半导体工艺腔室制造技术

本申请实施例提供了一种半导体工艺腔室，其设有空腔，其包括：内衬、调整环和驱动机构；所述内衬的位于所述空腔下方的部位设有与所述空腔连通的多个第一穿孔，所述调整环设置于所述内衬的背离所述空腔的一侧，所述调整环设有多个第二穿孔，所述第二穿孔与所述第一穿孔沿所述调整环的厚度方向一一对应地相对设置；所述驱动机构用于驱动所述调整环在目标平面运动，以调整所述第二穿孔与所述第一穿孔在所述目标平面上的正投影的重合区域的面积。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，尤其涉及一种半导体工艺腔室。

技术介绍

1、在半导体工艺
中，在实施半导体工艺的过程中，常常需要对半导体工艺腔室内的压力进行严格的控制。示例性地，在利用刻蚀设备进行刻蚀的过程中，刻蚀工艺腔室内的压力波动会影响刻蚀速率及质量，进而影响了等离子体在硅片上处理的工艺效果，最终影响了产品的良率。为提高产品的良率，在刻蚀过程中，需要对刻蚀工艺腔室内的压力进行严格的控制。

2、目前，本领域的技术人员亟待提供一种便于调整腔室内的压力的半导体工艺腔室。

技术实现思路

1、本申请实施例提供了一种半导体工艺腔室，以解决
技术介绍
中的问题。

2、本申请实施例提供的半导体工艺腔室设有空腔，所述半导体工艺腔室包括内衬、调整环和驱动机构；所述内衬的位于所述空腔下方的部位设有与所述空腔连通的多个第一穿孔，所述调整环设置于所述内衬的背离所述空腔的一侧，所述调整环设有多个第二穿孔，所述第二穿孔与所述第一穿孔沿所述调整环的厚度方向一一对应地相对设置；所述驱动机构用于驱动所述调整环在目标平面运动，以调本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体工艺腔室，其特征在于，所述半导体工艺腔室设有空腔(110)，所述半导体工艺腔室包括内衬(120)、调整环(130)和驱动机构(140)；

2.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述驱动机构(140)用于驱动所述调整环(130)沿与所述目标平面垂直的目标转轴转动。

3.根据权利要求2所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述半导体工艺腔室包括支撑件(150)和至少两个第一连接件(161)，

4.根据权利要求3所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述驱动机构(140)包括旋转驱动元件(141)和拨杆(142)，所述旋转驱动元件(141...

【技术特征摘要】

1.一种半导体工艺腔室，其特征在于，所述半导体工艺腔室设有空腔(110)，所述半导体工艺腔室包括内衬(120)、调整环(130)和驱动机构(140)；

2.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述驱动机构(140)用于驱动所述调整环(130)沿与所述目标平面垂直的目标转轴转动。

3.根据权利要求2所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述半导体工艺腔室包括支撑件(150)和至少两个第一连接件(161)，

4.根据权利要求3所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述驱动机构(140)包括旋转驱动元件(141)和拨杆(142)，所述旋转驱动元件(141)与所述拨杆(142)驱动连接，以驱动所述拨杆(142)转动，所述拨杆(142)设有第二滑槽(1421)，与所述驱动机构(140)驱动连接的第一连接件(161)一端设有连接部(1611)，所述连接部(1611)与所述第二滑槽(1421)滑动连接，所述连接部(1611)能够在所述第二滑槽(1421)内朝靠近或远离所述拨杆(142)的转轴的方向移动。

5.根据权利要求3所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述第一连接件(161)设置有凸伸部(1612)，所述凸伸部(1612)沿与所述第一连接件(161)的延伸方向垂直的方向侧向伸出，所述凸伸部(1612)承载于所述支撑件(150)。

6.根据权利要求3所述的半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱万玉，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：新型
国别省市：