【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种特种气体安全控制方法和一种半导体工艺设备。
技术介绍
1、cvd技术(chemical vapor deposition)是一种可以将物质以原子膜形式镀在基底表面的方法。随着微电子和深亚微米芯片技术的发展要求器件和材料的尺寸不断降低，而器件中的高宽比不断增加，cvd在填充方面的优势越来越明显,这项工艺越来越受到半导体行业的青睐。
2、cvd工艺过程的一个特征是有多种工艺气体进入腔室。当腔室环境就绪，工艺气体同时进入腔室并附着在晶片(wafer)上，在wafer表面发生反应，生成所需要的薄膜。同时需要真空泵不断抽走副产物及剩余反应物。cvd工艺气体中会含有多种特种气体，特种气体是指易燃易爆，有毒，有腐蚀性的气体，如h2、wf6、5％b2h6/95％n2、nf3、sih4。
3、现有技术中，由软件程序根据特种气体阀门互锁条件，控制阀门之间的互锁，但是软件有失效风险，存在安全隐患。
技术实现思路
1、鉴于上述问题，提出了本专利技术实施例以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种特种气体安全控制方法和相应的一种半导体工艺设备。
2、为了解决上述问题，本专利技术实施例公开了一种特种气体安全控制方法，应用于半导体工艺设备，所述半导体工艺设备包括：工艺腔室、控制电路；所述控制电路包括用于控制第一气体对应阀门通断的第一电路、用于控制第二气体对应阀门通断的第二电路和用于控制第三气体对应阀门通断的第三电路，所述方法包
3、获取所述工艺腔室的压力值；
4、在所述压力值大于预设压力阈值的情况下，当需要打开所述第二气体对应阀门和所述第三气体对应阀门时，控制所述第一电路断开，控制所述第二电路和所述第三电路接通，以使所述第一气体对应阀门关闭、所述第二气体对应阀门和所述第三气体对应阀门打开；
5、当需要打开所述第一气体对应阀门时，控制所述第一电路闭合，以及控制所述第二电路和所述第三电路断开，以使所述第一气体对应阀门打开、所述第二气体对应阀门和所述第三气体对应阀门关闭。
6、可选地，还包括：
7、在所述压力值小于或等于所述预设压力阈值的情况下，控制所述第一电路、所述第二电路和所述第三电路接通，以使所述第一气体对应阀门、所述第二气体对应阀门和所述第三气体对应阀门打开。
8、可选地，所述控制电路还包括：第一继电器、第二继电器和第三继电器，所述方法还包括：
9、获取所述工艺腔室的压力值，当所述压力值大于所述预设压力阈值时，通过所述第一继电器控制所述第二继电器接通以及所述第三继电器断开，以使所述第二继电器控制所述第一电路、所述第二电路和所述第三电路的通断；
10、当所述压力值小于或等于所述预设压力阈值时，通过所述第一继电器控制所述第二继电器断开以及所述第三继电器接通，以使所述第三继电器控制所述第一电路、所述第二电路和所述第三电路的通断。
11、可选地，所述第一继电器包括第一对常闭触点和第一对常开触点；所述当所述压力值大于所述预设压力阈值时，通过所述第一继电器控制所述第二继电器接通以及所述第三继电器断开，以使所述第二继电器控制所述第一电路、所述第二电路和所述第三电路的通断，包括：
12、当所述压力值大于所述预设压力阈值时，通过所述第一继电器控制所述第一对常开触点保持断开状态，以控制所述第三继电器断开，以及通过所述第一继电器控制所述第一对常闭触点保持闭合状态，以控制所述第二继电器接通，以使所述第二继电器控制所述第一电路、所述第二电路和所述第三电路的通断。
13、可选地，所述第二继电器包括第二对常闭触点、第二对常开触点和第三对常开触点；所述在所述压力值大于预设压力阈值的情况下，当需要打开所述第二气体对应阀门和所述第三气体对应阀门时，控制所述第一电路断开，控制所述第二电路和所述第三电路接通，以使所述第一气体对应阀门关闭、所述第二气体对应阀门和所述第三气体对应阀门打开，包括：
14、通过所述第二继电器控制所述第二对常闭触点断开，控制所述第一电路断开，以及通过所述第二继电器控制所述第二对常开触点和所述第三对常开触点闭合，控制所述第二电路和所述第三电路接通，以使所述第一气体对应阀门关闭、所述第二气体对应阀门和所述第三气体对应阀门打开。
15、可选地，所述当需要打开所述第一气体对应阀门时，控制所述第一电路闭合，以及控制所述第二电路和所述第三电路断开，以使所述第一气体对应阀门打开、所述第二气体对应阀门和所述第三气体对应阀门关闭，包括：
