承载装置及半导体设备制造方法及图纸

技术编号:24999940 阅读:43 留言:0更新日期:2020-07-24 18:01
本发明专利技术提供一种承载装置及半导体设备,其中,承载装置包括基座、托盘、卡环和绝缘连接部件,其中,托盘位于基座上;卡环环绕设置在托盘的周围,且卡环的内周壁与托盘的外周壁在水平方向上具有第一预设距离,第一预设距离满足能够使卡环与托盘在径向上相互绝缘;绝缘连接部件设置在托盘与卡环之间,用于使卡环与托盘相互绝缘。本发明专利技术提供的承载装置及半导体设备能够避免打火现象的发生,并且能够避免压环与待加工工件的工艺面接触,从而提高待加工工件的工艺结果。

【技术实现步骤摘要】
承载装置及半导体设备
本专利技术涉及半导体设备
,具体地,涉及一种承载装置及半导体设备。
技术介绍
目前,在半导体加工设备中,机械卡盘普遍用于对高度翘曲的基底、键合的基底以及绝缘基底进行承载,可以应用于半导体加工的常温溅射工艺中,对晶圆进行承载。现有的半导体加工设备中,工艺腔室内通常设置有基座装配装置、压环和机械卡盘,其中,机械卡盘包括设置在基座装配装置上用于承载晶圆的托盘,和环绕设置在托盘周围的卡环。在进行溅射沉积工艺时,晶圆、卡环和压环的上表面均暴露在等离子体的环境中,均会受到带电粒子的轰击,其中,晶圆由于材质导电性差,其上表面会积累电荷,而卡环与压环通常采用金属材质,且通过托盘与基座装配装置相连,因此,卡环与压环的上表面的电荷能够自由迁移得到释放,由此便造成晶圆的上表面与卡环的上表面之间产生电位差,导致晶圆的边缘与卡环之间出现打火(尖端放电)现象,造成晶圆的损坏、颗粒超标以及工艺性能变差等一系列严重的后果。为了避免上述打火现象的出现,在进行溅射沉积工艺时,将压环压住晶圆的上表面的边缘区域,以使晶圆上表面的电荷能够通过本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种承载装置,其特征在于,包括:/n基座;/n托盘,所述托盘位于所述基座上;/n卡环,所述卡环环绕设置在所述托盘的周围,且所述卡环的内周壁与所述托盘的外周壁在水平方向上具有第一预设距离,所述第一预设距离满足能够使所述卡环与所述托盘在径向上相互绝缘;/n绝缘连接部件,所述绝缘连接部件设置在所述托盘与所述卡环之间,用于使所述卡环与所述托盘相互绝缘。/n

【技术特征摘要】
1.一种承载装置,其特征在于,包括:
基座;
托盘,所述托盘位于所述基座上;
卡环,所述卡环环绕设置在所述托盘的周围,且所述卡环的内周壁与所述托盘的外周壁在水平方向上具有第一预设距离,所述第一预设距离满足能够使所述卡环与所述托盘在径向上相互绝缘;
绝缘连接部件,所述绝缘连接部件设置在所述托盘与所述卡环之间,用于使所述卡环与所述托盘相互绝缘。


2.根据权利要求1所述的承载装置,其特征在于,所述托盘的外周壁上设置有环形凸台;
所述绝缘连接部件设置在所述环形凸台与所述卡环之间,且所述卡环的下表面与所述环形凸台的上表面在竖直方向上具有第二预设距离,所述第二预设距离满足能够使所述卡环与所述环形凸台在轴向上相互绝缘。


3.根据权利要求2所述的承载装置,其特征在于,所述绝缘连接部件包括至少两个绝缘销,至少两个所述绝缘销沿所述环形凸台的周向间隔分布,且各所述绝缘销的两端分别与所述环形凸台和所述卡环连接。


4.根据权利要求3所述的承载装置,其特征在于,各所述绝缘销包括第一销部和第二销部,其中,所述第一销部呈锥状,且在所述卡环的下表面上设置有与所述第一销部相配合的第一销槽;所述第二销部与所述环形凸台固定连接。


5.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵联波王宽冒张同文刘学滨
申请(专利权)人:北京北方华创微电子装备有限公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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