本发明公开了半导体沉积工艺补偿方法、补偿装置及半导体沉积设备，其中，沉积工艺补偿方法包括：步骤1：在执行当前工艺步骤前，判断是否需要对当前工艺步骤的工艺参数值进行参数补偿，若是，则获取当前的靶材消耗值，并根据预置的多个靶材消耗值以及每个...

本发明公开一种图形片及半导体中间产物，图形片包括自上而下依次层叠设置的第一掩膜层、第二掩膜层、介质层和衬底层，第一掩膜层为光刻胶层；第一掩膜层具有第一图形孔，第一图形孔沿第一掩膜层的厚度方向贯穿第一掩膜层，第一掩膜层的厚度为d1，第二掩...

本发明提供一种晶片装卸机构，包括晶片装卸组件、压环装卸组件、驱动组件，所述晶片装卸组件包括顶针安装部，所述顶针安装部上设置有多个晶片顶针，所述压环装卸组件包括连接杆安装部，所述连接杆安装部上设置有多个压环连接杆，所述顶针安装部和所述连接...

本申请实施例提供了一种半导体制造设备及其保护环。该保护环设置于半导体制造设备中的承载装置上，用于防止工艺副产物进入承载装置，其包括：环状本体及接合件；环状本体包括外周缘及内边缘，内边缘包括圆弧边及直边，圆弧边与外周缘同心设置，直边沿环状...

本申请实施例提供了一种光照射装置及半导体加工设备。该光照射装置设置于半导体加工设备的工艺腔体内的顶部，用于对工艺腔体内的工件进行光照处理，其包括：反射器及光源模组；反射器固定于工艺腔体上，反射器内形成有反射腔，反射腔用于对光线进行反射并...

本发明提供一种半导体工艺腔室及半导体加工设备，半导体工艺腔室包括腔体、承载装置、偏压电极装置、激励电极装置、整流结构，承载装置位于腔体中，设置在偏压电极装置下方，包括朝下设置的承载面，用于将晶片固定在承载面上；偏压电极装置位于腔体中，设...

本发明涉及一种半导体设备中的晶片升降结构及半导体设备，该晶片升降结构包括：安装盘，固定设置在半导体设备工艺腔室中的基座下端；导向轴，竖直设置于安装盘的下方且与安装盘连接；晶片升降机构，套设在导向轴上，包括：晶片驱动架，套设在导向轴上且可...

本发明提供一种半导体工艺腔室、晶片边缘保护方法及半导体设备，其中，半导体工艺腔室包括基座及晶片边缘保护装置，且晶片边缘保护装置设置于基座上，晶片边缘保护装置包括内保护环和外保护环；外保护环环绕设置在内保护环外侧，且与内保护环相搭接，并且...

本发明提供了一种反应腔室，包括：腔体；主筒和主线圈，主筒位于腔体顶部，主线圈环绕主筒设置；副筒和副线圈，副筒位于腔体与主筒之间，副线圈环绕副筒设置；至少一个升降结构，升降结构与主线圈或副线圈连接，用于随工艺步骤的变化驱动主线圈或副线圈升...

本发明提供一种半导体工艺腔室，包括腔体以及设置在所述腔体内部的基座、压环和内衬及隔热环，其中：所述内衬环绕设置在所述腔体内侧，且所述内衬的下端部设置有支撑部，下端部用于在所述压环脱离所述基座时支撑所述压环；所述隔热环固定在所述内衬上，且...

本申请实施例提供了一种半导体加工设备。该半导加工设备包括：工艺腔室、基座以及调平装置；基座设置于工艺腔室内，用于承载晶圆；调平装置包括测距传感器，测距传感器设置于工艺腔室外，并且位于基座的上方，测距传感器用于测量其本身距离基座上表面的间...

本申请实施例提供一种半导体外延设备中的反应腔室，包括自上而下依次叠置的上拱顶、基座环、支撑座，所述上拱顶、基座环、支撑座配合围成所述反应腔室的反应腔，所述反应腔中设置有用于承载待加工工件的承载台，所述上拱顶包括拱顶环和透明的拱顶本体，所...

本发明公开一种沉积设备，包括：反应腔室以及位于反应腔室内且与反应腔室同轴设置的上电极(6)、支撑环(5)、隔离环(15)和聚焦环(102)，隔离环(15)和聚焦环(102)设置于上电极(6)的外周壁与支撑环(5)的内周壁之间；隔离环(1...

本申请实施例提供了一种半导体加工设备。该半导体加工设备包括工艺腔室、装载腔室、花篮，装载腔室内设置有用于承载花篮的定位板；花篮的底板具有相对设置的进料端及止挡端，花篮内具有多个层叠设置的容置槽，且容置槽的开口位于进料端一侧；定位板上设置...

本申请实施例提供了一种半导体设备。该半导体设备包括：工艺腔室、真空管路及抽气装置；真空管路设置于工艺腔室及抽气装置之间；真空管路包括多个真空支路，多个真空支路的进气端分布于工艺腔室的底壁；多个真空支路的出气端均与抽气装置连接，抽气装置用...

本发明提供一种温度控制方法和系统、半导体设备，该方法包括以下步骤：S1，使用加热装置对被加工工件进行加热，且在加热过程中根据预设的功率调节规则调节加热装置的输出功率，直至被加工工件的温度达到预设的第一目标值，其中，第一功率调节规则用于控...

本发明提供一种暖机控制方法和半导体加工设备，该方法包括：在启动预置的配置界面时，读取预先存储在配置文件中的工艺腔室的暖机属性的初始值，并在配置界面中显示；暖机属性包括暖机标识、暖机时间阈值和暖机任务名称；若暖机标识表征为需要暖机，则实时...

本发明提供一种承载装置及工艺腔室，其中，承载装置包括可升降的基座、顶针组件和多个封堵组件，基座中设置有多个通孔，多个通孔沿基座的周向间隔分布，顶针组件包括多个顶针，顶针的数量与通孔的数量相同，且每个顶针一一对应地穿设于每个通孔中；封堵组...

本发明提供一种半导体加工设备的升降装置及半导体加工设备，该升降装置用于驱动半导体加工设备的托盘升降支架和晶片升降支架作升降运动，该升降装置包括：旋转电机，用于提供旋转动力；传动机构，分别与旋转电机和托盘升降支架连接，用以将旋转电机提供的...

本申请实施例提供了一种静电卡盘及半导体加工设备。该静电卡盘设置于半导体加工设备的工艺腔室内，静电卡盘包括：自下而上层叠设置的基座、控温组件及吸附模块；基座固定设置于工艺腔室内，用于承载控温组件及吸附模块；吸附模块用于承载及吸附晶圆；控温...