本申请实施例提供了一种半导体工艺设备中的匀流机构及半导体工艺设备。该匀流机构设置于半导体工艺设备的工艺腔室内，用于对进入工艺腔室的工艺气体进行匀流，包括：环形本体及环形盖板；环形本体的顶面开设有沿周向延伸的凹槽，凹槽的底部开设有匀流道，...

本发明提供一种半导体热处理设备及其测温窗结构，该测温窗结构包括测温窗、测温窗盖板及固接组件，测温窗盖板设置在生长炉的炉壁上，且位于测温孔的外侧；测温窗盖板的与炉壁相对的第一端面开设容置测温窗的安装槽，安装槽底面开设通孔；测温窗与安装槽的...

本发明提供一种半导体加工设备的机械手校准方法及半导体设备。该机械手校准方法包括：在卡盘的承载面上形成沉积物；使用待校准机械手将测试基片放置在卡盘的承载面上，以使测试基片与承载面相接触的接触面上附着沉积物的颗粒；建立与承载面相对应的第一平...

本发明提供了一种半导体热处理设备中加热炉体控制方法、加热炉体及设备。该方法应用于非对称加热炉体，该非对称加热炉体包括至少一个加热块，加热块的疏加热区与密加热区的加热元件的分布密度和/或电阻不同，且分别独立供电控制；该方法包括：检测疏加热...

本发明实施例提供一种原子层沉积设备的前驱体传输装置和前驱体传输方法，该装置包括第一进气组件、第二进气组件和设置有第一流量控制模块的气体补偿管路，气体补偿管路用于对反应腔室的总气体流量进行补偿；第一进气组件包括第一前驱体源、缓冲装置、第一...

本发明提供一种消磁装置及半导体加工设备，该消磁装置用于消除半导体加工设备的反应腔室周围的环境磁场，且包括：电磁主体，围绕在反应腔室周围，用于产生补偿磁场；磁场传感器，设置在电磁主体与反应腔室之间，用于检测环境磁场的实时数据；以及控制模块...

本发明提供一种磁控溅射设备，包括工艺腔室和设置在工艺腔室中的靶材，还包括与靶材相对设置的承载台，该承载台包括基座和设置于基座上的基盘，该基盘用于承载待加工工件，且该基盘中设置有进气结构，该进气结构用于将工艺气体自基座传输至工艺腔室。在本...

本发明提供一种清洗装置及其故障停机的处理方法、半导体加工设备，该清洗装置包括：载台和清洗机构；清洗机构包括：喷射部和驱动部，驱动部用于驱动载台旋转，喷射部用于向待清洗件喷射清洗液和干燥气体；该处理方法包括：当清洗装置在对待清洗件进行清洗...

本发明提供一种旋转组件，包括第一旋转件、第二旋转件、旋转驱动部和主感应机构，所述旋转驱动部用于驱动所述第一旋转件沿自身旋转轴转动，并驱动所述第二旋转件沿自身旋转轴同步转动，所述主感应机构用于检测所述第一旋转件的旋转位置，并在所述第一旋转...

本申请实施例公开了一种晶片调度方法及装置，用以解决现有的晶片调度效率低、准确率低以及无法自动优化的问题。所述方法包括：获取待调度的晶片的第一参数信息；所述第一参数信息包括晶片数量、存放所述晶片的装卸载腔的数量、传输站点信息中的至少一项；...

本发明提供一种晶体生长炉，包括腔室、坩埚及通气结构，坩埚设置于腔室内，通气结构包括通气管路和设置在腔室中的汇流室；通气管路的进气口开设于腔室的底壁上，通气管路穿过腔室的底壁，与汇流室相连通；汇流室设置于坩埚的下方，与坩埚的底壁固定连接，...

本发明提供一种半导体工艺设备，包括工艺腔室、承载盘、支撑柱、升降组件和调节组件，所述承载盘设置在所述工艺腔室内，所述支撑柱与所述承载盘相连并支撑所述承载盘，所述升降组件通过所述调节组件与所述支撑柱相连，所述升降组件能够带动所述调节组件升...

本发明提供的半导体加工设备的晶片传输方法和半导体加工设备，该方法包括以下步骤：S1、工艺完成后，扫描工艺承载装置上的晶片，获取工艺后晶片队列；S2、基于工艺后晶片队列中的异常晶片，将工艺后晶片队列重新划分为晶片输出序列；S3、按照晶片输...

本发明公开一种半导体加工设备，所公开的半导体加工设备包括辅助加热器、主加热部、晶片承载部和石英管，其中：主加热部环绕设置于石英管的外周壁，辅助加热器至少部分和晶片承载部均设置于石英管内；辅助加热器包括绝缘套管、绝缘支撑管、抗氧化电阻丝和...

本发明实施例公开了一种用于半导体清洗设备中的晶圆清洗方法及半导体清洗设备，所述方法包括：根据预设的工艺配方，判断当前清洗步骤是否需要进行兆声波清洗，如果判断结果为是，则根据所述工艺配方，确定所述当前清洗步骤对应的兆声波清洗模式，所述兆声...

本发明公开了一种气体输运管路、控制气体输运的方法及半导体设备，其中，气体输运管路包括：至少两个供气管路，供气管路的一端与气源连通，另一端与反应腔室的入口连通，供气管路上设有第一控制阀、第二控制阀以及设置在第一控制阀和第二控制阀之间的管路...

本申请实施例提供一种前端模块及其控制方法、半导体加工设备。该前端模块包括：模块主体、整流板组件、调节板组件及排气管；模块主体上部设置有进气口；整流板组件设置于模块主体的底部，且整流板组件上开设多个排气口，经由进气口进入模块主体的气体仅通...

本发明提供一种低压扩散炉，包括基座、炉门、炉门驱动组件、控制单元，所述控制单元用于控制所述炉门驱动组件驱动所述炉门开启或关闭。该低压扩散炉还包括至少一个第一接触开关和/或至少一个第二接触开关，所述第一接触开关与基座固定连接，所述炉门驱动...

本发明公开了一种立式炉设备，包括：炉体、位于炉体内的工艺管、位于工艺管中的晶舟以及设置于工艺管的底部的工艺门，还包括位于工艺管内的保温装置，保温装置包括：第一保温区，第一保温区包括多个沿工艺管轴向间隔设置的第一保温插片；第二保温区，设置...

本申请涉及一种集成供气系统及其气路切换机构、半导体处延设备。该气路切换机构设置于半导体外延设备的集成供气系统中，其包括：第一基块及第二基块，第一基块内开设有第一气路及第一旁路，且第一气路与第一旁路连通设置；第二基块内开设有第二气路及第二...