【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体制造，具体涉及一种半导体工艺设备的控制方法、一种半导体工艺设备的控制装置及一种半导体工艺设备。
技术介绍
1、在等离子体刻蚀工艺中，点火步骤决定着激发产生等离子体的质量，进而影响刻蚀工艺效果。目前，同一刻蚀工艺设备往往需要进行具有不同腔室压力、加载功率等工艺条件的多个刻蚀工艺步骤，而不同的刻蚀工艺之前所需的启辉成功条件是不同的。但同一刻蚀工艺设备通常仅存储一套点火配方，这导致无法满足一些刻蚀工艺的启辉成功条件，或者，即使强行启辉，也可能会对设备造成较大伤害，也会影响工艺效果。
2、当上述启辉异常发生时，刻蚀工艺设备通常会发出报警，以提示操作人员重新手动调整工艺配方，以使其满足当前工艺的启辉成功条件。但是，在操作人员手动调整优化配方的过程中，需要进行多次尝试点火，而这容易导致刻蚀工艺设备损坏，也存在损坏晶圆的风险，而且会大大延长工艺时间，造成工艺成本升高。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种半导体工艺设备及其控制方...
【技术保护点】
1.一种半导体工艺设备的控制方法，其特征在于，包括在半导体工艺开始之前进行的配方优化步骤；所述配方优化步骤包括：
2.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述配方优化步骤还包括：
3.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，若所述点火步骤之后的工艺步骤的工艺参数的数值大于满足对应的启辉成功条件的理论数值，则所述点火步骤的工艺参数设定为与所述工艺步骤的工艺参数一致；
4.根据权利要求2所述的控制方法，其特征在于，所述工艺参数包括腔室压力，还包括上射频功率、下高频射频功率和下低频射频功率中的至少一种。
5.根据权利要...
【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺设备的控制方法，其特征在于，包括在半导体工艺开始之前进行的配方优化步骤；所述配方优化步骤包括：
2.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述配方优化步骤还包括：
3.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，若所述点火步骤之后的工艺步骤的工艺参数的数值大于满足对应的启辉成功条件的理论数值，则所述点火步骤的工艺参数设定为与所述工艺步骤的工艺参数一致；
4.根据权利要求2所述的控制方法，其特征在于，所述工艺参数包括腔室压力，还包括上射频功率、下高频射频功率和下低频射频功率中的至少一种。
5.根据权利要求4所述的控制方法，其特征在于，所述根据所述初始配方中的各个工艺步骤的工艺参数，依次判断每个所述工艺步骤是否需要进行点火的步骤，具体包括：
6.根据权利要求5所述的控制方法，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：张辉辉，李璇，赵晓建，蒋书棋，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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