所述针盘(110)的周向间隔排布，
10.一种半导体工艺腔室，其特征在于，包括腔室本体(901)和权利要求1至9中任一项所述的升降机构，所述升降机构与所述腔室本体(901)相连。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺腔室的升降机构，其特征在于，包括顶针组件(100)、波纹管组件(200)、第一气动驱动源(300)和第二气动驱动源(400)，
2.根据权利要求1所述的升降机构，其特征在于，所述第一气动驱动源(300)和所述第二气动驱动源(400)均为气动滑台，
3.根据权利要求2所述的升降机构，其特征在于，所述第一气动驱动源(300)还包括第一液压限位柱(330)和第二液压限位柱(340)，所述第一液压限位柱(330)和所述第二液压限位柱(340)沿所述升降方向间隔设置于所述第一本体(310)，所述第一滑块(320)的至少部分位于所述第一液压限位柱(330)和所述第二液压限位柱(340)之间，且所述第一滑块(320)用于分别与所述第一液压限位柱(330)和所述第二液压限位柱(340)限位配合，
4.根据权利要求2所述的升降机构，其特征在于，所述升降机构还包括缓冲垫(500)，所述第一本体(310)和所述第二本体(410)叠置，所述缓冲垫(500)设置于所述第一本体(310)和所述第二本体(410)之间。
5.根据权利要求2所述的升降机构，其特征在于，所述升降机构还包括第一连接板(600)，所述第一连接板(600)包括相连且相对弯折的第一板段(...
【专利技术属性】
技术研发人员：李雪，柳朋亮，徐尚，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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