【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造设备，具体涉及一种上电极组件及半导体工艺腔室。
技术介绍
1、随着半导体存储器向堆叠更高层数的方向发展，对于高深宽比，需要更严格控制等离子损伤、刻蚀形貌以及刻蚀均匀性。以3d-nand为例，随着膜层数目和膜层厚度的不断增加(32层->64层->128层)，需要开发高深宽比沟道孔的干法刻蚀机，以实现在先进技术节点关键工艺的刻蚀开发。
2、电容耦合等离子(capacitively coupled plasma，ccp)刻蚀技术在该领域具有较突出的优势，该技术中，上电极组件的温度控制对刻蚀的均匀性和形貌具有至关重要的作用。现有的ccp刻蚀机，上电极组件是整面进行加热控温，需要经过长时间的加热和充分的温度传导才能将温度控制到目标温度，不仅控温速率较慢，而且当局部温度超标时不能进行针对性地调节。
技术实现思路
1、针对上述技术问题，本申请提供一种上电极组件及半导体工艺腔室，可以改善现有上电极组件控温速率较慢、而且当局部温度超标时不能进行针对性地调节的问题。
2、为解决上述技术问题，第一方面，本申请实施例提供一种上电极组件，包括层叠设置的电极板和加热组件；
3、所述加热组件沿径向包括中心加热区和至少一个环形加热区，所述至少一个环形加热区依次环绕所述中心加热区设置，所述中心加热区以及所述至少一个环形加热区分别独立给所述电极板对应的区域进行加热。
4、可选的，所述加热组件包括：
5、加热基体，内部设有加热腔
6、第一加热件，设置于所述加热腔内，在所述中心加热区盘绕以形成第一加热盘；
7、与所述至少一个环形加热区一一对应的第二加热件，设置于所述加热腔内，在相应的所述环形加热区盘绕以形成第二加热盘；
8、其中，所述第一加热盘的盘绕方向相反于与所述中心加热区相邻的所述第二加热盘的盘绕方向，并且任意相邻的两个所述第二加热盘的盘绕方向相反。
9、可选的，所述加热腔内设置有至少一个第一导热隔板；
10、所述至少一个第一导热隔板沿轴向平行排列，以在所述加热腔内形成至少两个第一空腔，每个所述第一导热隔板在所述中心加热区设置有第一通孔，以及在每个所述环形加热区各设置一个第二通孔；
11、所述第一加热件通过所述第一通孔在所述中心加热区的每个所述第一空腔盘绕；
12、所述第二加热件通过所述第二通孔在对应的所述环形加热区的每个所述第一空腔盘绕。
13、可选的，所述加热组件还包括：
14、环形基体，环绕所述加热基体设置，所述环形基体内设置有环形腔；
15、第三加热件，在所述环形腔内盘绕设置以形成第三加热盘。
16、可选的，所述环形腔内设置有至少一个第二导热隔板，所述至少一个第二导热隔板沿轴向平行排列，以在所述环形腔内形成至少两个第二空腔，每个所述第二导热隔板设置有第三通孔；
17、所述第三加热件通过所述第三通孔在每个所述第二空腔盘绕。
18、可选的，所述第一导热隔板远离所述电极板的一面或者朝向所述电极板的一面设置有与所述中心加热区对应的第一螺旋槽，以及与所述环形加热区对应的第二螺旋槽，所述第一加热件设置于所述第一螺旋槽中，所述第二加热件设置于所述第二螺旋槽中；和/或，
19、所述第二导热隔板远离所述电极板的一面或者朝向所述电极板的一面设置有第三螺旋槽，所述第三加热件设置于所述第三螺旋槽中。
20、可选的，所述第二导热隔板与所述第一导热隔板的数量相等。
21、可选的，所述至少一个第二导热隔板与所述至少一个第一导热隔板一一对应，并且对应的所述第二导热隔板与所述第一导热隔板位于同一平面。
22、可选的，所述至少一个环形加热区包括：环绕所述中心加热区设置的中间加热区，以及环绕所述中间加热区设置的外加热区；
23、所述中心加热区的直径小于或等于280mm；
24、所述中间加热区的直径大于280mm，且小于或等于330mm；
25、所述外加热区的直径大于330mm，且小于或等于360mm。
26、可选的，所述上电极组件还包括：
