半导体工艺腔室和半导体工艺设备制造技术

本申请公开一种半导体工艺腔室和半导体工艺设备，属于半导体加工技术领域

【技术实现步骤摘要】
半导体工艺腔室和半导体工艺设备


[0001]本申请属于半导体加工
，具体涉及一种半导体工艺腔室和半导体工艺设备
。

技术介绍

[0002]钨塞工艺是半导体加工工艺中被广泛应用的一道工艺，钨塞工艺可以将金属钨填充于晶圆表面的孔洞或沟槽中，即填充于晶圆表面的连接孔内，具体地，通常采用覆盖式化学气相反应在晶圆上进行钨沉积，此时金属钨会沉积在晶圆表面以及填充于晶圆表面的连接孔内，最后通过化学机械研磨去除晶圆表面的钨，以仅留下连接孔中的钨，连接孔中的钨可以实现各部件之间可靠的电导通工艺需求，即此种工艺利用了金属钨的良好导电性和抗电迁移特性
。
[0003]在具体进行化学机械研磨时，由于晶圆边缘有倒角，为防止晶圆边缘的钨未被去除干净而影响后续工艺，因此要求在晶圆上沉积钨时，晶圆边缘一定范围内不能淀积钨，这就需要工艺过程中朝晶圆边缘吹惰性气体，而惰性气体的流动方向一般由半导体工艺腔室内的上挡环
、
下挡环和基座共同配合控制，以此实现钨无法沉积到晶圆边缘的目的
。
[0004]但由于上挡环和下挡环一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种半导体工艺腔室，其特征在于，包括腔室本体
(100)、
基座
(200)、
上挡环
(300)
和下挡环
(400)
，所述基座
(200)、
所述上挡环
(300)
和所述下挡环
(400)
均设于所述腔室本体
(100)
内，且所述下挡环
(400)
环绕所述基座
(200)
设置，以使所述下挡环
(400)
与所述基座
(200)
之间形成有第一气流通道
(210)
；所述上挡环
(300)
设置于所述下挡环
(400)
的上方，所述上挡环
(300)
和所述下挡环
(400)
中的一者设有定位凸起
(310)
，另一者开设有环形定位槽
(410)
，且所述环形定位槽
(410)
沿所述上挡环
(300)
的环向或沿所述下挡环
(400)
的环向设置；在所述下挡环
(400)
靠近所述上挡环
(300)
的过程中，所述定位凸起
(310)
可位于所述环形定位槽
(410)
内，并与所述环形定位槽
(410)
定位配合
。2.
根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述定位凸起
(310)
为环形定位凸台，且所述环形定位凸台沿所述上挡环
(300)
的环向或沿所述下挡环
(400)
的环向设置，以使所述环形定位凸台与所述环形定位槽
(410)
密封配合
。3.
根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述上挡环
(300)
设有所述定位凸起
(310)
，所述下挡环
(400)
开设有所述环形定位槽
(410)。4.
根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述定位凸起
(310)
具有与所述上挡环
(300)
或所述下挡环
(400)
相连的第一面<...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾纯友，刘胜明，荣延栋，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：新型
国别省市：