本发明提供一种机械手调度方法，包括第一调度过程，所述第一调度过程包括以下步骤：S1：获取半导体设备的晶片状态信息，所述晶片状态信息包括：晶片在各个工艺模块的分布状态以及工艺状态；S2：基于所述晶片状态信息，获取机械手的所有调度路径；S3...

本申请实施例公开了一种卤素灯的检测方法、装置及设备，用以解决无法对卤素灯损坏进行预警的问题。所述方法包括：在卤素灯处于加热状态时，获取所述卤素灯的灯管参数信息；所述灯管参数信息包括灯管功率和灯管阻抗；判断所述灯管功率是否位于预设功率范围...

本申请实施例提供了一种半导体设备的检测系统及其检测方法。该检测系统包括：检测装置、检测管路及控制器；检测装置包括多个检测器，多个检测器用于分别检测多种气体的状态；检测管路包括多个支路，任意一检测器均通过多个支路分别与半导体设备的多个待测...

本实用新型属于电气设备机箱技术领域，公开一种射频发生器机箱面板与箱体连接结构，包括机箱（1）、加强筋（2）、十字槽盘头螺钉（3），其特征在于，所述机箱的前面板（11）设有两个把手（4），所述加强筋置于机箱内，所述把手（4）使用两个十字槽...

本实用新型提供一种开盖装置及半导体加工设备，用于实现腔室盖与腔体的开合，包括驱动组件和锁定组件，其中，驱动组件与腔室盖连接，用于驱动腔室盖进行升降以实现腔室盖与腔体的开合；锁定组件用于在驱动组件停止驱动时，锁定腔室盖的位置。本实用新型提...

本实用新型提供一种工艺腔室及半导体设备，该工艺腔室，应用于半导体设备，包括腔室主体以及设置于腔室主体内的载台结构，载台结构设置于腔室主体的中部；载台结构包括载台主体以及第一悬臂、第二悬臂；第一悬臂的一端与载台主体的侧壁连接，另一端与腔室...

本实用新型提供一种气体收集系统及原子层刻蚀设备，该气体收集系统，应用于原子层刻蚀设备，原子层刻蚀设备包括工艺腔室及供气管路，供气管路向工艺腔室实时供应工艺气体，包括收气管路和收气机构；收气机构通过收气管路与供气管路选择性连通；当供气管路...

本实用新型属于半导体制造技术领域，公开一种射频电源整机测试装置，包括在外壳内安装的电源电路、控制与接口电路及显示和开关组单元，其特征是，所述控制与接口电路（5）分别电连接电源电路（1）、显示和开关组单元（2），所述显示和开关组单元（2）...

本实用新型提供了一种匀流装置，涉及半导体制备技术领域，该装置包括：匀流板，所述匀流板上设置有多个通气孔；所述多个通气孔中的一部分通气孔中设置有封堵件，所述封堵件可拆卸地设置在所述通气孔中。本实用新型还提供了一种反应腔室和半导体加工设备。...

本发明提供一种半导体加工设备工艺参数的监控方法和监控装置，该方法包括：在当前工艺步骤开始后，周期性获取工艺参数的采样数据，确定采样数据的状态并保存，状态包括正常状态和异常状态；每次获取采样数据时，判断已保存的采样数据状态的数量是否已达到...

本发明提供的半导体设备的控制方法及系统，该方法包括：判断半导体设备中的工艺腔室的工作状态是待机状态还是非待机状态，若为待机状态，向废气处理装置发送第一控制信号，以使废气处理装置以第一功率值对废气进行燃烧处理；若为非待机状态，判断工艺腔室...

本实用新型提供的喷头组件，包括喷头主体和毛刷，在喷头主体上设置有喷头出口，毛刷与喷头主体连接，且毛刷的下边缘低于喷头出口的下边缘。借助毛刷的下边缘与喷头出口的下边缘之间的高度差，可以通过控制喷头出口的下边缘与晶圆之间的距离，来实现单独喷...

本发明提供一种半导体工艺的控制方法及控制装置，该控制方法包括以下步骤：S1，在半导体工艺的过程中，实时采集与等离子体成分相关的参数值；S2，根据与等离子体成分相关的参数值和线圈高度的对应关系，调整线圈高度，以将与等离子体成分相关的参数值...

本发明提供的冷却装置、等离子体产生装置及反应腔室，包括第一冷却环、第二冷却环和设置在二者之间的冷却套筒，第一冷却环中设置有用于输送冷却介质的第一通道，第二冷却环中设置有用于输送冷却介质的第二通道，并且，在冷却套筒中设置有第三通道，第三通...

本发明公开了一种碳化硅晶体生长装置，包括：生长炉，包括纵向设置的石英管，石英管内形成有用于碳化硅晶体生长的石英腔室，石英管为单层结构；外罩，套设于生长炉外部，外罩的内壁与石英管的外壁之间形成有排风管道，外罩的底端设有进风口，外罩的顶端设...

本发明公开一种半导体设备中的磁力件结构以及半导体磁控溅射设备，磁力件结构环绕设置于半导体反应腔室的外部，其特征在于，磁力件结构包括：环形支撑件、多个磁力件框架和多个磁力件；多个磁力件框架设置在环形支撑件上，且沿环形支撑件周向分布；磁力件...

本发明提供一种氧化铪薄膜沉积方法，包括：加热步骤，对晶片进行加热，以去除晶片表面上的杂质；磁控溅射步骤，采用脉冲直流电源并以磁控溅射方法在晶片上沉积形成氧化铪薄膜；冷却步骤，对沉积有氧化铪薄膜的晶片进行冷却。应用本发明，采用脉冲直流电源...

本发明提供一种工艺腔室内晶圆状态的检测方法及装置，该工艺腔室内晶圆状态的检测方法，获取工艺腔室内预设检测区的图像，其中，预设检测区至少包括工艺腔室内晶圆槽的边缘和晶圆槽内晶圆承载面的局部；将图像与预置的基准图像进行对比，确定晶圆槽内晶圆...

本发明提供一种紫外线热处理设备的旋转组件，包括至少一个旋转件，所述旋转件能够绕该旋转件的旋转轴旋转，还包括与旋转件间隔设置的止动机构，所述止动机构包括止动索和壳体，所述壳体上形成有绳索出口，所述止动索的一端设置在所述壳体内，所述止动索的...

本申请实施例提供了一种半导体工艺装置。该半导体工艺装置包括：工艺腔室、等离子体源、以及设置在工艺腔室内的调压组件及匀流组件；工艺腔室内形成有反应腔，反应腔内设置有用于承截晶圆的卡盘；调压组件设置于工艺腔室的顶板上，等离子体源通过调压组件...