27、冷却盘，设置在所述加热组件远离所述电极板的一面。
28、可选的，所述上电极组件还包括：
29、支架，设置于所述冷却盘远离所述加热组件的一面；
30、上电极线圈，设置于所述支架上。
31、第二方面，本申请实施例提供一种半导体工艺腔室，包括工艺腔室，以及如上各实施例所述的上电极组件；
32、所述工艺腔室的顶部设有开口，所述上电极组件设置于所述开口处，并且所述电极板所在的一侧朝向所述工艺腔室内。
33、如上所述本申请的上电极组件，沿径向包括中心加热区和至少一个环形加热区，通过对中心加热区以及每一个环形加热区分别进行独立加热控温，从而可以使电极板的温度均匀升高，减少传统整面加热方式需要较长的温度扩散时间，从而可以提高控温效率。此外，本实施例的上电极组件由于各区域单独加热，可以增大不同区域间的温差，以适应不同工艺对于不同区域的温度要求。因此，本申请可以增大电极板不同区域间的温度差，也可以减小电极板不同区域间的温度差，增大了可控温窗口，提高了对不同工艺的适应性。
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1.一种上电极组件，其特征在于，包括层叠设置的电极板和加热组件；
2.根据权利要求1所述的上电极组件，其特征在于，所述加热组件包括：
3.根据权利要求2所述的上电极组件，其特征在于，所述加热腔内设置有至少一个第一导热隔板；
4.根据权利要求3所述的上电极组件，其特征在于，所述加热组件还包括：
5.根据权利要求4所述的上电极组件，其特征在于，所述环形腔内设置有至少一个第二导热隔板，所述至少一个第二导热隔板沿轴向平行排列，以在所述环形腔内形成至少两个第二空腔，每个所述第二导热隔板设置有第三通孔；
6.根据权利要求5所述的上电极组件，其特征在于，所述第一导热隔板远离所述电极板的一面或者朝向所述电极板的一面设置有与所述中心加热区对应的第一螺旋槽，以及与所述环形加热区对应的第二螺旋槽，所述第一加热件设置于所述第一螺旋槽中，所述第二加热件设置于所述第二螺旋槽中；和/或，
7.根据权利要求5所述的上电极组件，其特征在于，所述第二导热隔板与所述第一导热隔板的数量相等。
8.根据权利要求7所述的上电极组件，其特征在
9.根据权利要求1所述的上电极组件，其特征在于，所述至少一个环形加热区包括：环绕所述中心加热区设置的中间加热区，以及环绕所述中间加热区设置的外加热区；
10.根据权利要求1-9任一项所述的上电极组件，其特征在于，还包括：
11.根据权利要求10所述的上电极组件，其特征在于，还包括：
12.一种半导体工艺腔室，其特征在于，包括工艺腔室，以及权利要求1-11任一项所述的上电极组件；
...【技术特征摘要】
1.一种上电极组件，其特征在于，包括层叠设置的电极板和加热组件；
2.根据权利要求1所述的上电极组件，其特征在于，所述加热组件包括：
3.根据权利要求2所述的上电极组件，其特征在于，所述加热腔内设置有至少一个第一导热隔板；
4.根据权利要求3所述的上电极组件，其特征在于，所述加热组件还包括：
5.根据权利要求4所述的上电极组件，其特征在于，所述环形腔内设置有至少一个第二导热隔板，所述至少一个第二导热隔板沿轴向平行排列，以在所述环形腔内形成至少两个第二空腔，每个所述第二导热隔板设置有第三通孔；
6.根据权利要求5所述的上电极组件，其特征在于，所述第一导热隔板远离所述电极板的一面或者朝向所述电极板的一面设置有与所述中心加热区对应的第一螺旋槽，以及与所述环形加热区对应的第二螺旋槽，所述第一加热件设置于所述第一螺...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔咏琴，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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