本申请实施例提供了一种缓冲机构、立式炉及其工艺门。该缓冲机构设置于立式炉工艺门的支撑臂与密封盘之间，其包括安装板及缓冲器；安装板设置于支撑臂上；多个缓冲器均匀分布于安装板上；缓冲器包括导杆、导向组件及弹性组件；导杆的顶端与密封盘连接，导...

本发明提供的化学气沉积设备的进气结构和进气方法的技术方案中，通过利用浓度检测单元检测进气管路上源气体的当前浓度值，并利用控制单元根据该当前浓度值和目标浓度值控制流量调节单元调节工艺气体的流量值，可以调节反应腔室中的工艺气体的质量，以使工...

本发明提供一种内衬及反应腔室，包括遮挡结构、本体和与本体连接的环体，其中，环体用于环绕在基座的周围，且环体沿其周向间隔设置有多个供工艺气体通过的缝隙，遮挡结构设置在环体的下方，且能够遮挡至少部分环体的缝隙。本发明提供的内衬及反应腔室，能...

本发明实施例公开了一种半导体热处理设备的炉体降温方法及半导体热处理设备，所述方法包括：预设检测周期及每个所述预设检测周期的目标降温温度，在当前检测周期结束时，检测所述半导体热处理设备的炉体的实际温度，确定所述实际温度与所述当前检测周期的...

本发明公开一种半导体热处理设备的清扫方法，包括：将承载有晶圆挡片的晶舟移入半导体热处理设备的反应腔室内；将半导体热处理设备的装卸载腔室调节至常压的大气环境；向反应腔室通入吹扫气体以进行清扫；清扫完毕后，将反应腔室的温度调节至预设温度，并...

本发明公开了一种暖机方法，包括：向刻蚀腔室内通入第一刻蚀气体，对置于所述刻蚀腔室内的暖机片进行刻蚀；其中，所述第一刻蚀气体能够与所述光胶暖机片发生反应形成含碳副产物，并覆盖所述刻蚀腔室内石英窗的表面；向所述刻蚀腔室内通入第二刻蚀气体，对...

本发明提供了一种反应腔室，包括：腔体和设置在腔体内的基座，基座包括用于承载基片的承载部和环绕承载部的边缘部，承载部的上表面的高度大于边缘部的上表面的高度，其中，反应腔室还包括：第一挡环，所述第一挡环设置在所述边缘部的上表面且环绕所述承载...

本发明提供一种工艺腔室，所述工艺腔室包括腔室顶盖、腔室底壁、环形侧壁和承载台，所述环形侧壁和承载台均位于腔室顶盖与腔室底壁之间，所述环形侧壁朝向所述腔室顶盖的一侧具有导气平面，所述导气平面与所述腔室顶盖之间具有换气间隙，所述环形侧壁的导...

本发明提供一种死锁判断方法及半导体设备，该死锁判断方法包括：新有向图构造步骤，将支持单步传输的有向图中同一工艺步骤对应的R个资源合并为一个，并更改每步工艺步骤对应的总容量，且使C

本申请实施例提供了一种机械手，用于抓取晶圆，其包括机械手本体、手指、固定铲爪及活动铲爪；手指与机械手本体连接；固定铲爪设置于手指上，与手指固定连接，且固定铲爪位于机械手本体的远端；固定铲爪用于从晶圆的一侧将晶圆铲起；活动铲爪活动设置于手...

本发明公开一种承载装置、半导体设备及残余电荷的检测方法，所公开的承载装置用于半导体设备中承载晶圆(400)，包括环状基部(100)、静电承载盘(200)和至少三个定位件(300)，静电承载盘(200)包括用于承载晶圆(400)的承载面(...

本发明提供一种半导体清洗设备的卡盘结构及半导体清洗设备，该卡盘结构包括卡盘基体、进气控制装置和设置在该卡盘基体中的第一气体通道和第二气体通道，二者均用于朝向被加工工件喷出气体，第一气体通道的喷气方向朝向被加工工件的与卡盘基体相对的表面外...

本发明提供一种晶片位置校验装置及方法，该装置包括：第一传感器，用于输出第一电平信号，其设置在各个腔室的入口第一侧；第二传感器，用于输出第二电平信号，其设置在各个腔室的入口第二侧；机械手控制器，用于控制机械手，所述机械手控制器具有第一输入...

本发明提供一种基片传输方法，用于依次传输多个容纳有基片的基片箱，其中，所述基片传输方法包括：以第一传输速度依次将前M个容纳有待处理基片的基片箱从承载架传递至预备区域；以第二传输速度依次将其余容纳有待处理基片的基片箱从所述承载架传递至所述...

本发明提供的喷淋结构及反应腔室，包括喷头主体和喷淋臂，喷淋主体的中心轴垂直于晶片表面设置，以向晶片表面进行喷淋，还包括第一旋转驱动结构，第一旋转驱动结构分别与喷淋臂和喷头主体连接，用于驱动喷头主体围绕中心轴自转。通过设置第一旋转驱动结构...

本发明提供一种半导体设备及其射频加载方法，该半导体设备包括：反应腔室、射频源和匹配器，所述射频源用于产生射频功率信号，还包括信号发生器和调制器，其中，所述信号发生器用于产生脉冲信号；所述调制器用于对所述射频功率信号和所述脉冲信号进行调制...

本发明提供一种工艺环境控制方法及系统，该方法包括以下步骤：S1、依据时间序列依次获取工艺环境状态参量截止至k‑1时刻的历史输入值和历史输出值，以构建历史数据向量；其中，k为当前时刻；S2、基于历史数据向量，采用递推最小二乘法计算获得预先...

本申请实施例提供了一种半导体设备及其电极装置。该电极装置设置于工艺腔室内，包括：包括：载台、叉指结构及指套；载台用于承载晶圆，且载台上开设有多个容置槽；叉指结构包括旋转盘及与旋转盘连接的多组叉指,任意一组所述叉指配合承载晶圆；每组叉指包...

本发明提供一种反应腔室及等离子体产生方法，包括腔室本体、上电极机构和等离子体辅助激发装置，其中，等离子体辅助激发装置包括诱导气体容纳部、进气口和出气口，诱导气体容纳部的两端分别与进气口和出气口连通，且出气口还与腔室本体内连通；等离子体诱...

本发明提供一种反应腔室及半导体加工设备，包括第一环体、第二环体、多个对位组件和承载基片的基座，第一环体和第二环体在基座的升降方向上相对设置，且基座在上升或下降的过程中使第一环体和第二环体相互靠近或远离；多个对位组件沿第一环体的周向间隔设...