本发明提出了一种半导体清洗机的缓存槽，该缓存槽包括：槽体；多组花篮支架，放置于所述槽体内；移动组件，用于将一组花篮支架移动到指定位置。本发明有效地解决了半导体清洗机中，花篮在工艺槽和甩干机之间通过机械手的取放问题，提高了花篮的定位精度高...

本发明提供一种半导体清洗设备，包括清洗槽、工艺液体管路和硅片保护装置，其中，工艺液体管路与清洗槽连接，用于向清洗槽内通入工艺液体，硅片保护装置与清洗槽连接，用于向清洗槽内通入稀释液体；硅片保护装置包括稀释管路、通断组件和第一控制单元，稀...

本申请实施例提供了一种半导体加工设备及其工艺控制方法。该半导体加工设备包括：腔室、升降组件和设置于腔室内的基座及测温组件；升降组件，用于承载并带动晶圆选择性地位于基座上方的多个工位，多个工位与多个目标温度值一一对应，且每个工位至基座上表...

本发明提供一种半导体腔室及其进气结构，该进气结构包括设置在所述半导体腔室的腔室壁中的通孔和设置在所述通孔中的柱塞件，所述柱塞件的外周壁与所述通孔的孔壁之间形成缓冲腔和环形孔隙，其中，所述缓冲腔与所述半导体腔室的进气管路连接；所述环形孔隙...

本发明公开了一种半导体设备中的加热装置及半导体设备，包括：加热盘，加热盘中设有加热部件；冷却盘，设置于加热盘下方，冷却盘中设有冷却部件；密封组件，设置于所述加热盘下方，所述密封组件与所述加热盘连接，并与所述加热盘配合形成容置空间，所述冷...

本发明提出了一种外延设备，包括：反应腔室；基座，可旋转地设置在所述反应腔室中；预热环，设置在所述反应腔室侧壁的台阶上，且所述预热环的内环壁面与所述基座的外环壁面相互间隙配合设置；预热环位置调整定位装置，设置在所述预热环与所述反应腔室侧壁...

本发明公开了一种半导体设备多线程并发调度重算方法、系统及控制系统，方法包括：接收重新调度操作指令，创建重算事件，为重算事件设置调度标识；将重算事件的调度标识设置为与当前的全局调度标识相等；对重算事件进行重新调度计算并输出对应的机台动作序...

本发明公开一种用于外延设备的进气装置以及外延生长设备，该进气装置包括：进气焊件、基座环和匀流板，进气焊件设于基座环的一侧，进气焊件朝向基座环的表面上设有出气凹槽，出气凹槽的端面上设有出气口，基座环朝向进气焊件的表面上设有进气口；匀流板设...

本发明公开了一种适于远程等离子体清洗的反应腔室、沉积设备及清洗方法，其中反应腔室包括：腔室主体；加热基座，加热基座设于腔室主体内；环形支撑部件，环形支撑部件环绕于加热基座的外周，环形支撑部件面向加热基座的表面为内表面，背向加热基座的表面...

本发明提供一种LED芯片，包括外延发光层组和N型电极，该外延发光层组的表面形成有沟槽，该N型电极与沟槽底部的N型GaN层欧姆接触，并延伸为至少覆盖部分沟槽侧面的外延发光层组，且在N型电极与沟槽侧面的外延发光层组之间还设置有介质隔离叠层，...

本发明提供一种原子层刻蚀设备和原子层刻蚀方法，该设备包括反应腔室、设置在反应腔室顶部的上电极机构和设置在反应腔室中的基座，还包括中间电极机构，该中间电极机构包括电极板组件和与电极板组件电连接的中间射频电源，其中，电极板组件设置在反应腔室...

一种外延装置，包含腔室；在腔室中承载待加工工件的基台；进气结构，设置于腔室的侧壁上，用于向待加工工件的待加工表面提供处理气体；及排气结构，设置于与进气结构相对的腔室的侧壁上，用于排放处理气体。进气结构包括:多个第一进气通道，用于沿第一方...

本发明提供了一种半导体工艺设备，其中，包括：反应腔室、第一输气管路、第二输气管路和预加热装置；所述第一输气管路将气源与所述预加热装置的进气端连通，所述反应腔室通过所述第二输气管路与所述预加热装置的出气端连通；所述预加热装置用于将所述气源...

本发明涉及溅射腔室。一种溅射腔室包括基座、进气口、出气口和内衬结构。基座置于溅射腔室内，用于承载工作件。进气口置于基座的上方，进气口用于至少通入反应气体和溅射气体，其中反应气体与溅射气体的气体流量比例小于1，且溅射腔室的工作压力低于10...

本发明提供一种机械手、半导体设备以及机械手工作状态检测方法。该机械手包括：力传感器，用于检测所述机械手的受力，基于所述机械手的受力而判断所述机械手在传输和取放晶片的过程中是否出现异常。通过本发明，可以及时、准确地发现机械手在传输和取放晶...

本发明提供一种承载装置及半导体设备，其中，承载装置包括基座、托盘、卡环和绝缘连接部件，其中，托盘位于基座上；卡环环绕设置在托盘的周围，且卡环的内周壁与托盘的外周壁在水平方向上具有第一预设距离，第一预设距离满足能够使卡环与托盘在径向上相互...

本发明公开一种半导体设备的反应腔室和半导体设备，该反应腔室包括腔室本体以及自上而下设置的静电卡盘、补偿电压检测装置和下电极；腔室本体具有反应腔，静电卡盘、补偿电压检测装置和下电极均设置于反应腔内，静电卡盘用于支撑晶圆；补偿电压检测装置的...

本发明公开一种静电卡盘及其控制方法，所述静电卡盘包括基体、加热组件和吸附部，所述加热组件叠设于所述基体上，所述加热组件包括加热基层和至少一个局部加热部，各所述局部加热部均层叠设置于所述加热基层的表面，且所述加热基层和各所述局部加热部均独...

本发明涉及一种防止调度死锁的物料分类调度方法，包括以下步骤：确定待调度物料；待调度物料中存在放置在瓶颈资源位上的工艺参与类物料，将待调度物料的信息发送给调度模块进行调度，输出调度序列；其中，所述调度模块进行调度，输出调度序列的过程中包括...

本发明提供一种机械手调度方法，包括第一调度过程，所述第一调度过程包括以下步骤：S1：获取半导体设备的晶片状态信息，所述晶片状态信息包括：晶片在所述半导体设备各个区域的分布状态以及加工状态；S2：基于所述晶片在各个区域的分布状态，检测优先...