本发明专利技术涉及及半导体加工设备技术领域，尤其涉及一种传输腔室、半导体工艺设备及拆装工装，该传输腔室包括：可拆卸式固接的上腔室和下腔室，上腔室具有上容纳腔，上腔室的侧壁具有多个连通于上容纳腔的传片口；下腔室具有下容纳腔，上容纳腔的下敞口与下容纳腔的上敞口连通；上容纳腔被配置为供机械手的上手臂活动，下容纳腔被配置为供机械手的下手臂活动。该传输腔室及半导体工艺设备降低了加工难度及加工成本，降低了维护成本。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体加工设备，具体而言，涉及一种传输腔室、半导体工艺设备及拆装工装。
技术介绍
1、刻蚀工艺在待加工件(例如，晶圆/晶片等)制造过程中占据举足轻重的地位，刻蚀工序多，工艺复杂，刻蚀效率直接影响待加工件的生产效率，间接地影响待加工件的生产成本。影响刻蚀效率的因素有多种，例如，半导体工艺设备的生产能力和占地面积，相同占地面积情况下，半导体工艺设备所能搭载的工艺腔室越多，其生产能力越大，单位面积单位时间的产能就越高，即待加工件的生产效率越高。
2、通常情况下，为了保证甚至提高待加工件的生产效率，通常将半导体工艺设备大型化，即，单个半导体工艺设备搭载较多的工艺腔室，以尽可能使大气机械手和真空机械手不间断协同工作，减少大气机械手和真空机械手的闲置时间，而此时，由于半导体工艺设备搭载的工艺腔室较多，虽然提高了整个半导体工艺设备的传输效率和占地面积的利用率，但是如此使得整个半导体工艺设备的体型较大，以传输腔室(传输平台)为例，需要设置较大的传输腔室，这样造成了传输腔室的加工难度较大，加工成本和维护成本也较高。
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【技术保护点】
1.一种传输腔室，其特征在于，应用于半导体工艺设备，所述传输腔室包括：可拆卸式固接的上腔室(100)和下腔室(200)，所述上腔室(100)具有上容纳腔(110)，所述上腔室(100)的侧壁具有多个连通于所述上容纳腔的传片口；所述下腔室(200)具有下容纳腔(210)，所述上容纳腔(110)的下敞口连通于所述下容纳腔(210)的上敞口；所述上容纳腔(110)被配置为供所述机械手(300)的上手臂(330)活动，所述下容纳腔(210)被配置为供所述机械手(300)的下手臂(320)活动。
2.根据权利要求1所述的传输腔室，其特征在于，所述传输腔室为上大下小的阶梯状结构，所述上腔...
【技术特征摘要】
1.一种传输腔室，其特征在于，应用于半导体工艺设备，所述传输腔室包括：可拆卸式固接的上腔室(100)和下腔室(200)，所述上腔室(100)具有上容纳腔(110)，所述上腔室(100)的侧壁具有多个连通于所述上容纳腔的传片口；所述下腔室(200)具有下容纳腔(210)，所述上容纳腔(110)的下敞口连通于所述下容纳腔(210)的上敞口；所述上容纳腔(110)被配置为供所述机械手(300)的上手臂(330)活动，所述下容纳腔(210)被配置为供所述机械手(300)的下手臂(320)活动。
2.根据权利要求1所述的传输腔室，其特征在于，所述传输腔室为上大下小的阶梯状结构，所述上腔室(100)与所述下腔室(200)的连接部位为台阶连接部；所述上容纳腔(110)与所述下容纳腔(210)形成上大下小的阶梯状结构。
3.根据权利要求2所述的传输腔室，其特征在于，所述机械手安装到位后，所述下容纳腔(210)的周向轮廓与所述下手臂(320)外端活动轮廓相适配，且两者之间具有缝隙。
4.根据权利要求2所述的传输腔室，其特征在于，所述上腔室(100)的下敞口与所述下腔室(200)的上敞口的轮廓尺寸和位置均相适配。
5.根据权利要求1-4任一项所述的传输腔室，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的传输腔室，其特征在于，所述上容纳腔(110)的下敞口部位的内侧壁具有柱形面(170)，所述柱形面(170)位于所述上缓冲面(120)的下方；
7.根据权利要求6所述的传输腔室，其特征在于，所述上缓冲面(120)的下边缘部相接于所述柱形面(170)的上边缘部，所述上缓冲面(120)具有多个间隔设置的沉孔，所述沉孔被配置为用于匹配安装紧固件，所述紧固件用于将所述下腔室(200)固接于所述上腔室...
【专利技术属性】
技术研发人员：马良，丁朝鹏，王炳元，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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