一种具有双重功率回路的双面散热功率模块制造技术

本发明专利技术公开了一种具有双重功率回路的双面散热功率模块，包括平行放置的上DBC基板和下DBC基板；上DBC基板和下DBC基板布局结构对称且两者相对的一侧为内表面；上DBC基板包括上AIN基板以及位于上AIN基板内表面的上金属层；下DBC基板包括下AIN基板以及位于下AIN基板内表面的下金属层；上金属层和下金属层均包括多个DC+端子金属层、AC端子金属层、DC‑端子金属层以及驱动金属层。该功率模块采用了上下结构对称的DBC布局设计，使每个DC+端子都存在两条不同的功率回路，分别到达不同的DC‑端子，实现了互感抵消，降低了模块功率回路的寄生电感，保证了内部芯片之间电路参数的一致性，减缓了相邻芯片之间的热耦合效应。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体功率模块，具体涉及一种具有双重功率回路的双面散热功率模块。

技术介绍

1、碳化硅器件作为一种宽禁带半导体器件，具备高压、高温耐受性、低导通电阻等多个优点，碳化硅器件可以在更高的结温运行，大幅降低系统的功耗。因此，碳化硅器件在智能电网、新能源汽车、光伏发电、轨道交通等领域得到广泛应用。

2、传统功率模块封装主要以钎料连接和引线键合等二维平面封装技术为主。然而，传统的模块封装结构难以充分发挥碳化硅器件在电性和热性方面的优势。首先，传统模块封装结构通常存在较大的寄生电感，这在功率回路中可能引发严重的电磁干扰和电压过冲现象。此外，由于功率模块内部电路布局和结构的不对称性等原因，导致芯片外部电路的寄生参数存在不一致性。当多个芯片并联工作时，电流分布可能不均匀。这不仅降低了功率模块的效率，还可能导致某些芯片过热，从而缩短了功率模块的寿命。此外，传统封装结构中，芯片之间的热耦合问题也较为突出。碳化硅器件通常在高频工况下运行，芯片热耦合问题可能限制其性能的充分发挥，还可能导致某些芯片过热而失效。

3、因此，解决碳化硅功率模块内寄本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具有双重功率回路的双面散热功率模块，其特征在于，包括平行放置的上DBC基板和下DBC基板；所述上DBC基板和所述下DBC基板布局结构对称且两者相对的一侧为内表面；

2.根据权利要求1所述的一种具有双重功率回路的双面散热功率模块，其特征在于，在所述下金属层中，所述多个DC+端子金属层具体包括第一DC+端子金属层、第二DC+端子金属层以及第三DC+端子金属层；其中，

3.根据权利要求2所述的一种具有双重功率回路的双面散热功率模块，其特征在于，在所述下金属层中，所述AC端子金属层具体包括第一AC端子金属层；

4.根据权利要求3所述的一种具有双重功率回...

【技术特征摘要】

1.一种具有双重功率回路的双面散热功率模块，其特征在于，包括平行放置的上dbc基板和下dbc基板；所述上dbc基板和所述下dbc基板布局结构对称且两者相对的一侧为内表面；

2.根据权利要求1所述的一种具有双重功率回路的双面散热功率模块，其特征在于，在所述下金属层中，所述多个dc+端子金属层具体包括第一dc+端子金属层、第二dc+端子金属层以及第三dc+端子金属层；其中，

3.根据权利要求2所述的一种具有双重功率回路的双面散热功率模块，其特征在于，在所述下金属层中，所述ac端子金属层具体包括第一ac端子金属层；

4.根据权利要求3所述的一种具有双重功率回路的双面散热功率模块，其特征在于，在所述下金属层中，所述dc-端子金属层具体包括第一dc-端子金属层；

5.根据权利要求4所述的一种具有双重功率回路的双面散热功率模块，其特征在于，在所述上金属层中，所述多个dc+端子金属层具体包括第四dc+端子金属层、第五dc+端子金属层以及第六dc+端子金属层；...

【专利技术属性】
技术研发人员：江希，马年龙，王颖，袁嵩，弓小武，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：