本申请公开了一种硅片清洗机。该硅片清洗机包括：机架，其包括相对间隔设置的两个悬臂，清洗篮，其两端分别设置在所述两个悬臂上，以及驱动机构，所述驱动机构包括两个凸轮和分别与相应的所述凸轮配合的两个随动器，所述两个悬臂与相应的随动器相连，以驱...

本发明实施例公开了一种托盘状态调整方法及半导体加工设备，该方法包括：在目标检测时段内，获取片盒腔内的目标片槽在移动过程中与预设基准位之间的相对距离，以及来自测距传感器的检测距离，检测距离是指测距传感器检测到的与目标片槽之间的距离；基于在...

本申请实施例提供了一种半导体设备及其工艺腔室。该工艺腔室内设置有可升降的基座，基座用于承载晶圆；基座上沿周向均布有多个导向滑块，导向滑块能沿基座的径向滑动；工艺腔室内壁上设置有盖环支架，盖环支架上搭设有盖环，盖环位于基座的上方且与基座同...

本发明提供的卡盘结构及反应腔室，其包括自下而上依次叠置的基座、隔热层和卡盘本体，还包括第一紧固结构和第二紧固结构，其中，第一紧固结构用于使隔热层与卡盘本体固定连接，且仅与隔热层与卡盘本体相接触；第二紧固结构用于使隔热层与基座固定连接，且...

本发明提供一种进气装置及反应腔室，包括进气本体和喷嘴，进气本体的上端面设有环形凹道，在进气本体的环形凹道处设置有安装孔，喷嘴中设置有进气孔，喷嘴可拆卸的安装在安装孔中，且进气孔与环形凹道连通。本发明提供的进气装置及反应腔室能够方便的对进...

本发明公开一种半导体腔室的固定组件及半导体腔室，所公开的固定组件用于固定待加工件(300)，该固定组件包括第一环体(100)和至少部分位于第一环体(100)内侧的第二环体(200)；第一环体(100)的底面内边缘用于压紧待加工件(300...

本发明实施例公开了一种半导体工艺设备的上电极机构及半导体工艺设备，所述上电级机构包括：射频线圈、电流传感器、电流调整装置，其中，所述射频线圈包括至少两条并联的支路；每条所述支路上均设置有一所述电流传感器，用于检测该支路的支路电流；所述电...

本发明公开了一种光刻胶去除装置和去除光刻胶的方法。该装置包括臭氧水发生器、纳米气泡发生器、臭氧管路和纳米气泡管路，臭氧管路的第一端与臭氧水发生器的出口连通，臭氧管路的第二端与纳米气泡发生器的入口连通；纳米气泡管路的第一端与纳米气泡发生器...

本申请实施例公开了一种阻抗传感器及半导体设备。阻抗传感器包括导体、围绕导体设置的磁环骨架以及环绕磁环骨架设置的导电组件；导电组件包括绕制在磁环骨架外侧的第一导电件，以及，沿磁环骨架的主轴设置且与所述第一导电件连接的第二导电件；第二导电件...

本发明公开了一种半导体工艺设备中的测温装置及半导体工艺设备，其中测温装置包括：红外测温仪；红外测温仪夹紧件，用于夹紧于红外测温仪；调节机构，设置在工艺腔室上，红外测温仪夹紧件设置在调节机构上，调节机构包括：承载块，用于承载红外测温仪夹紧...

本发明公开了一种开盖装置和半导体处理设备。包括旋转机构；传动机构，包括主动旋转轴以及套设在主动旋转轴内侧并与其可转动连接的从动旋转轴，主动旋转轴与旋转机构连接，从动旋转轴用于与盖板连接；并且，主动旋转轴与从动旋转轴之间设置有至少一个密封...

本发明公开一种加热装置及半导体加工设备，所公开的加热装置用于在半导体加工设备中承载并加热待加工工件，加热装置包括基部、加热本体、冷却机构和气道板，其中：气道板与加热本体之间形成第一气道，加热本体开设有第二气道，且第二气道的出口位于加热本...

本发明公开一种半导体载具、半导体加工设备及吹扫方法，半导体载具包括载具本体，所述载具本体具有承托面，所述承托面用于承托被加工件，所述载具本体开设有进气孔，所述承托面开设有吹扫孔，所述进气孔与所述吹扫孔连通，所述进气孔配置为通入吹扫气体，...

本发明实施例公开了一种晶片清洗机的控制方法及晶片清洗机，所述方法包括：检测晶片清洗机排风处的第一压差值和第一风速值，所述第一压差值为所述晶片清洗机排风处的内压与外压的差值；根据所述第一压差值、所述第一风速值、预设的基准压差值和预设的基准...

本发明提供一种承载装置及半导体加工设备，包括由上而下依次设置的承载主体、隔离部件和接地屏蔽件，以及用于向承载主体引入多条不同功能的导线的引入部件，该引入部件包括屏蔽结构，该屏蔽结构包覆各条导线，且使各条导线之间相互隔离，用以避免不同导线...

本发明公开了一种半导体工艺设备，包括工艺腔室，工艺腔室中设置有加热装置，加热装置包括：中心灯座及环绕中心灯座设置的边缘灯座；中心加热灯，中心加热灯安装在中心灯座上；散热片，与中心灯座连接，设置于中心加热灯的外周；反射筒，与散热片远离中心...

本发明公开了一种背压气路装置、反应腔室基座背压控制方法及反应腔室。背压气路装置包括供气管路、背吹气路、背吹旁路和控制单元，背吹气路的进气端，背吹气路的出气端用于向基座供给背吹气体；背吹旁路的两端分别连通供气管路的出气端和反应腔室，用于将...

本发明提出了一种半导体反应腔室及原子层等离子体刻蚀机。半导体反应腔室包括：喷淋头，设置在所述半导体反应腔室内，将等离子体产生区分成上部的强等离子体产生区域和下部的弱等离子体产生区域；工艺反应气体配气及支撑环，设置在所述喷淋头的上方；工艺...

本发明公开一种用于外延生长设备的预热环以及外延生长设备，该预热环包括上环部和下环部，上环部与下环部同轴自上而下叠置，上环部的外径与下环部的外径相等，上环部的内径小于下环部的内径，上环部的一侧设有排气通道，从而使净化气体和处理气体快速排走...

本发明公开了一种晶圆传输控制方法，方法包括：向工艺腔室输入目标气体并进行真空排气，以使工艺腔室维持在第一压力；依次打开工艺腔室和过渡腔室的门阀，并将晶圆从处于第二压力的过渡腔室内传送至处于第一压力的工艺腔室内升起的支撑针组件上，其中，第...