16、通过所述第二继电器控制所述第二对常闭触点保持闭合状态，控制所述第一电路接通，以及通过所述第二继电器控制所述第二对常开触点和所述第三对常开触点保持断开状态，控制所述第二电路和所述第三电路断开，以使所述第一气体对应阀门打开、所述第二气体对应阀门和所述第三气体对应阀门关闭。
17、可选地，所述当所述压力值小于或等于所述预设压力阈值时，通过所述第一继电器控制所述第二继电器断开以及所述第三继电器接通，以使所述第三继电器控制所述第一电路、所述第二电路和所述第三电路的通断，包括：
18、当所述压力值小于或等于所述预设压力阈值时，通过所述第一继电器控制所述第一对常闭触点打开，控制所述第二继电器断开，以及通过所述第一继电器控制所述第一对常开触点闭合，控制所述第三继电器接通，以使所述第三继电器控制所述第一电路、所述第二电路和所述第三电路的通断。
19、可选地，所述第三继电器包括第四对常开触点、第五对常开触点和第六对常开触点；所述在所述压力值小于或等于所述预设压力阈值的情况下，控制所述第一电路、所述第二电路和所述第三电路接通，以使所述第一气体对应阀门、所述第二气体对应阀门和所述第三气体对应阀门打开，包括：
20、通过所述第三继电器控制所述第四对常开触点、所述第五对常开触点和所述第六对常开触点闭合，控制所述第一电路、所述第二电路和所述第三电路接通，以使所述第一气体对应阀门、所述第二气体对应阀门和第三气体对应阀门打开。
21、可选地，所述第一气体为nf3，所述第二气体为h2，所述第三气体为sih4。
22、本专利技术实施例还公开了一种半导体工艺设备，所述半导体工艺设备包括：工艺腔室、控制电路；所述控制电路包括用于控制第一气体对应阀门通断的第一电路、用于控制第二气体对应阀门通断的第二电路和用于控制第三气体对应阀门通断的第三电路，所述半导体工艺设备还包括：
23、控制器，用于获取所述工艺腔室的压力值；在所述压力值大于预设压力阈值的情况下，当需要打开所述第二气体对应阀门和所述第三气体对应阀门时，控制所述第一电路断开，控制所述第二电路和所述第三电路接通，以使所述第一气体对应阀门关闭、所述第二气体对应阀门和所述第三气体对应阀门打开；当需要打开所述第一气体对应阀门时，控制所述第一电路闭合，以及控制所述第二电路和所述第三电路断开，以使所述第一气体对应本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种特种气体安全控制装置，其特征在于，应用于半导体工艺设备，所述半导体工艺设备包括工艺腔室；所述控制装置包括电连接的控制电路和控制器；
2.根据权利要求1所述的控制装置，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的控制装置，其特征在于，所述控制电路还包括：第一继电器、第二继电器和第三继电器；所述第一继电器分别与所述第二继电器和所述第三继电器电连接；所述控制器用于：
4.根据权利要求3所述的控制装置，其特征在于，所述第一继电器包括第一对常闭触点和第一对常开触点；
5.根据权利要求4所述的控制装置，其特征在于，所述第二继电器包括第二对常闭触点、第二对常开触点和第三对常开触点；
6.根据权利要求4所述的控制装置，其特征在于，所述第三继电器包括第四对常开触点、第五对常开触点和第六对常开触点；
7.根据权利要求1所述的控制装置，其特征在于，所述第一气体为NF3，所述第二气体为H2，所述第三气体为SiH4。
【技术特征摘要】
1.一种特种气体安全控制装置，其特征在于，应用于半导体工艺设备，所述半导体工艺设备包括工艺腔室；所述控制装置包括电连接的控制电路和控制器；
2.根据权利要求1所述的控制装置，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的控制装置，其特征在于，所述控制电路还包括：第一继电器、第二继电器和第三继电器；所述第一继电器分别与所述第二继电器和所述第三继电器电连接；所述控制器用于：
4.根据权利要求3所述的控制装置，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘畅，荣延栋，胡云龙，刘旭，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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